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IXKH13N60C5

型号：

IXKH13N60C5

品牌：

IXYS[ IXYS CORPORATION ]

页数：

4 页

PDF大小：

124 K

下载PDF手册
IXKH 13N60C5  
IXKP 13N60C5  
Advanced Technical Information  
ID25  
VDSS  
RDS(on)max = 0.3 Ω  
= 13 A  
= 600 V  
CoolMOS Power MOSFET  
N-Channel Enhancement Mode  
Low RDSon, High VDSS MOSFET  
Ultra low gate charge  
D
S
TO-247 AD (IXKH)  
G
G
D
S
D(TAB)  
D(TAB)  
TO-220 AB (IXKP)  
G
D
S
Features  
MOSFET  
• fast CoolMOS power MOSFET - 4th generation  
- High blocking capability  
- Lowest resistance  
- Avalanche rated for unclamped  
inductive switching (UIS)  
- Low thermal resistance  
Symbol  
VDSS  
Conditions  
Maximum Ratings  
TVJ = 25°C  
600  
20  
V
VGS  
V
due to reduced chip thickness  
• Enhanced total power density  
ID25  
ID90  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
13  
9
A
A
Applications  
EAS  
EAR  
single pulse  
repetitive  
290 mJ  
0.44 mJ  
ID = 4.4 A; TC = 25°C  
• Switched mode power supplies (SMPS)  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Power factor correction (PFC)  
• Welding  
• Inductive heating  
• PDP and LCD adapter  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min.  
typ. max.  
CoolMOS is a trademark of  
Infineon Technologies AG.  
RDSon  
VGSth  
IDSS  
VGS = 10 V;ID = 6.6 A  
VDS = VGS;ID = 0.44 mA  
270  
3
300 mΩ  
2.5  
3.5  
1
V
VDS = 600 V;VGS = 0 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 150°C  
µA  
µA  
tbd  
IGSS  
VGS = 20 V; VDS = 0 V  
100 nA  
Ciss  
Coss  
VGS = 0 V; VDS = 100 V  
f = 1 MHz  
1100  
60  
pF  
pF  
Qg  
Qgs  
Qgd  
22  
5
7.6  
30 nC  
nC  
VGS= 0 to10 V; VDS = 400 V; ID = 6.6 A  
nC  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
tbd  
tbd  
tbd  
tbd  
ns  
ns  
ns  
ns  
VGS= 10 V; VDS = 400 V;  
ID = 6.6 A; RG = 4.3 Ω  
RthJC  
0.95 K/W  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2006 IXYS All rights reserved  
1 - 4  
IXKH 13N60C5  
IXKP 13N60C5  
Advanced Technical Information  
Source-Drain Diode  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min.  
typ. max.  
IS  
VGS = 0 V  
6.6  
A
VSD  
IF = 6.6 A; VGS = 0 V  
0.9  
1.2  
V
trr  
QRM  
IRM  
300  
3.9  
26  
ns  
µC  
A
IF = 6.6 A,-di/dt = 100 A/µs, VR = 400 V  
Component  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
TVJ  
Tstg  
-55...+150 °C  
-55...+150 °C  
Md  
mounting torque  
TO-247  
TO-220  
0.8...1.2 Nm  
0.4...0.6 Nm  
Symbol  
RthCH  
Conditions  
Characteristic Values  
min. typ. max.  
with heatsink  
compound  
TO-247  
TO-220  
0.25  
K/W  
K/W  
0.50  
Weight  
TO-247  
TO-220  
6
2
g
g
© 2006 IXYS All rights reserved  
2 - 4  
IXKH 13N60C5  
IXKP 13N60C5  
Advanced Technical Information  
TO-247 AD Outline  
Dim.  
Millimeter  
Inches  
Min.  
Max.  
Min. Max.  
A
A1  
A2  
4.7  
2.2  
2.2  
5.3  
2.54  
2.6  
.185 .209  
.087 .102  
.059 .098  
b
b1  
b2  
1.0  
1.65  
2.87  
1.4  
2.13  
3.12  
.040 .055  
.065 .084  
.113 .123  
C
D
E
.4  
.8  
.016 .031  
.819 .845  
.610 .640  
20.80 21.46  
15.75 16.26  
e
5.20  
5.72 0.205 0.225  
L
L1  
19.81 20.32  
4.50  
.780 .800  
.177  
∅P 3.55  
3.65  
.140 .144  
Q
5.89  
6.40 0.232 0.252  
R
S
4.32  
6.15 BSC  
5.49  
.170 .216  
242 BSC  
TO-220 AB Outline  
Dim.  
Millimeter  
Inches  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
A
B
12.70  
14.73  
13.97  
16.00  
0.500  
0.580  
0.550  
0.630  
C
D
9.91  
3.54  
10.66  
4.08  
0.390  
0.139  
0.420  
0.161  
E
F
5.85  
2.54  
6.85  
3.18  
0.230  
0.100  
0.270  
0.125  
G
H
1.15  
2.79  
1.65  
5.84  
0.045  
0.110  
0.065  
0.230  
J
K
0.64  
2.54  
1.01  
BSC  
0.025  
0.100  
0.040  
BSC  
M
N
4.32  
1.14  
4.82  
1.39  
0.170  
0.045  
0.190  
0.055  
Q
R
0.35  
2.29  
0.56  
2.79  
0.014  
0.090  
0.022  
0.110  
45  
30  
15  
0
100  
75  
50  
25  
0
25  
20  
15  
10  
5
10V  
TJ = 25°C  
TJ = 150°C  
1 2V  
20 V  
=
VGS  
20 V  
6 V  
1 2V  
10 V  
8 V  
VGS  
=8 V  
5.5 V  
6 V  
5 V  
5.5 V  
4.5 V  
5 V  
4.5 V  
0
0
40  
80  
[°C]  
120  
160  
0
5
10  
15  
20  
0
5
10  
[V]  
15  
20  
T
V
[V]  
DS  
C
V
DS  
Fig. 2 Typ. output characteristics  
Fig. 3 Typ. output characteristics  
Fig. 1 Power dissipation  
© 2006 IXYS All rights reserved  
3 - 4  
IXKH 13N60C5  
IXKP 13N60C5  
Advanced Technical Information  
1
50  
40  
30  
20  
10  
0
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
ID = 6.6 A  
VDS > 2·RDS(on) max · ID  
5 V  
=
5.5 V  
6 V  
VDS  
V
GS = 10 V  
7 V  
6.5 V  
25 °C  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
TJV = 150°C  
10 V  
1
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
50 °C  
TJ =  
typ  
98 %  
0
0
0
5
10  
15  
20  
25  
-60  
-20  
20  
60  
j [°C]  
100  
140  
180  
0
2
4
6
8
10  
T
I D [A]  
V
[V]  
GS  
Fig. 4 Typ. drain-source on-state  
resistance  
Fig. 5 Drain-source on-state  
resistance  
Fig. 6 Typ. transfer characteristics  
10 5  
10 4  
10 3  
10 2  
10 1  
10 0  
10 2  
10 1  
10 0  
10 -1  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
ID = 6.6 A pulsed  
VGS = 0 V  
f = 1 MHz  
25 °C, 98%  
VDS = 120 V  
150 °C, 98%  
25 °C  
Ciss  
TJ = 150 °C  
Coss  
Crss  
0
100  
200  
300  
[V]  
400  
500  
0
0.5  
1
1.5  
2
0
5
10  
Q
15  
gate [nC]  
20  
25  
V
V
[V]  
DS  
SD  
Fig. 7 Forward characteristic  
of reverse diode  
Fig. 8 Typ. gate charge  
Fig. 9 Typ. capacitances  
10 1  
300  
200  
100  
0
700  
660  
620  
580  
540  
ID = 4.4 A  
ID = 0.25 mA  
10 0  
0.5  
0.2  
0.1  
D = tp/T  
0.05  
0.02  
0.01  
10 -1  
singlepulse  
10 -2  
10 -5  
20  
60  
100  
140  
180  
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
180  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 -1  
10 0  
T
j [°C]  
T
j [°C]  
t p [s]  
Fig. 10 Avalanche energy  
Fig. 11 Drain-source breakdown  
voltage  
Fig. 12 Max. transient thermal  
impedance  
© 2006 IXYS All rights reserved  
4 - 4  
厂商 型号 描述 页数 下载

IXYS

 		IXKC13N80C 的CoolMOS功率MOSFET ISOPLUS220[ CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220 ] 2 页

LITTELFUSE

 		IXKC15N60C5 [ Power Field-Effect Transistor, ] 5 页

LITTELFUSE

 		IXKC19N60C5 [ Power Field-Effect Transistor, ] 5 页

IXYS

 		IXKC19N60C5 [ Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS220, 3 PIN ] 4 页

IXYS

 		IXKC20N60C 的CoolMOS功率MOSFET在ISOPLUS220套餐[ CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS220 Package ] 2 页

LITTELFUSE

 		IXKC23N60C5 [ Power Field-Effect Transistor, ] 5 页

IXYS

 		IXKC23N60C5 [ Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS220, 3 PIN ] 4 页

IXYS

 		IXKC40N60C 的CoolMOS功率MOSFET ISOPLUS220[ CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220 ] 2 页

IXYS

 		IXKF40N60SCD1 的CoolMOS功率MOSFET系列肖特基二极管和超快速反并联二极管的高压ISOPLUS I4 -PAC[ CoolMOS Power MOSFET with Series Schottky Diode and Ultra Fast Antiparallel Diode in High Voltage ISOPLUS i4-PAC ] 2 页

IXYS

 		IXKG25N80C 的CoolMOS功率MOSFET ISO264[ CoolMOS Power MOSFET ISO264 ] 2 页

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