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类目：
场效应管(MOSFET) 三极管(BJT) 晶闸管(可控硅) / 模块 数字晶体管 IGBT管 / 模块 达林顿管 达林顿晶体管阵列 结型场效应管(JFET) 智能功率模块(IPM) 预售晶体管
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品牌：
INFINEON (213) ONSEMI (121) VISHAY (51) NEXPERIA (38) STMICROELECTRONICS (28) DIODES INC. (24) ROHM (13) IXYS SEMICONDUCTOR (8) WEEN SEMICONDUCTORS (4) NXP (4) RENESAS (4) ISOCOM (3) MICROCHIP (3) INTERNATIONAL RECTIFIER (3) ANALOG DEVICES (3) PHILIPS (2) AOS (2) KINGBRIGHT (2) ST (2) LITTELFUSE (2) WOLFSPEED (2) TOSHIBA (2) DIODES (1) BOURNS (1)
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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

BSS138NH6327XTSA2 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E007127

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

5+： ¥ 2.220000

100+： ¥ 1.260000

500+： ¥ 0.830000

1000+： ¥ 0.640000

MY： 1+

5 个/EA

总额：¥ 11.1

FDV303N 复制

品牌：ONSEMI复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E014780

手册:  

5+： ¥ 2.310000

100+： ¥ 1.310000

500+： ¥ 0.880000

1000+： ¥ 0.670000

3000+： ¥ 0.580000

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 11.55

IRF7103TRPBF 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E007565

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 1.690000

CN： 1+

1 个/EA

总额：¥ 1.69

BSS138BK,215 复制

品牌：NEXPERIA复制

封装：-

类目： 开关二极管

编号：E005058

正向压降(Vf)： 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)： 100V

整流电流： 215mA

反向电流(Ir)： 500nA@80V

5+： ¥ 2.290000

100+： ¥ 1.220000

500+： ¥ 0.800000

1000+： ¥ 0.540000

3000+： ¥ 0.490000

6000+： ¥ 0.430000

9000+： ¥ 0.410000

9000+： ¥ 0.410000

MY： 1+

5 个/EA

总额：¥ 11.45

2N7002,215 复制

品牌：NEXPERIA复制

封装：-

类目： 开关二极管

编号：E002475

正向压降(Vf)： 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)： 100V

整流电流： 215mA

反向电流(Ir)： 500nA@80V

5+： ¥ 1.760000

100+： ¥ 0.930000

500+： ¥ 0.590000

1000+： ¥ 0.410000

3000+： ¥ 0.360000

6000+： ¥ 0.320000

9000+： ¥ 0.290000

24000+： ¥ 0.270000

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 8.8

NDS331N 复制

品牌：ONSEMI复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E004467

5+： ¥ 2.820000

100+： ¥ 2.140000

500+： ¥ 1.740000

1000+： ¥ 1.340000

3000+： ¥ 1.130000

6000+： ¥ 1.080000

9000+： ¥ 1.010000

24000+： ¥ 0.970000

PH： 1+

5 个/EA

总额：¥ 14.1

DMG2305UX-7 复制

品牌：DIODES INC.复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E008283

漏源电压(Vdss)： 20V

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on))： 52mΩ@4.5V，4.2A

耗散功率(Pd)： 1.4W

5+： ¥ 2.100000

100+： ¥ 1.150000

500+： ¥ 0.800000

1000+： ¥ 0.570000

3000+： ¥ 0.440000

9000+： ¥ 0.370000

24000+： ¥ 0.350000

45000+： ¥ 0.330000

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 10.5

BSS138PS,115 复制

品牌：NEXPERIA复制

封装：-

类目： 开关二极管

编号：E005013

正向压降(Vf)： 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)： 100V

整流电流： 215mA

反向电流(Ir)： 500nA@80V

5+： ¥ 2.380000

100+： ¥ 1.350000

500+： ¥ 0.890000

1000+： ¥ 0.680000

3000+： ¥ 0.590000

6000+： ¥ 0.580000

MY： 1+

5 个/EA

总额：¥ 11.9

BSS84PH6327XTSA2 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E000247

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

5+： ¥ 1.930000

100+： ¥ 1.110000

500+： ¥ 0.720000

1000+： ¥ 0.560000

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 9.65

NTS4101PT1G 复制

品牌：ONSEMI复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E002004

手册:  

5+： ¥ 0.520000

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 2.6

2N7002P,215 复制

品牌：NEXPERIA复制

封装：-

类目： 开关二极管

编号：E006553

正向压降(Vf)： 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)： 100V

整流电流： 215mA

反向电流(Ir)： 500nA@80V

3000+： ¥ 0.200000

CN： 1+

3000 个/EA

总额：¥ 600

IRLML0060TRPBF 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E004106

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

5+： ¥ 2.750000

100+： ¥ 2.050000

500+： ¥ 1.660000

1000+： ¥ 1.280000

3000+： ¥ 1.100000

9000+： ¥ 1.010000

24000+： ¥ 0.960000

45000+： ¥ 0.950000

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 13.75

SI2308BDS-T1-GE3 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E004466

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

1+： ¥ 3.930000

10+： ¥ 3.270000

100+： ¥ 2.480000

500+： ¥ 1.990000

1000+： ¥ 1.770000

US： 1+

1 个/EA

总额：¥ 3.93

BSS138P,215 复制

品牌：NEXPERIA复制

封装：-

类目： 开关二极管

编号：E004665

正向压降(Vf)： 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)： 100V

整流电流： 215mA

反向电流(Ir)： 500nA@80V

5+： ¥ 1.550000

100+： ¥ 0.820000

500+： ¥ 0.540000

1000+： ¥ 0.370000

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 7.75

DMG1012T-7 复制

品牌：DIODES INC.复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E008280

漏源电压(Vdss)： 20V

连续漏极电流(Id)： 630mA

导通电阻(RDS(on))： 700mΩ@1.8V，350mA

耗散功率(Pd)： 280mW

5+： ¥ 1.720000

100+： ¥ 0.910000

500+： ¥ 0.670000

1000+： ¥ 0.460000

3000+： ¥ 0.350000

9000+： ¥ 0.300000

24000+： ¥ 0.270000

45000+： ¥ 0.260000

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 8.6

FDN337N 复制

品牌：ONSEMI复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E014785

手册:  

5+： ¥ 3.340000

100+： ¥ 2.500000

500+： ¥ 1.970000

1000+： ¥ 1.510000

3000+： ¥ 1.380000

6000+： ¥ 1.300000

9000+： ¥ 1.260000

PH： 1+

5 个/EA

总额：¥ 16.7

FDN340P 复制

品牌：ONSEMI复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E014791

5+： ¥ 2.920000

100+： ¥ 1.990000

500+： ¥ 1.490000

1000+： ¥ 1.130000

3000+： ¥ 1.070000

6000+： ¥ 1.020000

9000+： ¥ 1.000000

24000+： ¥ 0.900000

US： 1+

5 个/EA

总额：¥ 14.6

DMG2305UX-13 复制

品牌：DIODES INC.复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E008282

5+： ¥ 2.440000

100+： ¥ 1.310000

500+： ¥ 0.850000

1000+： ¥ 0.530000

5000+： ¥ 0.460000

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 12.2

BSC059N04LSGATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E004041

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 7.650000

10+： ¥ 6.850000

100+： ¥ 5.340000

500+： ¥ 4.420000

1000+： ¥ 3.480000

5000+： ¥ 3.260000

MY： 1+

1 个/EA

总额：¥ 7.65

FDMC4435BZ 复制

品牌：ONSEMI复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E005317

1+： ¥ 8.010000

10+： ¥ 7.200000

100+： ¥ 5.500000

500+： ¥ 4.530000

1000+： ¥ 3.700000

3000+： ¥ 3.450000

6000+： ¥ 3.400000

9000+： ¥ 3.310000

24000+： ¥ 3.200000

PH： 1+

1 个/EA

总额：¥ 8.01

Total:5361234567891011...27
总536条记录，每页20条，共27页。

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