产品描述：场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, SOT-523
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| 商品目录 |
场效应管(MOSFET) |
| 数量 |
1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) |
20V |
| 连续漏极电流(Id) |
630mA |
| 导通电阻(RDS(on)) |
700mΩ@1.8V，350mA |
| 耗散功率(Pd) |
280mW |
| 阈值电压(Vgs(th)) |
1V |
| 栅极电荷量(Qg) |
736.6pC@4.5V |
| 输入电容(Ciss) |
60.67pF@16V |
| 反向传输电容(Crss) |
116.6pF |
| 工作温度 |
-55℃~+150℃ |
PDF描述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET N沟道增强型MOSFET
