全球存储芯片供需失衡加剧，HBM与AI驱动价格持续上行

发布时间：昨天 15:30

类别：行业动态

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2026 年 5 月 11 日，高盛发布最新半导体行业报告，大幅上调存储芯片全年涨幅预期：DRAM 全年涨幅 250%–280%，NAND Flash 涨幅 200%–250%，HBM 价格持续高位且供不应求36氪。报告指出，2026 年全球DRAM 供需缺口 4.9%、NAND 缺口 4.2%、HBM 缺口 5.1%，均创 2011 年以来新高，AI 算力需求爆发、产能扩张受限、地缘政治扰动三重因素叠加，推动存储市场进入 “高景气、高价格、高利润” 的长周期。

一、AI 算力爆发：HBM 成核心瓶颈，订单排至 2028 年

AI 大模型训练与推理对高带宽、高容量、低延迟的 HBM（高带宽内存）需求呈指数级增长，成为当前全球半导体供应链最紧张的环节：

• 需求端：英伟达、AMD、谷歌、微软、亚马逊等 AI 巨头订单激增，单颗高端 GPU 需 6–12 颗 HBM，2026 年全球 HBM 需求同比增长 80%；

• 供给端：HBM 技术壁垒高、良率低、产能扩张慢，全球仅三星、SK 海力士、美光三家能量产，2026 年产能同比仅增 25%；

• 订单情况：头部客户已签订3–5 年长协，锁定 2026–2028 年产能，现货市场几乎无货可售，价格持续上涨36氪。

二、DRAM/NAND：数据中心 + 消费电子双驱动，价格持续走强

除 HBM 外，通用 DRAM 与 NAND Flash同样供需紧张，价格持续上行：

• DRAM：AI 服务器单台 DRAM 容量是传统服务器的 3–5 倍，叠加 PC、手机、汽车电子需求回暖，2026 年供需缺口 4.9%，价格同比涨幅超 250%；

• NAND Flash：AI 服务器、数据中心 SSD 需求爆发，叠加高端手机、平板存储容量升级，2026 年供需缺口 4.2%，价格同比涨幅超 200%；

• 厂商策略：三星、SK 海力士、美光优先保障高毛利 HBM 与服务器存储订单，通用产能扩张谨慎，进一步加剧供需失衡。

三、地缘政治扰动：出口管制 + 产能区域化，加剧供应链紧张

全球地缘政治博弈持续升级，出口管制、产能限制、供应链区域化进一步加剧存储芯片供需紧张：

• 成熟制程受限：部分国家将28nm/45nm 成熟制程光刻机纳入出口限制，影响通用存储芯片产能扩张；

• 产能区域化：厂商为降低风险，将产能分散至美国、日本、韩国、中国台湾，单一区域产能受限，全球供应弹性下降；

• 物流与成本上升：地缘冲突导致原材料、运输、能源成本上升，间接推高芯片价格、压缩供应弹性。

四、国产替代加速：长鑫 / 长江存储突破，填补国内空白

全球存储芯片供需紧张、价格高企，为中国存储产业提供了加速国产替代的战略机遇：

• 长鑫科技：国内唯一 DRAM 量产企业，19nm DRAM 良率提升至 90%，产能稳步扩张，已进入国内主流服务器、PC 厂商供应链；

• 长江存储：3D NAND 技术达到国际一流水平，232 层 NAND 量产良率超 95%，产能持续释放，打破海外垄断；

• 政策支持：国家大基金、地方产业基金持续加码，支持存储芯片技术研发、产能建设、生态完善，加速缩小与国际巨头差距。

五、产业展望：高景气周期延续，AI 成长期增长核心

高盛预测，2026 年全球半导体销售额将突破 1 万亿美元，存储芯片占比超 25%，成为增长最快、利润最高的细分领域36氪。短期看，供需失衡、价格上行趋势至少延续至 2027 年底；长期看，AI 算力需求将成为存储产业增长的核心驱动力，HBM、高容量 DRAM、企业级 SSD 市场空间持续扩大。

在全球供应链重构、技术竞争加剧的背景下，存储芯片不仅是数字经济的 “粮食”，更是国家科技安全与产业竞争力的关键。中国存储产业需抓住机遇，持续突破技术瓶颈、扩大产能、完善生态，实现从 “跟随” 到 “并跑” 再到 “领跑” 的跨越。