请登录

免费注册
全部商品
电子元器件
方案中心
工业品
PDF资料
购物车 0
上传BOM

产品分类

找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

会员中心
购物车
技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

WTC2306A

型号：

WTC2306A

描述：

N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ]

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

6 页

PDF大小：

1194 K

下载PDF手册
WTC2306A  
N-Channel Enhancement  
Mode Power MOSFET  
DRAIN CURRENT  
5 AMPERES  
DRAIN  
3
DRAIN SOURCE VOLTAGE  
30 VOLTAGE  
1
GATE  
2
SOURCE  
Features:  
3
1
*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)  
RDS(ON)<30mΩ@VGS=10V  
2
*Rugged and Reliable  
*Simple Drive Requirement  
*SOT-23 Package  
SOT-23  
Maximum Ratings(TA=25℃ Unless Otherwise Specified)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
VDS  
VGS  
V
±12  
5
Continuous Drain Current 3  
,VGS@4.5V(TA  
,VGS@4.5V(TA  
ID  
A
4
1,2  
Pulsed Drain Current  
20  
IDM  
PD  
Total Power Dissipation(TA=25  
)
1.38  
90  
W
˚C/W  
˚C  
˚C  
Maximum Thermal Resistance Junction-ambient 3  
RθJA  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55~+150  
TJ, Tstg  
Device Marking  
WTC2306A=2306A  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
13-May-05  
1/6  
WTC2306A  
Electrical Characteristics(TA = 25℃ Unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Static  
Drain-Source Breakdown Voltage  
30  
0.5  
-
-
-
-
-
-
-
1.2  
±100  
1
V(BR)DSS  
VGS(Th)  
IGSS  
VGS=0,ID=250μA  
V
Gate-Source Threshold Voltage  
VDS=VGS,ID=250μA  
Gate-Source Leakage Current  
VGS=±20V  
nA  
μA  
Drain- Source Leakage Current(Tj=25˚C)  
VDS=30V,VGS=0  
-
IDSS  
Drain- Source Leakage Current(Tj=70˚C)  
VDS=24V,VGS=0  
-
25  
Drain-Source On-Resistance  
VGS=10V,I =5A  
D
-
-
-
-
-
-
-
-
30  
35  
50  
90  
VGS=4.5V,I  
VGS=2.5V,I  
VGS=1.8V,I  
D
D
D
=5A  
RDS(on)  
Ω
m
=2.6A  
=1.0A  
Forward Transconductance  
VDS=5V,ID=5A  
-
13  
-
S
gfs  
Dynamic  
Input Capacitance  
-
-
-
660  
90  
1050  
Ciss  
Coss  
Crss  
VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz  
Output Capacitance  
pF  
-
-
VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz  
70  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
2/6  
13-May-05  
WTC2306A  
Switching  
Turn-on Delay Time2  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
td(on)  
6
VDS=15V,VGS=10V,ID=5A,RD=3Ω,RG=3.3Ω  
Rise Time  
20  
t
r
VDS=15V,VGS=10V,ID=5A,RD=3Ω,RG=3.3Ω  
ns  
Turn-o ff Delay Time  
VDS=15V,VGS=10V,ID=5A,RD=3Ω,RG=3.3Ω  
-
td (off)  
20  
Fall Time  
-
t
f
3
VDS=15V,VGS=10V,ID=5A,RD=3Ω,RG=3.3Ω  
Total Gate Charge 2  
VDS=16V,VGS=4.5,ID=5.0A  
15  
-
8.7  
1.5  
Qg  
Qgs  
Qgd  
Gate-Source Charge  
VDS=16V,VGS=4.5,ID=5.0A  
nC  
Gate-Drain Change  
VDS=16V,VGS=4.5,ID=5.0A  
3.2  
-
Source-Drain Diode Characteristics  
Forward On Voltage2  
-
-
-
-
14  
7
1.2  
V
VSD  
V
GS=0,I =1.2A  
S
Reverse Recovery Time2  
-
-
T
rr  
nS  
VGS=0,IS=5A,dl/dt=100A/ s  
Reverse Recovery Charge  
VGS=0,IS=5A,dl/dt=100A/ s  
Q
nC  
rr  
Note: 1. Pulse width limited by Max, junction temperature.  
≦
≦
2. pulse width 300μs, duty cycle 2%.  
3. Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board; 270℃/W when mounted on min, copper pad.  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
3/6  
13-May-05  
WTC2306A  
80  
50  
40  
30  
20  
5.0V  
°
°
T =25 C  
A
T =125 C  
A
4.5V  
4.0V  
5.0V  
60  
40  
4.5V  
4.0V  
VG=2.5V  
VG=2.5V  
20  
0
10  
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
8
VDS ,Drain-to-source Voltage(V)  
VDS ,DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE(V)  
Fig.2 Typical Output Characteristics  
FIG.1 Typical Output Characteristics  
100  
1.8  
ID = 5.3A  
TA = 25°C  
ID = 5.3A  
VG = 4.5V  
1.6  
1.4  
80  
60  
1.2  
1.0  
40  
20  
0.8  
0.6  
-50  
0
50  
100  
150  
1
3
5
7
9
11  
VGS ,Gate-to-source Voltage(V)  
Tj ,Junction Temperature(°C)  
Fig.3 On-Resistance v.s. Gate Voltage  
Fig.4 Normalized OnResistance  
1.6  
10  
1.4  
1.2  
Tj = 150°C  
1
1.0  
0.8  
Tj = 25°C  
0.1  
0.6  
0.4  
0.2  
0.01  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
-50  
0
50  
100  
150  
Tj ,Junction Temperature(°C)  
VDS ,Source-to-Drain Voltage(V)  
Fig.6 Gate Threshold Voltage v.s.  
Junction Temperature  
Fig.5 Forward Characteristics of  
Reverse Diode  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
4/6  
13-May-05  
WTC2306A  
10000  
14  
f = 1.0MHz  
12  
ID = 5A  
VDS = 16V  
10  
1000  
100  
Ciss  
8
6
4
Crss  
Coss  
2
0
10  
1
5
9
13  
17  
21  
25  
29  
0
5
10  
15  
20  
25  
VDS, Drain-to-Source Voltage(V)  
QG , Total Gate Charge(nC)  
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics  
Fig 7. Gate Charge Characteristics  
100  
10  
1
Duty factor = 0.5  
0.2  
0.1  
0.1  
0.05  
1ms  
1
PDM  
t
0.01  
10ms  
0.01  
T
0.1  
100ms  
Duty factor = t / T  
Peak Tj=PDM x Rθja + Ta  
Rθja=270°C / W  
TA = 25°C  
Single pulse  
Is  
Single Pulse  
DC  
0.001  
0.0001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1
10  
100  
1000  
0.001  
0.01  
0.1  
VDS , Drain-to-Source Voltage(V)  
t, Pulse Width(s)  
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance  
Fig 9. Maximum Safe Operation Area  
VG  
VDS  
90%  
QG  
4.5V  
QGD  
QGS  
10%  
VGS  
td(on) tr  
td(off) tf  
Q
Charge  
Fig.12 Gate Charge Waveform  
Fig 11. Switching Time Circuit  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
5/6  
13-May-05  
WTC2306A  
SOT-23 Outline Dimension  
SOT-23  
A
Dim  
A
B
C
D
Min  
0.35  
1.19  
2.10  
0.85  
0.46  
1.70  
2.70  
0.01  
0.89  
0.30  
0.076  
Max  
0.51  
1.40  
3.00  
1.05  
1.00  
2.10  
3.10  
0.13  
1.10  
0.61  
0.25  
B
C
TOP VIEW  
E
D
G
G
H
J
K
L
E
H
K
L
M
J
M
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
6/6  
13-May-05  
厂商 型号 描述 页数 下载

WEITRON

 		WTC1333 表面贴装P沟道增强型MOSFET[ Surface Mount P-Channel Enhancement Mode MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2172BL [ Transistor ] 5 页

WEITRON

 		WTC2301 P沟道增强型功率MOSFET[ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2301_10 P沟道增强型功率MOSFET[ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302 N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302-G [ Transistor ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302A [ Transistor ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302_09 N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2303 P沟道增强型功率MOSFET[ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2303-G [ Transistor ] 6 页

购物指南

支付方式

配送服务

售后服务

发票须知

优惠券使用规则

特色服务

PCBA制造

国产品牌推荐

国产料号替代

质量保证

技术资料

行业资讯

关于我们

关于壹壹捌

联系我们

联系我们

服务热线：400-618-9990

企业邮箱：sales@ic118.com

服务时间：周一至周六 8:30-17:30

壹壹捌官方微信号

PDF索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

深圳网络警察报警平台
公共信息安全网络监察
经营性网站备案信息
不良信息举报中心
工商网监电子标识
全国公安机关备案
0.189573s