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WTC2302_09

型号：

WTC2302_09

描述：

N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ]

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

6 页

PDF大小：

818 K

下载PDF手册
WTC2302  
N-Channel Enhancement  
Mode Power MOSFET  
DRAIN CURRENT  
2.3 AMPERES  
DRAIN  
3
P b  
Lead(Pb)-Free  
DRAIN SOUCE VOLTAGE  
20 VOLTAGE  
1
GATE  
2
Features:  
SOURCE  
3
*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)  
RDS(ON) <60m Ω@VGS =4.5V  
*Rugged and Reliable  
1
2
*Simple Drive Requirement  
*SOT-23 Package  
SOT-23  
Maximum Ratings(TA=25℃ Unless Otherwise Specified)  
Rating  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
ID  
V
±±  
Continuous Drain Current 3  
2.3  
(TA  
A
A
1, 2  
Pulsed Drain Current  
±
0.9  
IDM  
PD  
°C  
Total Power Dissipation (TA=25  
Maximum Junction-ambient3  
)
W
145  
°C/W  
°C  
RθJA  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55~+150  
TJ, Tstg  
Device Marking  
WTC2302 = N02  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
Rev.B 24-Aug-09  
1/6  
WTC2302  
Electrical Characteristics(TA = 25℃ Unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Static  
Drain-Source Breakdown Voltage  
20  
0.6  
-
-
-
-
-
V(BR)DSS  
VGS(Th)  
IGSS  
VGS=0,ID=-10μA  
V
Gate-Source Threshold Voltage  
VDS=VGS,ID=250μA  
1.2  
Gate-Source Leakage Current  
±100  
nA  
μA  
VGS= ±8V  
Drain-Source Leakage Current(Tj=25℃)  
VDS=9.6V,VGS=0  
IDSS  
-
-
-1  
Drain-Source On-Resistance  
VGS=4.5V,ID=2.8A  
RDS(on)  
mΩ  
-
-
40  
50  
60  
115  
VGS=2.5V,ID=2.0A  
Forward Transconductance  
VDS=5V,ID=4.0A  
-
6.5  
-
S
gfs  
Dynamic  
Input Capacitance  
-
-
-
427.12  
80.56  
57  
-
-
-
Ciss  
Coss  
Crss  
VGS=0V,VDS=6V,f=1.0MHz  
Output Capacitance  
pF  
VGS=0V,VDS=6V,f=1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
VGS=0V,VDS=6V,f=1.0MHz  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
2/6  
Rev.B 24-Aug-09  
WTC2302  
Switching  
Turn-on Delay Time2  
-
-
-
-
-
-
-
6.16  
7.56  
16.61  
4.07  
3.69  
0.7  
-
-
-
-
-
-
-
td(on)  
VDD=6V,VGEN =4.5V,ID =1.0A,RL=6Ω,RG=6Ω  
Rise Time  
t
r
VDD=6V,VGEN =4.5V,ID =1.0A,RL=6Ω,RG=6Ω  
ns  
Turn-off Delay Time  
td (off)  
VDD=6V,VGEN =4.5V,ID =1.0A,RL=6Ω,RG=6Ω  
Fall Time  
t
f
VDD=6V,VGEN =4.5V,ID =1.0A,RL=6Ω,RG=6Ω  
Total Gate Charge2  
Qg  
Qgs  
Qgd  
VDS=6V,VGS=4.5V,ID=2.8A  
Gate-Source Charge  
nC  
VDS=6V,VGS=4.5V,ID=2.8A  
Gate-Drain Change  
1.06  
VDS=6V,VGS=4.5V,ID=2.8A  
Source-Drain Diode Characteristics  
Forward On Voltage2  
VGS=0V,IS=-1.6A  
-
-
1.2  
V
VSD  
1.6  
Continuous Source Current(Body Diode)  
-
-
IS  
A
Note: 1. Pulse width limited by Max, junction temperature.  
≦
≦
2. pulse width 300μs, duty cycle 2%.  
3. Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board; 270℃/W when mounted on min, copper pad.  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
Rev.B 24-Aug-09  
3/6  
WTC2302  
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
16  
14  
12  
10  
8
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
Vds=5V  
25°C  
Vgs=2.5V  
Vgs=2V  
25°C  
6
6
4
Vgs=1.5V  
4
2
2
0
0
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
4.5  
5
Vgs, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE(V)  
Vds,DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE(V)  
Figure 1. Transfer Characteristics  
Figure 2. On–Region Characteristics  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
500  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
VGS=1.8V  
ID=3.5A  
VGS=2.5V  
VGS=4.5V  
7
0
0
0
1
2
3
4
5
6
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
ID-Drain Current(A)  
Vgs-Gate-to-Source Voltage(V)  
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current  
Figure 4. On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
4/6  
Rev.B 24-Aug-08  
WTC2302  
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
12  
10  
8
Ciss  
6
Coss  
Crss  
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10  
12  
Vds  
Qgs(nC)  
Figure 6. Capacitance  
Figure 5. Gate Charge  
70  
1.2  
1
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
ID=250uA  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
VGS=4.5V ID=2A  
-50  
0
50  
100  
150  
-50  
0
50  
100  
150  
Temp(ºC)  
Temp(ºC)  
Figure 8. Vth Vs.Junction Temperature  
Figure 7. On-Resistance Vs.Junction Temperature  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
5/6  
Rev.B 24-Aug-09  
WTC2302  
SOT-23 Outline Dimension  
SOT-23  
A
Dim  
A
B
C
D
Min  
0.35  
1.19  
2.10  
0.85  
0.46  
1.70  
2.70  
0.01  
0.89  
0.30  
0.076  
Max  
0.51  
1.40  
3.00  
1.05  
1.00  
2.10  
3.10  
0.13  
1.10  
0.61  
0.25  
B
C
TOP VIEW  
E
D
G
G
H
J
K
L
E
H
K
L
M
J
M
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
6/6  
Rev.B 24-Aug-09  
厂商 型号 描述 页数 下载

WEITRON

 		WTC1333 表面贴装P沟道增强型MOSFET[ Surface Mount P-Channel Enhancement Mode MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2172BL [ Transistor ] 5 页

WEITRON

 		WTC2301 P沟道增强型功率MOSFET[ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2301_10 P沟道增强型功率MOSFET[ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302 N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302-G [ Transistor ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302A [ Transistor ] 6 页

WEITRON

 		WTC2303 P沟道增强型功率MOSFET[ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2303-G [ Transistor ] 6 页

WEITRON

 		WTC2304 N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

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