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WTC1333

型号：

WTC1333

描述：

表面贴装P沟道增强型MOSFET[ Surface Mount P-Channel Enhancement Mode MOSFET ]

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

6 页

PDF大小：

3013 K

下载PDF手册
WTC1333  
Surface Mount P-Channel  
Enhancement Mode MOSFET  
DRAIN CURRENT  
-550m AMPERES  
DRAIN  
3
DRAIN SOURCE VOLTAGE  
-20 VOLTAGE  
1
GATE  
Features:  
*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)  
RDS(ON)<600mΩ@VGS=-10V  
*Simple Gate Drive  
2
SOURCE  
3
1
*Small package Outline  
2
*Fast Switching Speed  
*SOT-23 Package  
SOT-23  
Description  
*Designer with best combination of fast switching  
*Low on-resistance  
*Cost-effectiveness  
Maximum Ratings(TA=25 C Unless Otherwise Specified)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
-20  
V
±12  
Continuous Drain Current3  
,(TA=25˚C)  
,(TA=70˚C)  
-550  
-440  
ID  
mA  
Pulsed Drain Current1,2  
2.5  
1.0  
IDM  
Total Power Dissipation(TA=25˚C)  
PD  
RθJA  
W
˚C/W  
˚C  
Maximum Thermal Resistace Junction-ambient  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
125  
- 55~+150  
TJ,Tstg  
Device Marking  
WTC1333=1333  
1/6  
17-Jun-05  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
WTC1333  
Electrical Characteristics(TA = 25℃ Unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Static  
Drain-Source Breakdown Voltage  
-20  
-
-
-
-
-
-
BVDSS  
VGS(Th)  
IGSS  
VGS=0,ID=-250μA  
V
Gate-Source Threshold Voltage  
-0.5  
-1.2  
±100  
-1  
VDS=VGS,ID=-250μA  
Gate-Source Leakage current  
VGS=±12V  
-
-
-
nA  
Drain-SourceLeakage Current(Tj=25˚C)  
VDS=-20V,VGS=0  
IDSS  
μA  
Drain-SourceLeakage Current(Tj=70˚C)  
VDS=-16V,VGS=0  
-10  
Drain-SourceOn-Resistance  
VGS=-10V,ID=-550mA  
VGS=-4.5V,ID=-500mA  
VGS=-2.5V,ID=-300mA  
-
-
-
-
-
-
600  
800  
1000  
RDS(on)  
mΩ  
Forward Transconductance  
VDS=-5V,ID=-550mA  
gfs  
-
1
-
S
Dynamic  
Input Capacitance  
-
-
-
66  
25  
20  
105.6  
Ciss  
Coss  
Crss  
VGS=0V,VDS=-10V,f=1.0MHz  
Output Capacitance  
VGS=0V,VDS=-10V,f=1.0MHz  
pF  
-
-
Reverse Transfer Capacitance  
VGS=0V,VDS=-10V,f=1.0MHz  
2/6  
17-Jun-05  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
WTC1333  
Switching  
Turn-on Delay Time2  
-
-
-
-
-
-
-
5
8
-
td(on)  
VDS=-10V,VGS=-5V,ID=-500mA,RD=20Ω,RG=3.3Ω  
Rise Time  
-
tr  
VDS=-10V,VGS=-5V,ID=-500mA,RD=20Ω,RG=3.3Ω  
ns  
Turn-off Delay Time  
VDS=-10V,VGS=-5V,ID=-500mA,RD=20Ω,RG=3.3Ω  
td(off)  
10  
2
-
-
Fall Time  
tf  
VDS=-10V,VGS=-5V,ID=-500mA,RD=20Ω,RG=3.3Ω  
Total Gate Charge2  
1.7  
0.3  
0.4  
2.7  
-
Qg  
VDS=-16V,VGS=-4.5V,ID=-500mA  
Gate-Source Charge  
VDS=-16V,VGS=-4.5V,ID=-500mA  
Qgs  
nC  
Gate-Source Change  
VDS=-16V,VGS=-4.5V,ID=-500mA  
Qgd  
-
Source-Drain Diode Characteristics  
Forward On Voltage2  
VGS=0V,IS=-300mA  
-
-
-1. 2  
V
VSD  
Note: 1. Pulse width limited by Max, junction temperature.  
2. Pulse width ≤ 300μs, duty cycle ≤ 2%.  
3. Surface mounted on FR4 board, t ≤ 10sec.  
3/6  
17-Jun-05  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
WTC1333  
2.5  
2.5  
2.0  
1.5  
-5.0V  
-4.5V  
-5.0V  
-4.5V  
-3.5V  
2.0  
1.5  
°
T =25 C  
A
°
T =150 C  
A
-3.5V  
-2.5V  
-2.5V  
1.0  
1.0  
VG=-2.0V  
VG=-2.0V  
0.5  
0.0  
0.5  
0.0  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
VDS ,Drain-to-source Voltage(V)  
-VDS ,DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE(V)  
Fig.2 Typical Output Characteristics  
FIG.1 Typical Output Characteristics  
1400  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
ID = -0.3A  
TA = 25˚C  
ID = -0.5A  
VG = -4.5V  
1200  
1000  
800  
600  
0.8  
0.6  
400  
200  
-50  
0
50  
100  
150  
1
4
7
10  
-VGS ,Gate-to-source Voltage(V)  
Tj ,Junction Temperature(˚C)  
Fig.3 On-Resistance v.s. Gate Voltage  
Fig.4 Normalized OnResistance  
1.0  
0.8  
2.0  
1.5  
1.0  
0.6  
0.4  
T = 150˚C  
Tj = 25˚C  
j
0.5  
0.0  
0.2  
0.0  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
1.2  
-50  
0
50  
100  
150  
Tj ,Junction Temperature(˚C)  
-VDS ,Source-to-Drain Voltage(V)  
Fig.6 Gate Threshold Voltage v.s.  
Junction Temperature  
Fig.5 Forward Characteristics of  
Reverse Diode  
WEITRON  
4/6  
17-Jun-05  
http://www.weitron.com.tw  
WTC1333  
12  
100  
f = 1.0MHz  
Ciss  
I D = -0.5A  
10  
8
VDS = -16V  
6
Coss  
Crss  
4
2
0
10  
1
3
5
7
9
11  
0
1
2
3
4
-VDS, Drain-to-Source Voltage(V)  
QG , Total Gate Charge(nC)  
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics  
Fig 7. Gate Charge Characteristics  
1
10  
Duty factor = 0.5  
100us  
0.2  
1
0.1  
0.05  
0.1  
PDM  
t
1ms  
0.02  
T
0.1  
Duty factor = t / T  
0.01  
10ms  
Peak Tj=PDM x Rθ ja + Ta  
TA = 25˚C  
Single Pulse  
100ms  
DC  
Single pulse  
0.01  
0.01  
0.0001  
0.1  
1
10  
100  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
-VDS , Drain-to-Source Voltage(V)  
t, Pulse Width(s)  
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance  
Fig 9. Maximum Safe Operation Area  
VG  
VDS  
90%  
QG  
-4.5V  
QGD  
QGS  
10%  
VGS  
td(on) tr  
td(off) tf  
Q
Charge  
Fig.12 Gate Charge Waveform  
Fig 11. Switching Time Circuit  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
5/6  
17-Jun-05  
WTC1333  
Unit:mm  
SOT-23 Outline Dimension  
SOT-23  
A
Dim  
A
B
C
D
Min  
0.35  
1.19  
2.10  
0.85  
0.46  
1.70  
2.70  
0.01  
0.89  
0.30  
0.076  
Max  
0.51  
1.40  
3.00  
1.05  
1.00  
2.10  
3.10  
0.13  
1.10  
0.61  
0.25  
B
C
TOP VIEW  
E
D
G
G
H
J
K
L
E
H
K
L
M
J
M
6/6  
17-Jun-05  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
厂商 型号 描述 页数 下载

WEITRON

 		WTC2172BL [ Transistor ] 5 页

WEITRON

 		WTC2301 P沟道增强型功率MOSFET[ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2301_10 P沟道增强型功率MOSFET[ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302 N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302-G [ Transistor ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302A [ Transistor ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302_09 N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2303 P沟道增强型功率MOSFET[ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2303-G [ Transistor ] 6 页

WEITRON

 		WTC2304 N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

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