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WTC2305-G

型号：

WTC2305-G

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

6 页

PDF大小：

798 K

下载PDF手册
WTC2305  
P-Channel Enhancement  
Mode Power MOSFET  
DRAIN CURRENT  
-4.2 AMPERES  
DRAIN  
3
DRAIN SOURCE VOLTAGE  
-20 VOLTAGE  
* “G” Lead(Pb)-Free  
1
GATE  
2
Features:  
SOURCE  
3
*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)  
RDS(ON)<53m Ω@VGS=10V  
*Rugged and Reliable  
1
2
*Simple Drive Requirement  
*SOT-23 Package  
SOT-23  
Applications  
*Power Management in Notebook Computer  
*Portable Equipment  
*Battery Powered System  
Maximum Ratings(TA=25℃ Unless Otherwise Specified)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current  
-20  
VDS  
VGS  
V
±12  
-4.2  
-3.4  
-10  
3 ,(TA  
,(TA  
ID  
A
1,2  
Pulsed Drain Current  
IDM  
PD  
Total Power Dissipation(TA=25˚C)  
1.38  
90  
W
˚C/W  
˚C  
Maximum Thermal Resistance Junction-ambient3  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
RθJA  
-55~+150  
TJ,Tstg  
Device Marking  
WTC2305=2305  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
16-May-05  
1/6  
WTC2305  
Electrical Characteristics(TA = 25℃ Unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Static  
Drain-Source Breakdown Voltage  
-20  
V(BR)DSS  
VGS(Th)  
IGSS  
-
-
-
-
-
-
-
VGS=0,ID=-250μA  
V
Gate-Source Threshold Voltage  
-0.5  
VDS=VGS,ID=-250  
μA  
Gate-Source Leakage Current  
VGS= ±12V  
±100  
-1  
-
-
-
nA  
μA  
Drain- Source Leakage Current(Tj=25˚C)  
VDS=-20V,VGS =0  
IDSS  
Drain- Source Leakage Current(Tj=70˚C)  
VDS=-16V,VGS =0  
-10  
Drain-Source On-Resistance 2  
VGS=-10V,ID=-4.5A  
VGS=-4.5V,ID=-4.2A  
VGS=-2.5V,ID=-2.0A  
VGS=-1.8V,ID=-1.0A  
RDS(on)  
-
-
-
-
-
-
53  
65  
mΩ  
S
100  
250  
-
-
Forward Transconductance  
VDS=-5.0V, ID=-2.8A  
-
9
-
gfs  
Dynamic  
Input Capacitance  
-
-
-
-
-
-
740  
167  
126  
Ciss  
Coss  
Crss  
VGS=0V,VDS=-15V,f=1.0MHz  
Output Capacitance  
VGS=0V,VDS=-15V,f=1.0MHz  
pF  
Reverse Transfer Capacitance  
VGS=0V,VDS=-15V,f=1.0MHz  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
2/6  
16-May-05  
WTC2305  
Switching  
Turn-on Delay Time2  
-
-
-
-
-
-
-
5.9  
3.6  
-
td(on)  
VDS=-15V,VGS=-10V,ID=-4.2A,RD=3.6Ω,RG=6Ω  
Rise Time  
-
t
r
VDS=-15V,VGS=-10V,ID=-4.2A,RD=3.6Ω,RG=6Ω  
ns  
Turn-off Delay Time  
VDS=-15V,VGS=-10V,ID=-4.2A,RD=3.6Ω,RG=6Ω  
32.4  
2.6  
-
td (off)  
Fall Time  
-
t
f
VDS=-15V,VGS=-10V,ID=-4.2A,RD=3.6Ω,RG=6Ω  
Total Gate Charge 2  
-
-
-
Qg  
Qgs  
Qgd  
10.6  
2.32  
VDS=-16V,VGS=-4.5V,ID=-4.2A  
Gate-Source Charge  
nC  
VDS=-16V,VGS=-4.5V,ID=-4.2A  
Gate-Drain Change  
3.68  
VDS=-16V,VGS=-4.5V,ID=-4.2A  
Source-Drain Diode Characteristics  
Forward On Voltage 2  
-
-
-
-
- 1.2  
VSD  
V
VGS =0V,IS=-1.2A,@Tj=25C  
Reverse Recovery Time  
27.7  
22  
-
-
T
ns  
nC  
rr  
V
GS=0,I  
S
=-4.2A,dl/dt=100A/µs  
Reverse Recovery Charge  
Q
rr  
V
GS=0,I  
S
=-4.2A,dl/dt=100A/µs  
Note: 1. Pulse width limited by Max, junction temperature.  
≦
≦
2. pulse width 300μs, duty cycle 2%.  
3. Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board; 270℃/W when mounted on min, copper pad.  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
3/6  
16-May-05  
WTC2305  
40  
36  
32  
28  
24  
20  
16  
12  
8
°
°
T =150 C  
A
T
A
=25 C  
= -5V  
= -4V  
= -5V  
= -4V  
30  
20  
= -3V  
= -3V  
10  
0
V = -2V  
V = -2V  
G
G
4
0
0
2
4
6
8
10  
0
2
4
6
8
-VDS ,Drain-to-source Voltage(V)  
-VDS ,DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE(V)  
Fig.2 Typical Output Characteristics  
FIG.1 Typical Output Characteristics  
160  
1.8  
ID = -4.2A  
TA = 25°C  
ID = -4.2A  
VGS = -4.5V  
1.6  
1.4  
120  
80  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
40  
-50  
0
50  
100  
150  
0
1
2
3
4
5
6
-VGS ,Gate-to-source Voltage(V)  
Tj ,Junction Temperature(°C)  
Fig.3 On-Resistance v.s. Gate Voltage  
Fig.4 Normalized On-Resistance  
100  
10  
1.5  
Tj = 150°C  
1
1
Tj = 25°C  
0.5  
0
0.1  
0.01  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
-50  
0
50  
100  
150  
-VDS ,Source-to-Drain Voltage(V)  
Tj ,Junction Temperature(°C)  
Fig.5 Forward Characteristics of  
Reverse Diode  
Fig.6 Gate Threshold Voltage v.s.  
Junction Temperature  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
16-May-05  
4/6  
WTC2305  
12  
10000  
1000  
f = 1.0MHz  
ID = -4.2A  
10  
VDS = -16V  
8
Ciss  
6
4
2
0
Coss  
Crss  
100  
10  
1
5
9
13  
17  
21  
25  
29  
0
5
10  
15  
20  
25  
-VDS, Drain-to-Source Voltage(V)  
QG , Total Gate Charge(nC)  
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics  
Fig 7. Gate Charge Characteristics  
100  
10  
1
Duty factor = 0.5  
0.2  
0.1  
0.1  
0.05  
1ms  
1
0.01  
PDM  
t
10ms  
0.01  
T
0.1  
100ms  
Duty factor = t / T  
Peak Tj=PDM x Rθja + Ta  
Rθja=270°C / W  
TA = 25°C  
Single pulse  
Is  
Single Pulse  
DC  
0.001  
0.0001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
-VDS , Drain-to-Source Voltage(V)  
t, Pulse Width(s)  
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance  
Fig 9. Maximum Safe Operation Area  
RD  
TO THE  
OSCILLOSCOPE  
VDS  
D
TO THE  
OSCILLOSCOPE  
V
DS  
D
S
G
RG  
G
0.75x RATED VDS  
0.8x RATED VDS  
S
VGS  
-10V  
-1~3mA  
VGS  
ID  
IG  
Fig 11. Switching Time Circuit  
Fig.12 Gate Charge Circuit  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
5/6  
16-May-05  
WTC2305  
SOT-23 Outline Dimension  
SOT-23  
A
Dim  
A
B
C
D
Min  
0.35  
1.19  
2.10  
0.85  
0.46  
1.70  
2.70  
0.01  
0.89  
0.30  
0.076  
Max  
0.51  
1.40  
3.00  
1.05  
1.00  
2.10  
3.10  
0.13  
1.10  
0.61  
0.25  
B
C
TOP VIEW  
E
D
G
G
H
J
K
L
E
H
K
L
M
J
M
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
6/6  
16-May-05  
厂商 型号 描述 页数 下载

WEITRON

 		WTC1333 表面贴装P沟道增强型MOSFET[ Surface Mount P-Channel Enhancement Mode MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2172BL [ Transistor ] 5 页

WEITRON

 		WTC2301 P沟道增强型功率MOSFET[ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2301_10 P沟道增强型功率MOSFET[ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302 N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302-G [ Transistor ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302A [ Transistor ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302_09 N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2303 P沟道增强型功率MOSFET[ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2303-G [ Transistor ] 6 页

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