重大突破！长鑫、长江存储正式进入全球供应链，国产存储告别“卡脖子”

发布时间：昨天 17:56

类别：行业动态

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【科创板日报 记者 陈悦 2026年2月24日】国产存储产业迎来里程碑式突破，技术攻坚与供应链拓展实现双重跨越。2月24日，行业权威消息显示，长鑫存储、长江存储两大国产存储龙头企业，已成功切入全球主流供应链，产品覆盖手机、笔记本、服务器等多场景，部分产品甚至获得苹果等国际巨头的合作青睐。此次突破标志着国产存储彻底摆脱“低端代工”标签，从“能用”迈向“好用”，逐步打破三星、SK海力士、美光三大巨头的全球垄断，国产存储国产化率持续攀升，为我国半导体产业链自主可控奠定坚实基础。

长鑫存储：技术迭代+资质认证，全面跻身全球主流供应链

作为国产DRAM内存的核心龙头，长鑫存储近期迎来多项关键突破，技术实力与市场认可度双提升，成功打通全球供应链通道。据悉，长鑫存储17nm DDR5内存已实现大规模量产，良率稳定在80%以上，部分高端型号良率甚至达到95%以上，性能与三星、美光等国际一线品牌的差距缩小至5%以内，完全满足手机、笔记本、服务器等主流终端产品的性能需求，目前已正式进入小米、OPPO、vivo等国内头部手机厂商供应链，同时切入戴尔、联想等PC厂商的服务器内存供应体系，实现多场景规模化应用。

在高端赛道布局上，长鑫存储的HBM3高带宽内存样品已完成客户送测，预计2026年实现小批量量产，这是国产存储首次切入AI高端存储赛道，将有效缓解我国AI服务器对进口HBM内存的依赖，为国产AI产业发展提供核心支撑。值得关注的是，2026年1月，长鑫存储成功入选科睿唯安发布的“全球百强创新机构”榜单，成为中国大陆唯一上榜的存储企业，填补了我国DRAM领域在全球顶尖创新榜单的空白，其专利质量、技术影响力获得全球行业认可，截至2025年上半年，长鑫已拥有5589项境内外专利，覆盖DRAM设计、制程、封装等全链条。

更令人振奋的是，彭博社最新报道显示，苹果正考虑引入长鑫存储作为内存供应商，目前长鑫已量产符合苹果规格的LPDDR5X芯片，该芯片速率达10667 Mbps，较前代提升66%，功耗显著降低，完全适配苹果iPhone、MacBook等高端终端产品的需求，若合作落地，将成为国产存储进入国际顶级供应链的重要标志。此外，长鑫存储正推进科创板IPO，计划募资295亿元用于先进DRAM技术研发与产能扩张，进一步提升全球市场竞争力。

长江存储：3D NAND技术追平国际，成本优势凸显

在NAND闪存领域，长江存储同样实现重大突破，凭借自主研发的Xtacking架构，其294层3D NAND闪存已实现稳定量产，良率超90%，连续读写速度超7000MB/s，技术水平完全追平三星、铠侠等国际第一梯队企业，比特密度接近每平方毫米19.8 Gb，面积效率逼近全球领先水平。与此同时，随着产能规模扩大与技术优化，长江存储3D NAND产品的单位成本大幅下降，相比国际同类产品具备明显的性价比优势，进一步提升了在全球市场的竞争力。

供应链布局方面，长江存储的3D NAND产品已广泛应用于消费电子、企业级存储等场景，进入阿里、腾讯、华为等国内互联网巨头的供应链，其企业级SSD产品凭借稳定的性能，获得市场高度认可。同样，苹果也在评估引入长江存储的NAND闪存产品，用于即将推出的iPhone 18系列及MacBook等产品，以此分散供应风险、缓解成本压力——当前苹果主要依赖三星、铠侠等供应商，在存储芯片价格暴涨背景下，国产存储的高性价比与稳定供货能力成为重要吸引力。

长江存储作为国内唯一3D NAND IDM企业，目前全球市占率已达8%，其首条全本土化NAND产线设备本土化率达45%，不仅实现自身技术突破，还带动了上游设备、材料等配套产业的发展，推动国产存储产业链协同升级。

国产替代加速：国产化率逼近40%，打破海外垄断格局

长鑫存储、长江存储的供应链突破，背后是国产存储产业的整体崛起，国产存储国产化率实现跨越式提升。数据显示，我国存储芯片国产化率已从2024年的25%提升至2026年的近40%，其中DRAM内存、3D NAND闪存的国产化率提升最为显著，彻底改变了此前国产存储“零自给率”的被动局面，打破了三星、SK海力士、美光三大巨头垄断全球95%以上存储市场的格局。

政策层面，工信部将高端存储芯片列为核心攻关方向，国家大基金三期持续注资扶持，地方政府也出台多项优惠政策，助力长鑫、长江等存储企业扩大产能、突破技术瓶颈。同时，国内终端厂商的支持也为国产存储提供了广阔的应用场景，小米、OPPO、阿里等企业优先采购国产存储产品，形成“技术研发—产能落地—场景应用”的良性循环。

业内人士表示，长鑫、长江存储进入全球供应链，不仅是企业自身的突破，更是国产存储产业从“跟跑”向“并跑”转型的重要标志。当前，全球存储芯片市场进入卖方市场，价格持续上涨，国产存储企业凭借技术突破、成本优势与稳定供货能力，有望进一步抢占全球市场份额，预计2027年国产存储市占率将突破45%，逐步实现从“替代进口”到“出口全球”的跨越。

行业展望：技术持续迭代，国产存储迎来黄金发展期

展望未来，长鑫存储、长江存储将持续加大研发投入，推进技术迭代升级。长鑫存储将重点推进HBM3量产落地，同时布局更先进的DRAM工艺，计划逐步停产生消费级DDR4，全力冲刺DDR5和HBM高端产品；长江存储则将持续优化3D NAND堆叠技术，推进更高层数的产品研发，进一步提升产品性能与性价比，同时布局HBM配套闪存研发，完善产品矩阵。

随着AI算力爆发、消费电子复苏、汽车智能化提速，存储芯片需求持续旺盛，为国产存储企业提供了广阔的发展空间。业内权威机构预测，2026年全球存储芯片市场规模将突破2000亿美元，国产存储企业有望凭借供应链优势与技术实力，在全球市场中占据更重要的位置，推动我国半导体产业实现高质量发展，彻底摆脱对进口存储芯片的依赖，实现存储领域的自主可控。