彻底反转！存储芯片全面进入卖方市场，HBM全线售罄，价格暴涨55%-60%

发布时间：昨天 17:18

类别：行业动态

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【科创板日报 记者 陈悦 2026年2月22日】全球存储芯片行业迎来历史性拐点，市场格局彻底反转。2月22日，全球存储巨头SK海力士在高盛全球投资者虚拟会议上正式官宣，2026年全球存储芯片已全面进入卖方市场，定价权彻底回归上游厂商，全年价格将持续走高，且没有任何一家客户能获得完全的需求满足。受AI算力爆发式增长与供给端刚性受限的双重驱动，DRAM、NAND闪存价格全年看涨，其中AI芯片核心配套的HBM（高带宽内存）已实现全线售罄，2026年全年产能分配完毕，新增订单无任何承接空间，全球“存储荒”正式升级，产业链上下游迎来深度重构。

重磅官宣：SK海力士定调卖方市场，HBM成“一芯难求”稀缺资源

作为全球第二大存储芯片厂商，SK海力士的表态直接引爆全球半导体产业链与资本市场。此次官宣中，SK海力士明确表示，当前全球存储芯片供需关系已彻底逆转，卖方市场格局将贯穿2026年全年，价格涨势不可逆转。这一消息传出后，全球存储芯片概念股集体冲高，SK海力士自身股价暴涨超6%，创下历史新高，三星电子、美光科技等同行股价同步走高，反映出市场对存储行业高景气度的强烈预期。

最引人关注的是HBM高带宽内存的供应现状——作为AI芯片的“黄金搭档”，HBM是本轮存储短缺潮的核心，目前已实现全线售罄，2026年全年产能已被全球头部客户提前锁定，产能分配全部完毕。SK海力士透露，不仅自身HBM产能告急，三星、美光两大巨头的2026年HBM产能也已售罄，三大厂商甚至开始与核心客户签订长达2-3年的长期供货合同，锁定未来产能，中小客户几乎没有“分一杯羹”的机会。

据悉，HBM价格也迎来暴涨，三星正在推进HBM4产品定价谈判，报价较上一代HBM3E最高上浮30%，单颗芯片定价逼近700美元，进一步凸显其稀缺性。业内人士表示，HBM的全线售罄，直接反映出AI算力需求的爆发式增长，也成为存储芯片进入卖方市场的核心标志。

供给端锁死：洁净室短缺成瓶颈，库存见底难扩产

此次存储芯片进入卖方市场，核心原因之一是供给端的刚性约束，行业产能被物理条件锁死，短期难以实现大幅扩产，而库存见底进一步加剧了供应紧张局面。SK海力士在会议上披露，当前公司DRAM与NAND闪存库存仅剩下约4周的正常周转水平，远低于行业安全库存线，且2026年全年库存水平还将持续下滑，作为行业头部厂商，其库存状态直接反映出全行业的供应告急。

供给端的核心瓶颈的是全行业洁净室空间不足。存储芯片生产对无尘环境要求极高，尤其是HBM等高端产品，需要ISO 1级洁净度（每立方米≥0.1μm颗粒≤10个），比手术室干净百倍，且需严格控温、控湿、控振动、控静电，建设难度极大。更关键的是，HBM采用3D堆叠+TSV工艺，单位产能占用的洁净室面积是普通DRAM的3倍以上，头部厂商纷纷将现有洁净室优先分配给高利润的HBM产品，进一步挤压了常规存储芯片的产能空间。

此外，洁净室建设周期长、投资大、技术壁垒高，新建一座高端存储芯片洁净室需投入巨额资金，且从规划到投产需要18-24个月，短期内无法新增有效产能。SK海力士、三星等巨头的新增产能计划，最早也要到2027年中才能投产，短期内供给能力无法提升，形成“需求爆发、供给锁死”的失衡格局，为价格上涨提供了坚实支撑。

需求端爆发：AI+边缘计算拉动，客户争抢产能推高价格

与供给端受限形成鲜明对比的是，需求端呈现爆发式增长，AI算力与边缘计算成为核心驱动力，直接拉动存储芯片需求激增，推动市场彻底转向卖方主导。当前，AI大模型的快速迭代与AI服务器的大规模部署，成为存储需求爆发的核心引擎——单台AI服务器对DRAM的需求是普通服务器的8-10倍，对NAND闪存的需求达3倍，而HBM作为AI芯片的核心内存组件，更是被AI巨头疯狂争抢。

谷歌、微软、英伟达等全球科技巨头，为扩建AI算力中心，纷纷提前锁定存储产能，直接挤压了消费电子等领域的产能空间。同时，边缘计算的快速发展，带动边缘设备对轻量化存储芯片的需求持续攀升，进一步放大了需求缺口。SK海力士透露，此前下游客户为争抢货源曾出现重复下单的情况，虽目前已趋于理性，但这种抢单心态也进一步推高了存储芯片价格。

权威机构数据印证了需求的火爆与价格的暴涨。TrendForce（集邦咨询）最新数据显示，2026年第一季度NAND闪存合约价涨幅已上调至55%-60%，远超此前市场预期；服务器端DRAM合约价环比涨幅更是逼近90%，部分高端型号单条价格突破4万元，创历史新高。高盛报告更是指出，2026年全球存储需求预计增长26%，但供应仅增长21%，DRAM供需缺口达4.9%，创下近15年来最严重短缺水平。

行业格局：三巨头垄断加剧，产业链连锁反应凸显

当前全球存储芯片市场呈现高度垄断格局，三星、SK海力士、美光三大厂商占据全球95%以上的DRAM市场份额，以及近90%的NAND闪存市场份额，供给调整节奏完全被三大巨头掌控。此次进入卖方市场后，三大巨头的议价能力进一步提升，纷纷将核心产能向HBM、DDR5等高附加值产品倾斜，大幅压缩手机用LPDDR、消费级DDR4等低利润产品的产能，进一步加剧了中低端存储芯片的供应缺口。

存储芯片的涨价狂潮，正沿产业链层层传导，引发一系列连锁反应。下游消费电子行业承受巨大成本压力，PC、笔记本厂商集体上调售价，部分中低端智能手机因存储成本激增，被迫取消512GB版本或缩减内存规格，甚至有低端机型因成本过高面临淘汰风险。Counterpoint数据显示，2026年全球智能手机出货量预计同比下降2%，笔记本电脑第一季度出货量可能减少14.8%，存储成本上涨成为重要拖累因素。

不过，行业高景气度也为国产存储厂商带来历史性机遇。长鑫存储在DRAM领域实现技术突破，2026年出货量预计同比增长50%，市场份额有望提升至5%以上；长江存储在NAND闪存领域稳步发力，持续提升市场份额，国内存储模组厂商如江波龙、佰维存储等，业绩也迎来显著改善，在全球存储格局重构中抢占先机。

未来展望：短缺持续至2028年，涨价周期贯穿全年

业内权威机构普遍预测，此次存储芯片卖方市场格局将持续较长时间，供需失衡的局面难以快速缓解。美光科技公开表示，2028年前存储芯片短缺情况难以缓解；瑞银则预测，DRAM供应紧张将持续至2027年底，NAND闪存紧缺持续至2027年第一季度，且2026年全年存储芯片价格将保持上涨态势，只是涨幅可能随需求节奏有所收敛。

对于上游存储厂商而言，卖方市场带来的定价权提升，将推动企业营收与利润大幅增长，进一步加大研发投入，加速HBM4等高端产品的技术迭代与产能扩张。对于下游终端厂商而言，需主动调整产品结构，优化库存管理，通过长期合约锁定产能，缓解成本压力。对于国产存储产业而言，此次行业机遇将加速国产替代进程，推动长鑫存储、长江存储等企业进一步缩小与国际巨头的差距，逐步打破海外垄断。

业内专家表示，此次存储芯片进入卖方市场，并非短期周期性反弹，而是AI算力革命引发的结构性变革，将重塑全球存储芯片产业链格局。未来，随着AI需求的持续爆发与供给端产能的逐步释放，存储芯片市场将逐步回归理性，但短期内“一芯难求”的局面仍将持续，涨价周期将贯穿2026年全年。