英特尔加速EMIB先进封装全球扩张，越南工厂投资41亿美元落地

发布时间：昨天 17:22

类别：行业动态

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2026 年 5 月，英特尔在先进封装领域持续加码，嵌入式多芯片互连桥（EMIB）技术良率已突破 90%，并同步推进美国、越南两地先进封装产能扩张，总投资超 60 亿美元，全力追赶台积电 CoWoS 技术，争夺高端 AI 芯片封装市场主导权。

EMIB 是英特尔核心先进封装技术，通过在硅片上嵌入超薄硅桥，实现芯片间高密度、低延迟互连，支持多芯片异构集成，适配 AI、高性能计算及高端服务器芯片需求。相较于传统封装，EMIB 可将芯片间带宽提升 10 倍，功耗降低 40%，且良率已稳定超 90%，具备大规模量产能力。

产能布局方面，英特尔采取 “双核心” 策略：美国俄勒冈州工厂作为技术研发与高端产能核心，重点服务北美客户；越南胡志明市西贡高科技园区工厂则定位为全球制造枢纽，总投资达 41.15 亿美元，占地 46.6 公顷，约占园区总注册资本的 30%。该工厂将承接原哥斯达黎加的部分组装、封装业务，重点生产数据中心服务器芯片，并支持 18a 制程下一代处理器的先进封装与测试，预计 2026 年底投产，2027 年全面达产。

为保障产能建设，英特尔已向中国台湾设备供应商下单，包括激光设备商亚光、干法工艺专家志圣及固化设备供应商能率网通等，相关设备预计 2026 年下半年陆续交付，支撑两地工厂扩产进度。

行业背景下，先进封装已成为 AI 芯片竞争的核心战场。台积电 CoWoS 凭借先发优势，占据全球高端封装市场 70% 以上份额，但产能紧张、价格高企，难以满足爆发式需求。英特尔 EMIB 良率突破后，已具备承接高端订单能力，此次大规模扩产，将直接挑战台积电垄断，推动全球先进封装市场形成 “双强竞争” 格局。

对国产芯片产业而言，英特尔扩产将带来间接利好。高端封装产能供给增加，台积电定价权松动，国产 AI 芯片设计企业可获得更多封装选择，降低成本与交付风险。同时，英特尔在越南的产能布局，也将带动东南亚半导体产业链发展，为国产设备、材料企业提供新的市场机会。