国产AI芯片底层架构突破：寒序科技联手三星，8nm eMRAM芯片实现亚洲首例商业化

发布时间：4小时前

类别：行业动态

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2026 年 5 月 8 日，国产 AI 芯片企业寒序科技联合三星及生态伙伴 SEMIFIVE，基于三星 8 纳米 eMRAM 工艺的边缘 AI 芯片成功流片，这是亚洲范围内首个实现商业化落地的 8nm eMRAM 工艺芯片项目，标志着国产芯片在底层架构与先进存储技术领域实现重大突破。

此次合作打破传统 “海外设计 + 国内制造” 模式，开创 **“中国主导核心技术 + 韩国产线支持”** 的全新范式。寒序科技全程主导 MRAM 存储单元、外围驱动电路、高带宽读出通路及大模型推理专用算子加速模块等核心设计，SEMIFIVE 负责后端物理实现与多项目晶圆流片，三星提供 8nm eMRAM 产线支持，真正实现 “中国方案、韩国制造”。

eMRAM（嵌入式磁阻存储器）作为下一代非易失性存储技术，具备零待机功耗、高读写速度、高可靠性等优势，完美适配边缘 AI、工业控制、智能驾驶等低功耗、高稳定性场景。传统 AI 芯片依赖外部存储，功耗高、延迟大；eMRAM 与 AI 处理器集成，可大幅降低功耗、提升推理速度，为边缘端离线大模型运行提供核心支撑。

寒序科技技术团队源自北京大学物理学院应用磁学研究中心，在磁存储与自旋电子学领域深耕十余年，拥有多项核心专利。此次 8nm eMRAM 芯片流片成功，证明国产企业在底层存储架构与 AI 加速技术领域已具备全球竞争力，打破海外技术垄断，为国产边缘 AI 芯片规模化商用奠定基础。

行业影响深远，国产芯片 “换道超车” 迎来新机遇。在先进制程受限背景下，国产企业避开与台积电、三星在逻辑工艺的正面竞争，聚焦 eMRAM、MRAM 等新型存储技术与 AI 加速架构，实现差异化突破。此次合作也为国产芯片企业提供全新思路：通过技术创新主导核心设计，借助海外成熟产线实现量产，快速提升市场竞争力。未来，随着 eMRAM 技术规模化应用，国产边缘 AI 芯片有望在智能家居、工业物联网、智能驾驶等领域实现大规模落地，推动国产 AI 产业从应用层向核心技术层跨越。