里程碑时刻！国产半导体设备国产化率突破55%，关键设备渗透率超60%

发布时间：2026-1-28

类别：行业动态

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【证券日报 记者 张敏 2026年1月11日】国产半导体产业链自主可控进程迎来历史性突破。1月11日，工信部披露最新数据显示，2025年底国内新建晶圆厂国产设备采购金额占比达55%，提前一年突破50%的既定目标，国产替代进程超预期提速。其中刻蚀、薄膜沉积、清洗等关键工艺设备国产化率均超60%，北方华创、中微公司、华特气体等龙头企业多点开花，推动国产设备从成熟制程向先进制程跨越，为我国半导体产业高质量发展筑牢核心根基。

国产化率超额达标，关键设备成核心引擎

此次国产化率突破并非单一指标跃升，而是全产业链协同发力的成果。工信部数据显示，2025年全国新建及扩建12英寸晶圆产线累计设备招标金额约430亿元，其中国产设备中标金额达236亿元，占比稳定在55%。细分领域呈现“主力突破、短板追赶”的格局：刻蚀机国产化率65%、薄膜沉积设备61%、清洗设备63%，三大核心工艺已形成规模化替代能力；离子注入机国产化率提升至35%，实现从无到有的突破。

值得关注的是，先进制程验证进度超预期。中芯国际南方厂7nm试验线提前至2025年底通线，核心刻蚀、薄膜沉积设备均采用国产型号，首批256Mb SRAM良率突破42%，较计划高出8个百分点。国产14nm级High-k金属栅全套设备已通过可靠性考核，预计2026年二季度即可导入量产，标志着国产设备正加速突破先进制程瓶颈。美方智库CSIS评论称，中国设备自给率提前越线，显示外部封锁正产生反向驱动效应，但迈向5nm及以下节点仍需突破技术难关。

龙头企业领跑，技术与市场双重突破

北方华创作为国产设备龙头，持续巩固市场优势。数据显示，公司成熟制程全流程设备国内渗透率超60%，28nm制程配套率更是高达90%，14nm先进制程覆盖度突破40%，深度绑定中芯国际、长江存储等头部晶圆厂。2024年公司半导体装备业务收入超210亿元，其中薄膜沉积设备收入超100亿元、刻蚀设备收入超80亿元，两大核心产品合计占比达85.71%，原子层沉积（ALD）设备更拿下长江存储400层3D NAND订单，单片钨薄膜厚度误差控制在0.5埃以内，技术指标比肩国际同类产品。目前公司订单排期已至2027年一季度，在手订单充足支撑业绩持续增长。

中微公司则在高端设备与全球化布局上斩获突破。其自主研发的5nm CCP刻蚀机已进入国际领先晶圆厂循环验证，关键尺寸均匀性控制在1纳米以内，国内市场覆盖率超95%，成为3D NAND超高深宽比刻蚀领域的核心供应商。1月5日，公司通过收购杭州众硅补全湿法工艺短板，交易完成后将形成“刻蚀+薄膜沉积+湿法”的前道核心工艺布局，复牌当日股价大涨14.16%，市值再创新高，彰显资本市场对其战略布局的认可。

材料领域，华特气体构建起高端电子特气的技术壁垒。公司作为国内唯一同时通过荷兰ASML、日本东京电子、美国应用材料三大国际设备商认证的企业，自主研发的Ar/F/Ne、Kr/Ne等光刻混合气技术指标达国际领先水平，部分产品纯度突破7N级别，可满足5nm及以下先进制程需求。目前产品已进入长江存储供应链，覆盖国内90%以上8寸及以上集成电路厂商，同时跻身台积电、三星供应链体系，实现本土配套与全球拓展的双线突破。

政策市场双轮驱动，国产化进入放量期

国产化率的快速提升，离不开政策支持与市场需求的双重赋能。政策层面，国家大基金二期承诺未来三年向设备环节投入800亿元，重点突破高端光刻机、量测设备等“卡脖子”领域，工信部更明确新建产线国产设备采购比例导向，为国产设备提供充足验证场景。市场层面，国内晶圆厂扩产需求旺盛，AI、汽车电子等下游领域爆发式增长，带动设备需求持续扩容，券商研报预测2026年国产设备市场空间有望突破500亿元，年复合增速维持30%。

业内专家表示，国产半导体设备已完成“从0到1”的突破，正进入“从1到N”的规模化放量阶段。当前28-14nm成熟制程已具备全面替代能力，先进制程验证持续提速，虽光刻、量测设备仍处攻坚期（国产化率分别为18%、25%），但追赶态势明确。随着龙头企业技术迭代与产业链协同深化，国产半导体设备将逐步打破高端市场垄断，为我国半导体产业自主可控注入强劲动力。