缺口持续至2026年后！美光预警存储芯片短缺，AI驱动行业迎“超级周期”

发布时间：昨天 16:25

类别：行业动态

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【中国电子报 记者 王璐 2026年1月20日】全球存储芯片市场供需失衡格局持续加剧，行业巨头的表态进一步强化了市场对“超级周期”的预期。1月20日，美光科技CEO桑杰·梅赫罗特拉在业绩电话会议上明确表示，内存芯片短缺现象在过去一季度“愈演愈烈”，且供应紧张态势将持续到2026年之后。受AI服务器需求爆发、产能结构性转移等多重因素叠加，存储芯片价格进入暴涨通道，全球产业链玩家加速调整布局，国内厂商也顺势加码扩产，试图抢占市场红利。

AI需求引爆缺口，高端产能成核心争夺点

此次存储芯片短缺的核心驱动力，源于AI服务器对高带宽、高容量存储的爆发式需求，彻底重构了行业供需结构。数据显示，单台高端AI服务器的DRAM消耗量是普通服务器的8-10倍，NAND闪存需求也高达5-6倍，其中HBM（高带宽存储器）作为AI芯片的核心配套组件，消耗量更是达到标准DRAM的3倍以上。OpenAI、谷歌等AI巨头的算力基建投入持续加码，已锁定全球70%以上的高端存储产能，直接催生了“抢货效应”。

为追逐更高毛利，三星、SK海力士、美光三大存储巨头纷纷进行产能结构性转移，将80%-90%的产能向HBM、服务器DDR5等高附加值产品倾斜，大幅压缩传统DDR4产能。其中，美光已明确退出消费级DDR4业务，全力服务AI相关订单；SK海力士1c制程产能优先供给HBM4，三星则聚焦HBM4与高端DDR5生产，导致通用型存储产能进一步收缩。集邦咨询预测，2026年第一季度DRAM价格将上涨超60%，部分产品线报价或翻倍，NAND闪存报价也将上涨55%-60%，涨势力度已超越2018年历史高点。

更严峻的是，供给端弹性严重不足。存储芯片扩产周期长达2-3年，且HBM受限于复杂的设计封装与良品率（目前仅60%-70%），高端EUV设备层数已达5-6层，产能难以快速释放。美光新建工厂预计2027年才能量产，短期内无法缓解缺口，这也让美光坚定预判供应紧张将延续至2026年后，HBM高景气度甚至可能持续至2028年。

资本市场应声大涨，国内厂商加码封测扩产

美光的预警消息引发资本市场强烈反应，1月20日A股存储芯片概念股集体走强，形成板块性行情。普冉股份开盘涨超8%，盘中股价创历史新高；盈方微直接以涨停价开盘，封单量持续放大；北京君正、佰维存储、兆易创新等个股也纷纷跟涨，板块整体涨幅超4%，反映出市场对存储行业景气度的高度认可。

面对行业红利，国内厂商加速布局存储封测环节，抢占产业链分工机会。通富微电拟募资44亿元，其中8亿元专项用于存储封测产能提升，项目落地后将新增年产能84.96万片，重点适配HBM与高端NAND封装需求，缓解国内高端封测产能缺口。长电科技则加大对晟碟工厂的投入，聚焦闪存封测技术迭代与产能扩张，优化3D NAND封装工艺，提升在消费电子与工业级存储领域的竞争力。

除封测企业外，国内存储芯片设计与制造企业也同步发力。长鑫存储加速DDR5产能释放，试图冲击全球通用存储市场份额；长江存储在3D NAND领域持续技术迭代，提升堆叠层数与存储密度，逐步缩小与国际巨头的差距。业内人士表示，国内厂商正借助此次行业周期，从封测到芯片制造全面突破，加速国产替代进程。

超级周期启幕，行业格局深度调整

多重因素叠加下，全球存储产业已进入“超级牛市”阶段，市场规模将迎来爆发式增长。集邦咨询预测，2026年全球存储产业总产值将突破5516亿美元，较当前实现134%的增幅，2027年有望再增53%至8427亿美元。其中DRAM内存市场将成为核心增长引擎，2026年总产值预计同比增长144%达4043亿美元，HBM市场规模更有望从当前35亿美元增长至未来千亿美元级别，超越2024年整个DRAM市场规模。

行业格局也将随供需结构深度调整，呈现“高端紧俏、中端博弈、低端承压”的分化态势。AI需求将持续主导高端存储市场，三星、SK海力士、美光凭借技术与产能优势，将占据大部分利润空间；国内厂商则在通用型存储与封测领域加速突围，借助成本与本地化服务优势抢占市场份额。同时，存储芯片价格暴涨将传导至下游终端，手机、笔记本等消费电子物料成本抬升，终端厂商或通过产品升级、价格调整应对成本压力。

业内专家指出，此次存储行业超级周期并非传统消费电子驱动，而是由AI算力需求催生的结构性变革，增长逻辑更具持续性。随着AI技术持续演进，存储芯片作为数据承载核心，将长期受益于算力基建投入，而国内厂商能否抓住此次机遇实现技术突破与规模扩张，将决定其在全球存储产业链中的未来地位。