全球首条35微米超薄晶圆产线投产，国产功率芯片实现制造与封装双突破

发布时间：昨天 14:57

类别：行业动态

阅读：5

2026 年 3 月 5 日，国内功率半导体产业迎来里程碑式突破，全球首条 35 微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试一体化生产线在上海正式投产。这条产线的落地不仅打破了海外企业在超薄晶圆制造领域的长期技术垄断，更实现了国产功率芯片在先进制造工艺与高端封装技术上的双重突破，为国内高端功率芯片规模化量产扫清核心技术障碍，推动国产功率半导体向全球高端市场迈进。

功率半导体作为电力电子设备的核心器件，晶圆厚度直接影响芯片的导通损耗、散热效率与集成度，超薄晶圆工艺更是高端功率芯片的核心技术壁垒。此次投产的 35 微米超薄晶圆，厚度仅为普通头发丝的一半，其加工过程对晶圆切割、研磨、抛光的精度要求极高，长期被欧美、日韩企业掌握核心技术。此次国产产线实现技术突破，将晶圆厚度误差精准控制在 **±1.5 微米以内 **，晶圆加工碎片率低于0.1%，核心工艺指标达到全球领先水平。

相较于目前行业主流的 100 微米晶圆，35 微米超薄晶圆能大幅降低芯片内部的导通损耗，让电能转化效率显著提升；同时，产线搭配定制化先进封装工艺，针对性解决了超薄晶圆芯片易破损、集成度低、散热难的行业痛点，使芯片整体散热效率提升超60%，兼顾了芯片的高性能与高可靠性，完美适配高端功率芯片的应用需求。

值得关注的是，该产线实现了晶圆制造与封装测试的一体化布局，覆盖从晶圆超薄加工到芯片封装、成品测试的全流程环节，无需跨厂协作，大幅缩短了高端功率芯片的生产周期，提升了供应链稳定性。产线核心生产装备均实现自主可控，摆脱了对进口设备的依赖，从根源上保障了产线的可持续运营；产能方面，产线单日封装测试产能可达12 万颗，能有效缓解国内高端功率芯片的供需紧张局面。

此次技术突破带来的产品成果，可广泛应用于新能源汽车、5G 通信基站、工业精密控制、光伏储能等高端场景。在新能源汽车领域，可用于车载电控、充电桩等核心部件，提升整车的能源利用效率与续航能力；在 5G 基站与工业控制领域，能满足高功率、高集成、高可靠性的应用需求。随着该产线的量产落地，国内高端功率芯片的自主供应能力将大幅提升，进一步打破海外企业在高端市场的垄断格局。

业内人士表示，35 微米超薄晶圆产线的投产，是国产功率半导体产业从 “跟跑” 向 “并跑” 转型的重要标志，不仅填补了国内在超薄晶圆工艺领域的技术空白，更推动国产功率芯片在技术指标、产品性能上向全球第一梯队看齐。当前，全球功率半导体市场需求持续攀升，新能源与智能制造的发展更是拉动高端功率芯片需求激增，此次突破将助力国产功率半导体企业抢占全球高端市场份额，提升我国在全球功率半导体产业链中的话语权，为国内电子信息产业的自主可控发展提供坚实的核心器件支撑。