双线突破！士兰微8英寸碳化硅产线通线+12英寸高端模拟线开工，国产芯片自主化再提速

发布时间：昨天 17:16

类别：行业动态

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【中国电子报 记者 李建伟 2026年1月5日】国产半导体产业链再迎重磅突破。1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门海沧区举行隆重仪式，宣布两大核心产线里程碑事件：自主研发的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线正式通线，12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线同步开工建设。两条产线总投资达320亿元，分别聚焦第三代半导体与高端模拟芯片两大“卡脖子”领域，标志着士兰微在特色工艺芯片制造领域实现全产业链布局升级，更将为国产新能源汽车、工业控制、高端算力等领域核心芯片的自主可控提供关键支撑。

8英寸碳化硅产线通线，国产第三代半导体迈入规模化交付

此次正式通线的8英寸碳化硅功率器件产线，由士兰微旗下子公司士兰集宏负责运营，是国内少数实现自主研发并具备规模化量产能力的8英寸碳化硅芯片生产线。项目规划用地约205亩，主厂房核心面积1.5万平方米，总投资120亿元，分两期建设。经过多年技术攻关，该产线成功突破了8英寸碳化硅晶圆制造过程中的衬底缺陷控制、外延生长均匀性、器件结构设计等多项核心工艺难题，首批设备已完成工艺验证，为后续规模化量产奠定了坚实基础。

产能布局上，该产线一期计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡，达产后可形成年产42万片8英寸碳化硅功率器件芯片的生产能力；二期投产后，总产能将提升至年产72万片，将有效缓解国内高端碳化硅芯片供给紧张的局面。值得关注的是，这条产线的国产设备占比超过70%，北方华创、中微公司等国产设备龙头的刻蚀、薄膜沉积等设备深度参与工艺验证，实现了核心制造环节的国产化配套，进一步完善了“材料-设备-工艺”的国产产业生态闭环。

商业化层面，该产线的产品将精准对接高速增长的下游市场需求。当前，以碳化硅为代表的第三代半导体凭借高效、高频、高压、耐高温的特性，已成为新能源汽车800V高压平台、光伏逆变器、储能系统、AI服务器电源等领域的核心组件。数据显示，2025年末全球碳化硅功率模块市场规模已突破30亿美元，预计2026-2030年间年复合增长率将超25%，其中新能源汽车贡献了超过60%的营收份额。士兰微这条产线的产品将重点服务于新能源电动汽车主驱逆变器、光伏储能变流器、充电桩、工业电源等核心场景，助力下游客户提升系统能效与功率密度，有望快速切入头部车企与能源企业供应链。

“8英寸碳化硅产线的通线，是士兰微在第三代半导体领域从技术突破到规模化交付的关键跨越。”士兰微董事长陈向东在通线仪式上表示，该产线的投产将打破国际巨头在高端碳化硅芯片领域的垄断格局，推动国产碳化硅器件成本下降与性能升级，加速第三代半导体在国内的产业化应用。

12英寸高端模拟线开工，补齐国产芯片制造短板

与8英寸碳化硅产线通线同步，士兰微12英寸高端模拟集成电路产线正式开工建设。该项目位于厦门海沧集成电路产业园，总投资200亿元，分两期推进：一期投资100亿元，计划于2027年四季度初步通线，2030年实现达产，届时将形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力；二期将再投资100亿元，全部建成后总产能将达到年产54万片，月产能稳定在4.5万片规模。

这条产线的建设，精准瞄准了国产高端模拟芯片制造的短板。模拟芯片作为电子设备的“神经中枢”，广泛应用于汽车、工业控制、通讯、高端算力服务器等领域，但高端市场长期被德州仪器（TI）、亚德诺（ADI）等国际巨头垄断。数据显示，2024年中国汽车模拟芯片市场中，海外厂商占比高达84.3%，国内模拟芯片整体国产化率仅15%-25%，高端产品严重依赖进口。士兰微12英寸高端模拟产线将聚焦汽车电子、大型算力服务器、机器人、风光储、工业通讯等高端应用场景，重点研发生产车规级电源管理芯片、工业级信号链芯片等产品，将有效补齐国产高端模拟芯片制造的产能与技术短板。

技术与设备配套方面，该产线将持续推进国产化替代，计划导入国产刻蚀、薄膜沉积、离子注入等核心设备，国产化率目标不低于60%。士兰微副董事长范伟宏介绍，产线将采用先进的特色工艺技术，通过与下游客户深度协同，开发定制化的芯片解决方案，提升产品的市场竞争力。“高端模拟芯片的研发制造‘吃经验、靠积累’，我们将依托多年在功率器件领域的技术积淀，快速突破产品性能与可靠性瓶颈。”

CIDM模式赋能全产业链，引领国产芯片自主化升级

值得关注的是，士兰微两条核心产线均采用“CIDM（Commune Integrated Device Manufacturing，社区式集成电路制造）”模式运营，面向行业客户开放代工服务，并承担部分共性技术验证功能。这种模式通过整合产业链上下游资源，实现了设计、制造、封装测试等环节的协同创新，既能降低单一企业的研发与产能投入风险，又能快速响应客户需求，加速技术成果的产业化落地。

业内分析指出，士兰微的双线突破具有重要的行业标杆意义。在第三代半导体领域，随着8英寸碳化硅产线的规模化投产，将推动国产碳化硅器件成本进一步下降，助力新能源汽车、储能等领域的降本增效，同时提升国内在全球第三代半导体产业链中的话语权。全球碳化硅功率器件市场规模预计2026年将突破90亿美元，士兰微有望凭借产能与成本优势，快速抢占市场份额。

在高端模拟芯片领域，12英寸产线的建设填补了国内相关产能的空白，将带动国产模拟芯片企业在车规级、工业级等高端场景的技术突破与市场拓展。中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰表示，士兰微作为国内家电和车规电子应用领域的头部企业，此次双线突破契合国家半导体产业战略方向，将进一步完善国产特色工艺芯片产业链，为国内下游产业升级提供坚实的芯片保障。

展望未来，士兰微将以两条核心产线为支点，持续加大研发投入，优化工艺技术。陈向东表示，公司将致力于成为客户值得信赖的“芯片伙伴”，通过与客户构建技术协同、供应稳定、响应敏捷的合作体系，持续强化在化合物半导体和高端模拟芯片领域的自主制造能力，为国产芯片自主化进程贡献更多力量。