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WTD9435

型号：

WTD9435

描述：

表面贴装P沟道增强型功率MOSFET[ Surface Mount P-Channel Enhancement Mode POWER MOSFET ]

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

6 页

PDF大小：

468 K

下载PDF手册
WTD9435  
Surface Mount P-Channel Enhancement  
Mode POWER MOSFET  
DRAIN CURRENT  
-20 AMPERES  
DRAIN  
3
P b  
Lead(Pb)-Free  
DRAIN SOURCE VOLTAGE  
-30 VOLTAGE  
1 GATE  
Features:  
*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)  
2
SOURCE  
RDS(ON)<50m Ω@VGS=-10V  
4
*Simple Drive Requirement  
*Lower On-resistance  
1
2
3
1. GATE  
2.4 DRAIN  
3. SOURCE  
*Fast Switching Characteristic  
*TO-252 Package  
D-PAK / (TO-252)  
Maximum Ratings(T =25 C Unless Otherwise Specified)  
a
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
-30  
V
±±0  
Continuous Drain Current, (V @10V, TC=±5˚C)  
GS  
-±0  
-13  
ID  
, (V @10V, TC=100˚C)  
GS  
A
Pulsed Drain Current1  
IDM  
PD  
-7±  
31  
Total Power Dissipation(TC=±5˚C)  
W
RθJC  
RθJA  
4.0  
˚C/W  
Thermal Resistance Junction-case  
Thermal Resistance Junction-ambient  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
110  
˚C/W  
˚C  
-55~+150  
TJ,Tstg  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
1/6  
12-Jul-07  
WTD9435  
Electrical Characteristics(T = 25℃ Unless otherwise specified)  
j
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Static  
Drain-Source Breakdown Voltage  
I =-250µA,V =0  
-30  
-
-
BVDSS  
D
GS  
V
Gate-Source Threshold Voltage  
-1.0  
-
-
-
3.0  
VGS(Th)  
I =-250µA,V =V  
D
DS GS  
Gate-Source Leakage current  
100  
nA  
IGSS  
V
= 20V  
GS  
Drain-SourceLeakage Current(Tj=25˚C)  
=-30V,V =0  
-
-
-
-
-1  
V
DS  
GS  
IDSS  
μA  
Drain-SourceLeakage Current(Tj=70˚C)  
=-24V,V =0  
-25  
V
DS  
GS  
2
Static Drain-Source On-Resistance  
I =-10A,V =-10V  
-
-
-
-
50  
90  
D
GS  
RDS(on)  
mΩ  
I =-5A,V =-4.5V  
D
GS  
Forward Transconductance  
I =-10A,V =-10V  
gfs  
-
9.6  
-
S
D
DS  
Dynamic  
Input Capacitance  
-
463  
740  
Ciss  
V
=0V,V =-25V,f=1.0MHz  
GS DS  
Output Capacitance  
=0V,V =-25V,f=1.0MHz  
-
-
187  
140  
-
-
pF  
Coss  
V
GS  
DS  
Reverse Transfer Capacitance  
Crss  
V
=0V,V =-25V,f=1.0MHz  
GS  
DS  
2/6  
12-Jul-07  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
WTD9435  
Switching  
2
Turn-on Delay Time  
-
-
-
-
9.6  
18  
19  
14  
-
-
-
-
Td(on)  
Tr  
Td(off)  
Tf  
I =-10A,V =-15V,V =-10V,R =3.3Ω,R =1.5Ω  
D
DS  
GS  
G
D
Rise Time  
I =-10A,V =-15V,V =-10V,R =3.3Ω,R =1.5Ω  
D
DS  
GS  
G
D
ns  
Turn-off Delay Time  
I =-10A,V =-15V,V =-10V,R =3.3Ω,R =1.5Ω  
D
DS  
GS  
G
D
Fall Time  
I =-10A,V =-15V,V =-10V,R =3.3Ω,R =1.5Ω  
D
DS  
GS  
G
D
2
Total Gate CHarge  
I =-10A,V =-24V,V =-4.5V  
-
-
-
10  
3
-
-
-
Qg  
Qgs  
Qgd  
D
DS  
GS  
Gate-Source Charge  
I =-10A,V =-24V,V =-4.5V  
nC  
D
DS  
GS  
Gate-Drain (”Miller”) Change  
I =-10A,V =-24V,V =-4.5V  
5
D
DS  
GS  
Source-Drain Diode Characteristics  
Forward On Voltage2  
IS=-10A,VGS=0V  
-
-
-1.2  
V
VSD  
Trr  
Reverse Recovery Time  
-
-
34  
30  
-
-
ns  
nc  
IS=-10A,VGS=0V dl/dt=100A/µs  
Reverse Recovery Charge  
Qrr  
IS=-10A,VGS=0V dl/dt=100A/µs  
Note: 1. Pulse width limited by safe operating area.  
2. Pulse width ≤ 300μs, duty cycle ≤ 2%.  
3/6  
12-Jul-07  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
WTD9435  
Characteristics Curve  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
-10V  
T =25˚C  
c
T =150˚C  
c
-10V  
-8.0V  
60  
40  
20  
0
-8.0V  
-6.0V  
-6.0V  
-4.5V  
-4.5V  
VG=-4.0V  
VG=-4.0V  
0
2
4
6
7
0
2
4
6
8
10  
VDS . Drain-to-Source Voltage(V)  
-VDS . Drain-to-Source Voltage(V)  
Fig.1 Typical Output Characteristics  
Fig.2 Typical Output Characteristics  
1.8  
31  
29  
27  
25  
23  
21  
19  
17  
ID=18A  
ID=10A  
TC=25˚C  
VG=10V  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0
4
5
6
7
8
9
10 11 12  
-50  
0
50  
100  
150  
VGS , Gate-to-Source Voltage(V)  
Fig.3 On-Resistance v.s. Gate Voltage  
Fig.4 Normalized OnResistance  
10  
8
3
2
1
0
6
4
2
0
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
1.2  
1.4  
-50  
0
50  
100  
150  
-VSD , Source-to-Drain Voltage (V)  
Fig.5 Forward Characteristica of  
Reverse Diode  
Fig.6 Gate Threshold Voltage v.s.  
Junction Temperature  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
4/6  
12-Jul-07  
WTD9435  
f=1.0MHz  
14  
1000  
100  
10  
ID=-10A  
12  
Ciss  
VDS=-24V  
10  
8
Coss  
Crss  
6
4
2
0
0
4
8
12  
16  
20  
1
5
7
13  
17  
21  
25  
29  
QG , Total Gate Charge (nC)  
-V DS , Drain-to-Source Voltage(V)  
Fig 7. Gate Charge Charateristics  
Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance  
f=1.0MHz  
1
100  
DUTY=0.5  
1ms  
0.2  
0.1  
10  
10ms  
0.1  
PDM  
0.05  
t
100ms  
Is  
0.02  
1
T
DC  
0.01  
Duty factor = t / T  
Peak Tj=PDMx Rthjc+ TC  
SINGLE PULSE  
Single Pulse  
0.01  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
-VDS , Drain-to-Voltage (V)  
t , Pulse Width (s)  
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance  
Fig 9. Maximum Safe Operating Area  
VG  
VDS  
90%  
QG  
-4.5V  
QGD  
QGS  
10%  
VGS  
td(on) tr  
td(off) tr  
Charge  
Fig.12 Gate Charge Waveform  
Q
Fig 11. Switching Time Waveform  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
5/6  
12-Jul-07  
WTD9435  
D-PAK / (TO-252) Outline Dimension  
Unit:mm  
E
D-PAK  
G
A
Dim  
A
B
C
D
Min  
6.40  
9.00  
0.50  
-
Max  
6.80  
10.00  
H
J
4
0.80  
2.30  
2.50  
0.55  
1.60  
5.80  
0.64  
1.70  
1.50  
B
1
2
3
E
2.20  
0.45  
1.00  
5.40  
0.30  
0.70  
0.90  
G
H
J
K
L
M
K
D
C
L
M
6/6  
12-Jul-07  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		WTD0001 触摸屏控制器（用于SPI接口）[ TOUCH SCREEN CONTROLLER (FOR SPI INTERFACE) ] 4 页

WELTREND

 		WTD0002 LCD前面板控制器[ LCD FRONT PANEL CONTROLLER ] 6 页

ETC

 		WTD0005 触摸屏控制器（用于RS232端口）[ Touch Screen Controller (For RS232 Port) ] 4 页

WELTREND

 		WTD0007 心率信号检测器[ HEART RATE SIGNAL DETECTOR ] 5 页

WEITRON

 		WTD1386 PNP外延平面晶体管[ PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR ] 4 页

WEITRON

 		WTD40N03 表面贴装P沟道增强型功率MOSFET[ Surface Mount P-Channel Enhancement Mode POWER MOSFET ] 6 页

WINSEMI

 		WTD4A60S 敏感GATE TRIAC[ Sensitive Gate Triac ] 5 页

WINSEMI

 		WTD6A60S 双向晶闸管[ Bi-Directional Triode Thyristor ] 5 页

WEITRON

 		WTD772 PNP / NPN外延平面晶体管[ PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors ] 5 页

WEITRON

 		WTD882 PNP / NPN外延平面晶体管[ PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors ] 5 页

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