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WTD9973

型号：

WTD9973

描述：

表面贴装N沟道增强型功率MOSFET[ Surface Mount N-Channel Enhancement Mode POWER MOSFET ]

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

6 页

PDF大小：

600 K

下载PDF手册
WTD9973  
Surface Mount N-Channel Enhancement  
DRAIN CURRENT  
14 AMPERES  
Mode POWER MOSFET  
DRAIN  
3
P b  
Lead(Pb)-Free  
DRAIN SOURCE VOLTAGE  
60 VOLTAGE  
1 GATE  
Features:  
*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)  
RDS(ON)<80mΩ@VGS=10V  
2
4
SOURCE  
1
2
3
*Simple Drive Requirement  
*Lower On-resistance  
*Fast Switching Characteristic  
1. GATE  
2.4 DRAIN  
3. SOURCE  
*TO-252 Package  
D-PAK / (TO-252)  
Maximum Ratings(TA=25 C Unless Otherwise Specified)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
60  
V
±20  
Continuous Drain Current, (V @10V, TC=25˚C)  
GS  
14  
9
ID  
, (V @10V, TC=100˚C)  
GS  
A
Pulsed Drain Current1  
IDM  
PD  
40  
27  
Total Power Dissipation(TC=25˚C)  
W
RθJC  
Maximum Thermal Resistace Junction-case  
Maximum Thermal Resistace Junction-ambient  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
4.5  
˚C/W  
˚C/W  
˚C  
RθJA  
110  
-55~+150  
TJ,Tstg  
Device Marking  
WTD9973=9973  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
1/6  
02-Aug-05  
WTD9973  
Electrical Characteristics(TA = 25℃ Unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Static  
Drain-Source Breakdown Voltage  
60  
1.0  
-
-
-
-
-
-
-
BVDSS  
VGS(Th)  
IGSS  
VGS=0,ID=250μA  
V
Gate-Source Threshold Voltage  
3.0  
±100  
1
VDS=VGS,ID=250μA  
Gate-Source Leakage current  
VGS=±20V  
nA  
Drain-SourceLeakage Current(Tj=25˚C)  
VDS=60V,VGS=0  
-
IDSS  
μA  
Drain-SourceLeakage Current(Tj=150˚C)  
VDS=48V,VGS=0  
-
25  
Drain-SourceOn-Resistance  
VGS=10V,ID=9A  
VGS=4.5V,ID=6A  
-
-
-
-
80  
100  
RDS(on)  
mΩ  
Forward Transconductance  
VDS=10V,ID=9A  
gfs  
-
8.6  
-
S
Dynamic  
Input Capacitance  
-
-
-
720  
77  
1150  
Ciss  
Coss  
Crss  
VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz  
Output Capacitance  
VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz  
pF  
-
-
Reverse Transfer Capacitance  
VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz  
45  
2/6  
02-Aug-05  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
WTD9973  
Switching  
Turn-on Delay Time2  
-
-
-
-
-
-
-
7
15  
16  
3
-
-
td(on)  
VDS=30V,VGS=10V,ID=9A,RD=3.3Ω,RG=3.3Ω  
Rise Time  
tr  
VDS=30V,VGS=10V,ID=9A,RD=3.3Ω,RG=3.3Ω  
ns  
Turn-off Delay Time  
VDS=30V,VGS=10V,ID=9A,RD=3.3Ω,RG=3.3Ω  
td(off)  
-
Fall Time  
-
tf  
VDS=30V,VGS=10V,ID=9A,RD=3.3Ω,RG=3.3Ω  
Total Gate Charge2  
8
13  
-
Qg  
VDS=48V,VGS=4.5V,ID=9A  
Gate-Source Charge  
VDS=48V,VGS=4.5V,ID=9A  
Qgs  
nC  
3
Gate-Source Change  
VDS=48V,VGS=4.5V,ID=9A  
Qgd  
4
-
Source-Drain Diode Characteristics  
Forward On Voltage2  
VGS=0V,IS=14A  
-
-
-
-
1.2  
V
VSD  
Reverse Recovery Time  
28  
27  
-
-
ns  
nC  
Trr  
VGS=0V,IS=9A,dl/dt=100A/µs  
Reverse Recovery Charge  
Qrr  
VGS=0V,IS=9A,dl/dt=100A/µs  
Note: 1. Pulse width limited by safe operating area.  
2. Pulse width ≤ 300μs, duty cycle ≤ 2%.  
3/6  
02-Aug-05  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
WTD9973  
32  
28  
10V  
7.0V  
5.0V  
45  
°
T =25 C  
C
T =150˚C  
C
10V  
7.0V  
5.0V  
40  
35  
30  
24  
20  
4.5V  
4.5V  
25  
20  
15  
10  
16  
12  
8
VG= 3.0V  
VG= 3.0V  
4
0
5
0
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
7
VDS ,Drain-to-source Voltage(V)  
VDS ,DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE(V)  
Fig.2 Typical Output Characteristics  
FIG.1 Typical Output Characteristics  
90  
2.5  
2.0  
ID = 9A  
TC = 25˚C  
ID = 9A  
VG = 10V  
85  
1.5  
1.0  
80  
75  
0.5  
0.0  
70  
65  
-50  
0
50  
100  
150  
3
5
7
9
11  
VGS ,Gate-to-source Voltage(V)  
Tj ,Junction Temperature(˚C)  
v.s. Gate Voltage  
Fig.4 Normalized OnResistance  
Fig.3 On-Resistance  
2.5  
2.0  
1.5  
1
14  
12  
10  
T
j = 150˚C  
8
6
Tj  
= 25˚C  
4
2
0
0.5  
0
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
-50  
0
50  
100  
150  
Tj ,Junction Temperature(˚C)  
VDS ,Source-to-Drain Voltage(V)  
Fig.6 Gate Threshold Voltage v.s.  
Junction Temperature  
Fig.5 Forward Characteristics of  
Reverse Diode  
WEITRON  
4/6  
02-Aug-05  
http://www.weitron.com.tw  
WTD9973  
12  
10000  
1000  
100  
f = 1.0MHz  
Ciss  
I D = 9A  
10  
8
VDS = 48V  
VDS = 38V  
VDS = 30V  
6
4
2
0
Coss  
Crss  
10  
1
5
9
13  
17  
21  
25  
29  
0
4
8
12  
16  
VDS, Drain-to-Source Voltage(V)  
QG , Total Gate Charge(nC)  
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics  
Fig 7. Gate Charge Characteristics  
1
100  
Duty factor = 0.5  
0.2  
1ms  
10  
0.1  
10ms  
PDM  
0.1  
t
0.05  
0.02  
100ms  
1s  
DC  
1
T
Duty factor = t / T  
Peak Tj=PDM x Rθ jc + Tc  
0.01  
Single pulse  
TC = 25˚C  
Single Pulse  
0.1  
0.1  
0.01  
0.00001  
1
10  
100  
1000  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
VDS , Drain-to-Source Voltage(V)  
t, Pulse Width(s)  
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance  
Fig 9. Maximum Safe Operation Area  
VG  
VDS  
90%  
QG  
4.5V  
QGD  
QGS  
10%  
VGS  
td(on) tr  
td(off) tf  
Q
Charge  
Fig 11. Switching Time Circuit  
Fig.12 Gate Charge Waveform  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
5/6  
02-Aug-05  
WTD9973  
D-PAK / (TO-252) Outline Dimension  
Unit:mm  
E
D-PAK  
G
A
Dim  
A
B
C
D
Min  
6.40  
9.00  
0.50  
-
Max  
6.80  
10.00  
H
J
4
0.80  
2.30  
2.50  
0.55  
1.60  
5.80  
0.64  
1.70  
1.50  
B
1
2
3
E
2.20  
0.45  
1.00  
5.40  
0.30  
0.70  
0.90  
G
H
J
K
L
M
K
D
C
L
M
6/6  
02-Aug-05  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		WTD0001 触摸屏控制器（用于SPI接口）[ TOUCH SCREEN CONTROLLER (FOR SPI INTERFACE) ] 4 页

WELTREND

 		WTD0002 LCD前面板控制器[ LCD FRONT PANEL CONTROLLER ] 6 页

ETC

 		WTD0005 触摸屏控制器（用于RS232端口）[ Touch Screen Controller (For RS232 Port) ] 4 页

WELTREND

 		WTD0007 心率信号检测器[ HEART RATE SIGNAL DETECTOR ] 5 页

WEITRON

 		WTD1386 PNP外延平面晶体管[ PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR ] 4 页

WEITRON

 		WTD40N03 表面贴装P沟道增强型功率MOSFET[ Surface Mount P-Channel Enhancement Mode POWER MOSFET ] 6 页

WINSEMI

 		WTD4A60S 敏感GATE TRIAC[ Sensitive Gate Triac ] 5 页

WINSEMI

 		WTD6A60S 双向晶闸管[ Bi-Directional Triode Thyristor ] 5 页

WEITRON

 		WTD772 PNP / NPN外延平面晶体管[ PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors ] 5 页

WEITRON

 		WTD882 PNP / NPN外延平面晶体管[ PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors ] 5 页

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