DRAM价格持续飙升，三星、SK海力士加码产能，全球存储芯片格局再调整

发布时间：3小时前

类别：行业动态

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2026年第一季度，全球存储芯片市场的涨价潮持续发酵，其中DRAM内存芯片成为领涨主力，价格涨幅持续扩大，三星、SK海力士两大全球DRAM龙头企业纷纷宣布，将在二季度大幅上调DRAM产品价格，同时加码产能扩张，以应对持续爆发的市场需求，全球存储芯片行业格局迎来新一轮调整，供需失衡的局面短期内难以缓解。

据行业调研数据显示，2026年第一季度，全球主流DRAM内存芯片合约价环比上涨83%-90%，部分现货型号一年内涨幅逼近700%，创下近十年以来的最大涨幅。进入二季度，DRAM价格上涨态势仍未放缓，三星、SK海力士已正式通知全球客户，二季度DRAM产品价格将大幅上调，涨幅预计在20%-30%之间，进一步推高下游行业的成本压力。此次DRAM价格持续飙升，核心驱动力仍是AI服务器带来的需求爆发，以及全球DRAM产能供给的相对不足。

AI服务器对DRAM内存的需求呈指数级增长，成为拉动DRAM价格上涨的核心动力。随着全球AI产业进入规模化落地阶段，AI大模型训练与推理对内存带宽、容量的要求持续提升，单台AI服务器的DRAM用量是传统服务器的8-10倍，大量AI数据中心的扩建，直接带动了DRAM需求的爆发式增长。据行业测算，2026年全球AI服务器对DRAM的需求将同比增长60%以上，占全球DRAM总需求的比重将提升至25%，成为DRAM市场的核心增长引擎。

供给端的紧张，进一步加剧了DRAM价格的上涨。目前，全球DRAM市场呈现“双寡头”格局，三星、SK海力士合计占据全球DRAM市场80%以上的份额，产能集中度极高。尽管两大龙头企业已在全力释放产能，但受限于产能扩张周期（通常需要18-24个月），短期内难以满足爆发式增长的市场需求。数据显示，三星当前DRAM产能仅能满足全球约60%的市场需求，SK海力士的DRAM库存仅能维持4周的供货量，供需缺口持续扩大，成为推动价格上涨的重要因素。

为应对市场需求，三星、SK海力士纷纷启动产能扩张计划，加码DRAM产能投入。三星计划在2026年下半年扩大其韩国平泽厂区的DRAM产能，新增月产能约10万片晶圆，主要聚焦高端DRAM产品，以满足AI服务器的需求；SK海力士则计划通过赴美融资扩产，募集10万亿至15万亿韩元资金，全部用于DRAM与HBM高带宽内存的产能扩张，其中DRAM产能将重点提升高端产品的占比，缓解市场供需缺口。

除了AI服务器需求，消费电子、工业控制等领域的DRAM需求也在持续增长，进一步放大了供需缺口。随着消费电子行业的复苏，智能手机、笔记本电脑等产品的出货量逐步回升，带动普通DRAM内存的需求增长；同时，工业自动化、新能源汽车等领域的数字化转型，也对DRAM内存提出了更高的需求，进一步加剧了市场的紧张态势。业内人士预计，2026年全球DRAM市场需求将同比增长45%以上，而产能仅能同比增长15%左右，供需失衡的局面将贯穿全年，DRAM价格将维持高位运行。

DRAM价格的持续飙升，对下游行业产生了显著影响。消费电子企业面临内存成本上涨的压力，部分中低端智能手机、笔记本电脑厂商已计划上调产品价格，以应对成本压力；AI数据中心建设成本大幅增加，中小AI企业因内存成本过高，被迫缩减研发投入，行业准入门槛持续抬高；工业控制企业则面临内存供货紧张的问题，部分项目交付周期被迫延长，影响了行业的发展节奏。

从行业格局来看，三星、SK海力士的产能扩张，将进一步巩固其在全球DRAM市场的双寡头地位，中小DRAM厂商难以参与市场竞争，行业集中度将持续提升。同时，随着AI服务器需求的持续爆发，高端DRAM产品的市场份额将持续扩大，三星、SK海力士将重点聚焦高端市场，进一步提升产品附加值与盈利能力。对于国内存储芯片企业而言，应抓住全球DRAM市场增长的机遇，加大技术研发投入，提升DRAM产品的性能与良率，逐步突破海外企业的垄断，在中低端DRAM市场占据更多份额，推动国内存储芯片产业的发展。

业内专家表示，2026年将成为全球DRAM市场的“涨价大年”，供需失衡的局面短期内难以缓解，价格高位运行将成为行业常态。随着三星、SK海力士产能的逐步释放，预计2027年全球DRAM供需格局将逐步趋于平衡，价格涨幅将有所收敛，但仍将维持在较高水平。对于下游企业而言，应做好长期成本管控，优化供应链布局，积极应对价格上涨带来的压力，同时抓住AI产业发展的机遇，推动产品升级，提升自身的竞争力。