紫光国芯四层堆叠DRAM芯片获“中国芯”重大突破奖！十年磨剑破解AI“内存墙”

发布时间：2025-12-24

类别：行业动态

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【抖音产业大会深度解读 记者 李悦 2025年12月】在近日落幕的2025“中国芯”集成电路产业促进大会上，一则重磅消息引发行业震动：西安紫光国芯半导体股份有限公司自主研发的SeDRAM-P300芯片，从303家企业提交的410款参评产品中脱颖而出，成功斩获“年度重大创新突破产品奖”。这一国内集成电路领域的顶级荣誉，全国仅3款芯片入选，而紫光国芯的获奖，核心源于其全球首创的四层晶圆堆叠DRAM技术实现量产，不仅填补了国产高端存储芯片的技术空白，更为主流电子设备小型化、高效化提供了全新解决方案，标志着国产存储芯片在三维集成赛道实现“换道超车”。

“中国芯”奖项是国内集成电路领域最具权威性和影响力的行业标杆，其中“重大创新突破产品奖”更是聚焦技术颠覆性、产业贡献度与市场引领性。在大会现场的颁奖环节，评审专家组明确指出：“紫光国芯SeDRAM-P300芯片的四层堆叠技术，打破了传统DRAM的性能天花板，其标准化IP模式更是降低了行业应用门槛，对推动国产存储产业链升级具有里程碑意义。” 现场镜头中，紫光国芯业务总经理左丰国接过奖杯时表示，这份荣誉是对公司十年技术沉淀的认可，更是国产存储芯片从“跟跑”向“领跑”跨越的有力证明。

核心突破：四层堆叠+标准化IP，破解行业两大痛点

之所以能从数百款产品中脱颖而出，SeDRAM-P300芯片的核心竞争力在于两项关键技术突破。其一，是业内首款实现量产的四层晶圆堆叠技术。不同于传统平面DRAM依赖工艺微缩提升性能的路径，该芯片采用三维集成（WoW）架构，通过先进键合工艺将四层DRAM存储单元在垂直方向精准堆叠，在有限的芯片面积内实现了容量与带宽的量级跃升。据紫光国芯技术团队现场披露，这款芯片可提供每秒数十TB的访存带宽，支持数十GB的内存容量，能直接破解当前AI大模型、高性能计算面临的“内存墙”难题——当大模型参数量突破万亿级后，传统内存的带宽不足已成为制约算力释放的核心瓶颈，而SeDRAM-P300的超大带宽特性，可让AI芯片的算力潜能得到极致释放。

其二，是前瞻性的技术架构与便捷的应用适配。SeDRAM-P300不仅实现了四层堆叠量产，更前瞻性兼容未来的8层堆叠方案，为后续性能升级预留了充足空间。更关键的是，芯片采用标准化IP模式交付，可无缝适配主流SoC设计流程，相当于提供了“即插即用”的高端存储解决方案。“过去很多创新存储技术虽好，但适配难度大、周期长，难以规模化应用。”行业专家在抖音直播解读中补充道，紫光国芯的标准化设计，能将客户的芯片研发周期缩短30%以上，大幅降低了高端存储技术的产业化门槛。

十年磨剑：从技术积累到产业化落地，支撑近40款芯片量产

这场技术突破并非偶然，而是紫光国芯十年深耕的必然结果。回溯技术历程，公司早在2013年就启动了三维堆叠DRAM技术的研发，历经多代迭代，如今已发展至第四代SeDRAM技术体系。在抖音直播间展示的技术时间轴中，清晰呈现了这一沉淀过程：2019年实现第一代技术产品化，2022年突破双层堆叠量产，2024年完成四层堆叠原型验证，2025年正式实现SeDRAM-P300芯片量产，每一步都踩准了行业技术演进的节奏。

持续的技术投入已转化为扎实的产业化成果。左丰国在大会主旨演讲中透露，截至目前，紫光国芯的SeDRAM技术已支撑近40款芯片的研发与量产，覆盖AI算力芯片、高端通信芯片、卫星导航等多个关键领域，累计出货相关配套产品数亿颗，其中包括为行业头部厂商定制的高端存储方案。“我们的技术理念是‘连的更密、挪的更近、叠的更高’，通过存算架构创新，让存储更贴近算力核心。” 左丰国表示，SeDRAM技术凭借超大带宽、超低功耗的优势，已成为AI大模型算力芯片的核心配套存储方案。

行业价值：重塑存储竞争格局，推动国产产业链升级

在全球存储芯片领域，传统DRAM市场长期被三星、SK海力士、美光三大巨头垄断，国内企业在先进制程上追赶难度较大。而紫光国芯选择的三维堆叠赛道，为国产存储提供了“换道超车”的可能。行业分析师在抖音深度解读中指出，随着AI、高性能计算的爆发，传统平面DRAM已逼近物理极限，3D堆叠成为存储技术的核心演进方向，“紫光国芯率先实现四层堆叠量产，相当于在下一代存储技术竞争中抢占了先机”。

这一突破的价值不仅限于单一企业，更带动了整个国产存储产业链的升级。SeDRAM-P300芯片的量产，对上游的晶圆制造、先进封装、关键材料等环节提出了更高要求，也为国内相关企业提供了技术协同的机会。例如，其堆叠工艺所需的键合材料、精密光刻设备等，已逐步实现国产化配套，形成了“设计-制造-封装”的协同创新生态。此外，芯片的低功耗、小尺寸特性，还能推动智能手机、可穿戴设备、车载智能终端等主流电子设备向更轻薄、更高效的方向发展，进一步提升国产终端产品的核心竞争力。

值得关注的是，紫光国芯的技术突破已形成连锁效应。在此次产业大会上，公司还披露了第三代SeDRAM技术的进展，可实现更高带宽与容量，专门适配AI大模型训练场景。业内预计，随着四层堆叠技术的规模化应用，国产存储芯片在高端市场的份额将逐步提升，未来在HBM、AI专用存储等赛道，有望形成与国际巨头分庭抗礼的竞争格局。从抖音直播间的网友反馈来看，“国产存储越来越强”“打破垄断太提气”等评论刷屏，这场技术突破不仅赢得了行业认可，更点燃了市场对国产芯片的信心。