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WTP772

型号：

WTP772

描述：

PNP / NPN外延平面晶体管[ PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors ]

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

5 页

PDF大小：

275 K

下载PDF手册
WTP772  
WTP882  
PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors  
TO-251  
P b  
Lead(Pb)-Free  
1.BASE  
2.COLLECTOR  
3.EMITTER  
1 2 3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(Ta=25ºC)  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Symbol  
PNP/WTP772  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
NPN/WTP882  
V
30  
40  
5.0  
3.0  
-30  
-40  
-5.0  
-3.0  
CEO  
V
V
CBO  
EBO  
I
C(DC)  
Collector Current (Pulse)1  
(Pulse)  
(Pulse)  
-7.0  
-0.6  
Adc  
I
7.0  
0.6  
C
I
Adc  
Base Current  
B
Total Device Dissipation Tc=25 C  
10  
1.4  
P
W
D
T =25°C  
A
T
150  
Junction Temperature  
Storage, Temperature  
j
C
C
Tstg  
-55 to +150  
Device Marking  
WTP772=B 772  
,
WTP882=D882  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = -10/10 mAdc, I =0)  
V
-30/30  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
-
-
-40/40  
Vdc  
Collector-Base Breakdown Voltage (I = -100/100 µAdc, I =0)  
V
V
C
E
(BR)CBO  
Vdc  
-5.0/5.0  
Emitter-Base Breakdown Voltage (I = -100/100 µAdc, I =0)  
(BR)EBO  
E
C
uAdc  
I
I
I
CE0  
CBO  
EBO  
-1.0/1.0  
-1.0/1.0  
Collector Cutoff Current (V = -30/30 Vdc, I =0)  
-
-
CE  
B
uAdc  
Collector Cutoff Current (V = -40/40 Vdc, I =0)  
CB  
E
-
-1.0/1.0 uAdc  
d
Emitter Cutoff Current (V = -6.0/6.0V c, I =0)  
EB  
C
NOTE: 1.PW 350us, duty cycle 2%  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
WTP772  
WTP882  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted) (Countinued)  
A
Max  
Characteristics  
Symbol  
Min  
TYP  
Unit  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = -1.0/1.0 Adc,V  
C
h
FE  
(1)  
-
-
400  
-
60  
-
-
)
CE=-2.0/2.0Vdc  
DC Current Gain  
(2)  
h
32  
-
FE  
(I = -100/100 mAdc,V = -2.0/2.0 Vdc)  
C
CE  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I = -2.0/2.0 Adc, I = -0.2/0.2mAdc)  
-
V
-0.5/0.5  
Vdc  
Vdc  
CE(sat)  
C
B
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I = -2.0/2.0 Adc, I = -0.2/0.2mAdc)  
-
-
-
-2.0/2.0  
V
BE(sat)  
C
B
Current-Gain-Bandwidth Product  
(I = -0.1/0.1 mAdc,V =-5.0/5.0 Vdc, f=10MHz)  
80/90  
f
-
MHz  
T
C
CE  
Classification of h  
FE(1)  
R
Y
Rank  
O
GR  
200-400  
Range  
100-200  
160-320  
60-120  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
WTP772  
WTP882  
F1. Total Power Dissipation VS.  
Ambient Temperature  
F.2 Derating Curve for All Types  
NOTE  
1. Aluminum heat sink  
of 1.0 mm thickness.  
2. With no insulator film.  
3. With silicon compound.  
10  
100  
S
/
b
8
6
80  
60  
l
i
m
D
i
i
i
t
e
n
s
f
i
d
s
n
i
t
i
p
e
h
a
e
a
t
t
i
s
o
i
n
1
k
n
40  
20  
0
0
0
4
2
c
l
2
m
i
m
2
5
2
c
m
i
t
9
e
2
c
m
d
Without heat sink  
0
50  
100  
0
50  
100  
150  
150  
°
Ta-Amient Temperature- C  
Tc,Case Temperature(°C)  
F3. Thermal Resistance VS.  
Pulse Width  
F4. Safe Operating Areas  
<
PW 10 ms  
−
−
<
10  
(
Duty Cycle 50 %  
)
P
W
Ic(max),Pulse  
V
CE=10V  
0
1
=
1
0
.
1
1
m
m
I =1.0A  
0
m
C
Duty=0.001  
S
°
S
0
Ic(max),DC  
D
S
u
30  
10  
3
1
s
i
s
s
m
i
i
p
L
(
a
d
i
S
t
i
n
i
o
n
t
g
e
l
e
n
o
n
s
v
r
/
e
b
p
L
e
i
t
m
i
t
i
3
1
i
t
e
0.3  
0.1  
e
d
p
u
l
s
e
)
NOTE  
1. Tc=25 C  
2. Curves must be derated  
linearly with increase of  
temperature and Duty Cycle.  
0.03  
0.01  
0.3  
0.1  
1
3
6
10  
30  
60 100  
0.3  
1
3
10  
30  
100 300 1000  
V
-Collector to Emitter Voltage-V  
CE  
PW-Pulse Width-ms  
WTP772  
F5. Collector Current VS. Collector  
To Emitter Voltage  
WTP882  
F6. Collector Current VS. Collector  
To Emitter Voltage  
-2.0  
-1.6  
-1.2  
Pulse Test  
2.0  
Pulse Test  
IB=-10mA  
IB=-9mA  
IB=10mA  
IB=9mA  
1.6  
1.2  
IB=-8MA  
IB=-7mA  
IB=8MA  
IB=7mA  
IB=-6mA  
IB=-5mA  
IB=6mA  
IB=5mA  
-0.8  
-0.4  
0
IB=-4mA  
0.8  
0.4  
0
IB=4mA  
IB=-3mA  
IB=-2mA  
IB=-1mA  
IB=3mA  
IB=2mA  
IB=1mA  
0
-4  
-8  
-12  
-16  
-20  
0
4
8
12  
16  
20  
vCE  
-Collector-Emitter Voltage(V)  
vCE  
-Collector-Emitter Voltage(V)  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
WTP772  
WTP882  
F8.  
-I  
,
c
VCE(sat), VBE(sat)  
,
FE  
F7. h  
VBE-I  
c
10  
6
1000  
600  
VCE=2.0V  
Puse Test  
3
WTP772  
WTP882  
WTP772  
V
BE(sat)  
300  
1
0.6  
h
FE  
2
8
8
P
T
W
100  
60  
0.3  
0.1  
30  
0.06  
0.03  
WTP772  
WTP882  
10  
6
VBE  
0.01  
0.006  
0.003  
2
8
8
P
T
W
3
1
0.001 0.003 0.01 0.03  
0.001  
0.003 0.01 0.03 0.1  
0.3  
1
3
10  
0.1 0.3  
1
3
10  
Ic-Collector Current(A)  
Ic-Collector Current(A)  
Cob-VCB  
,
F10.  
Cib-VCE  
F9. fT - I  
c
1000  
f=1.0MHz  
IE =0(Cob)  
IC=0(Cib)  
V
=5.0V  
CE  
Forecd air  
Cooling  
(with heat sink)  
300  
W
T
P
300  
100  
8
8
2
Cib  
W
T
P
7
100  
60  
WTP882  
7
2
W
T
P
7
7
2
WTP772  
Cob  
30  
W
T
P
8
8
2
30  
10  
10  
6
3
3
1
1
3
6
10  
30  
60  
0.01  
0.03  
0.1  
0.3  
1
VCB-Collector to Base Voltage(V)  
VEB-Emitter to Base Voltage(V)  
Ic-Collector Current(A)  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
WTP772  
WTP882  
TO-251 Outline Dimensions  
unit:mm  
E
TO-251  
G
A
Min  
6.40  
6.80  
0.50  
-
Dim  
A
B
C
D
Max  
6.80  
7.20  
0.80  
2.30  
2.50  
0.55  
1.60  
5.80  
0.69  
1.50  
-
H
4
B
J
1
2
3
2.20  
0.45  
1.00  
5.40  
0.45  
0.90  
6.50  
-
E
G
H
J
K
L
M
N
M
N
K
D
C
L
0.90  
1. Emitter  
2. Base  
3. Collector  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
厂商 型号 描述 页数 下载

WEITRON

 		WTP772_08 PNP外延平面晶体管[ PNP Epitaxial Planar Transistors ] 5 页

WEITRON

 		WTP882 PNP / NPN外延平面晶体管[ PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors ] 5 页

WINSEMI

 		WTPA12A60SW 敏感的门双向晶闸管[ Sensitive Gate Bi-Directional Triode Thyristor ] 6 页

WINSEMI

 		WTPA16A60CW 双向晶闸管[ Bi-Directional Triode Thyristor ] 5 页

WINSEMI

 		WTPA24A60BW 双向晶闸管[ Bi-Directional Triode Thyristor ] 5 页

WINSEMI

 		WTPA24A60CW 双向晶闸管[ Bi-Directional Triode Thyristor ] 5 页

WINSEMI

 		WTPB12A60BW 敏感的门双向晶闸管[ Sensitive Gate Bi-Directional Triode Thyristor ] 6 页

WINSEMI

 		WTPB12A60CW 敏感的门双向晶闸管[ Sensitive Gate Bi-Directional Triode Thyristor ] 5 页

WINSEMI

 		WTPB16A60SW 敏感的门双向晶闸管[ Sensitive Gate Bi-Directional Triode Thyristor ] 5 页

WINSEMI

 		WTPB4A60SW 双向晶闸管[ Bi-Directional Triode Thyristor ] 5 页

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