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VUM25-05E

型号：

VUM25-05E

描述：

整流模块三相功率因数校正[ Rectifier Module for Three Phase Power Factor Correction ]

品牌：

IXYS[ IXYS CORPORATION ]

页数：

4 页

PDF大小：

85 K

下载PDF手册
Advanced Technical Information  
VUM 25-05  
VDSS = 500 V  
ID25 = 35 A  
RDS(on) = 0.12 W  
Rectifier Module  
for Three Phase Power Factor Correction  
Using fast recovery epitaxial diodes and MOSFET  
1
5
3
2
1
VRRM (Diode)  
VDSS  
Type  
6
9
V
V
5
2
600  
500  
VUM 25-05E  
10  
10  
9
6
3
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
VDSS  
VDGR  
VGS  
TVJ = 25°C to 150°C  
TVJ = 25°C to 150°C; RGS = 10 kW  
Continuous  
500  
500  
±20  
V
V
V
①
①
Package with DCB ceramic base plate  
Soldering connections for PCB  
mounting  
①
①
①
ID  
ID  
IDM  
TS = 85°C  
TS = 25°C  
TS = 25°C, tp = ①  
24  
35  
95  
A
A
A
Isolation voltage 3600 V~  
Low RDS(on) HDMOSTM process  
Low package inductance for high  
speed switching  
PD  
TS = 85°C  
170  
W
①
①
Ultrafast diodes  
IS  
ISM  
VGS = 0 V, TS = 25°C  
VGS = 0 V, TS = 25°C, tp = ①  
24  
95  
A
A
Kelvin source for easy drive  
VRRM  
IdAV  
600  
40  
V
A
Applications  
TS = 85°C, rectangular d = 0.5  
①
Three phase input rectifier with power  
IFSM  
TVJ = 45°C, t = 10 ms (50 Hz)  
300  
320  
A
A
factor correction consisting of three  
modules VUM 25-05  
t = 8.3 ms (60 Hz)  
TVJ = 150°C, t = 10 ms (50 Hz)  
260  
280  
A
A
①
For power supplies, UPS, SMPS,  
t = 8.3 ms (60 Hz)  
drives, welding etc.  
P
TS = 85°C  
36  
W
Advantages  
TVJ  
TJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
①
Reduced harmonic content of input  
currents corresponding to standards  
VISOL  
50/60 Hz  
IISOL £ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
3000  
3600  
V~  
V~  
①
Rectifier generates maximum DC  
power with a given AC fuse  
Md  
Weight  
Mounting torque (M5)  
2-2.5/18-22 Nm/lb.in.  
35  
①
Wide input voltage range  
g
①
No external isolation  
①
Easy to mount with two screws  
①
Suitable for wave soldering  
①
High temperature and power cycling  
capability  
① Pulse width limited by TVJ  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 4  
VUM 25-05  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min.  
typ. max.  
VDSS  
VGS(th)  
VGS = 0 V, ID = 2 mA  
VDS = 20 V, ID = 20 mA  
500  
2
V
V
5
IGSS  
IDSS  
VGS = ±20 V, VDS = 0 V  
±500 nA  
VDS = 500 V, VGS = 0 V  
2
mA  
RDS(on)  
RGint  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
0.12  
1.5  
W
W
gfs  
VDS  
VDS = 15 V, IDS = 12 A  
IDS = 24 A, VGS = 0 V  
30  
S
V
1.5  
td(on)  
td(off)  
100 ns  
220 ns  
VDS = 250 V, IDS = 12 A, VGS = 10 V  
Zgen. = 1 W, L-load  
Ciss  
Coss  
Crss  
8.5  
0.9  
0.3  
nF  
nF  
nF  
VDS = 25 V, f = 1 MHz, VGS = 0 V  
Qg  
VDS = 250 V, ID = 12 A, VGS = 10 V  
350  
nC  
RthJS  
0.38 K/W  
VF  
IR  
IF  
= 22 A; TVJ = 25°C  
TVJ =150°C  
1.65  
1.4  
V
V
VR = 600 V, TVJ = 25°C  
VR = 480 V, TVJ = 25°C  
TVJ =125°C  
1.5 mA  
0.25 mA  
7
mA  
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = 125°C  
1.14  
10 mW  
V
IRM  
IF  
= 30 A; -diF/dt = 240 A/ms  
VR = 350 V, TVJ = 100°C  
10  
11  
A
RthJS  
1.8 K/W  
© 2000 IXYS All rights reserved  
2 - 4  
VUM 25-05  
80  
80  
A
2.5  
10 V  
RDS(on) ID=18A  
A
70  
70  
2.0  
7 V  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
6 V  
norm.  
ID  
ID  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
TVJ = 25 C  
TVJ = 125 C  
VGS= 5 V  
0
2
4
VDS  
6
8
10  
V
2
3
4
VGS  
5
6
7
-50  
0
TVJ  
50  
100  
150  
°C  
V
Fig. 1 Typ. output characteristic  
ID = f (VDS) (MOSFET)  
Fig. 2 Typ. transfer characteristics  
ID = f (VGS) (MOSFET)  
Fig. 3 Typ. normalized  
RDS(on) = f (TVJ) (MOSFET)  
1.4  
BVDSS  
VGS(th)  
12  
V
100  
nF  
10  
1.2  
VDS= 250 V  
VGS(th)  
VDSS  
Ciss  
ID = 18 A  
8
10  
VGS  
1.0  
norm.  
IG = 10 mA  
C
6
4
2
0
0.8  
0.6  
0.4  
Coss  
1
Crss  
0.1  
-50  
0
50  
100  
150  
0
100  
200  
Qg  
300 nC 400  
0
5
10  
15  
20  
°C  
V
TVJ  
VDS  
Fig. 4 Typ. normalized BVDSS = f (TVJ)  
VGS(th) = f (TVJ) (MOSFET)  
Fig. 5 Typ. turn-on gate charge  
characteristics, VGS = f (Qg) (MOSFET)  
Fig. 6 Typ. capacitances C = f (VDS),  
f = 1 MHz (MOSFET)  
120  
A
3.0  
80  
s
TVJ=100 C  
µC  
VR= 350 V  
100  
2.5  
max.  
60  
gfs  
IF = 37 A  
IF = 74 A  
IF = 37 A  
IF = 18.5 A  
80  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
Qrr  
IF  
TVJ=150 C  
TVJ=100 C  
TVJ= 25 C  
40  
20  
0
60  
40  
20  
0
typ.  
V
A/ s  
1000  
0.5  
1.0  
1.5  
VF  
2.0  
2.5  
10  
100  
-diF/dt  
0
20  
40  
60  
ID  
80 A 100  
Fig. 7 Typ. transconductance,  
gfs = f (ID) (MOSFET)  
Fig. 8 Forward current versus  
voltage drop (Diodes)  
Fig. 9 Recovery charge versus -diF/dt  
(Diodes)  
© 2000 IXYS All rights reserved  
3 - 4  
VUM 25-05  
50  
A
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.6  
TVJ=100 C  
VR= 350 V  
TVJ=100 C  
VR= 350 V  
µs  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
40  
30  
20  
10  
0
max.  
IF = 37 A  
trr  
IRM  
Kt  
IF = 74 A  
IF = 37 A  
IF = 18.5 A  
IF = 37 A  
IF = 74 A  
IF = 37 A  
IF = 18.5 A  
max.  
IRM  
Qr  
typ.  
typ.  
0
100 200 300 400 500 600  
A/ s  
20 40 60 80 100 120 160  
0
100 200 300 400 500 600  
A/ s  
°C  
-diF/dt  
-diF/dt  
T
TVJ  
Fig. 11 Dynamic parameters versus  
junction temperature (Diodes)  
Fig. 10 Peak reverse current versus  
-diF/dt (Diodes)  
Fig. 12 Recovery time versus  
-diF/dt (Diodes)  
18  
V
16  
0.9  
s
2.5  
VUM 25  
K/W  
2.0  
14  
VFR  
0.7  
0.5  
0.3  
ZthJC  
VFR  
Diode  
12  
10  
8
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
6
tFR  
tFR  
4
MOSFET  
2
0.1  
A/ s  
0
100 200 300 400 600  
0.01  
0.1  
1
10  
s
t
diF/dt  
Fig. 13 Peak forward voltage versus  
-diF/dt (Diodes)  
Fig. 14 Transient thermal impedance junction to case for all devices  
© 2000 IXYS All rights reserved  
4 - 4  
厂商 型号 描述 页数 下载

IXYS

 		VUM24-05 对于升压转换器的功率MOSFET级[ Power MOSFET Stage for Boost Converters ] 4 页

IXYS

 		VUM24-05N 对于升压转换器模块的功率因数校正功率MOSFET级[ Power MOSFET Stage for Boost Converters Module for Power Factor Correction ] 4 页

IXYS

 		VUM2405 对于升压转换器的功率MOSFET级[ Power MOSFET Stage for Boost Converters ] 4 页

IXYS

 		VUM25-05 整流模块三相功率因数校正[ Rectifier Module for Three Phase Power Factor Correction ] 4 页

IXYS

 		VUM33-05 对于升压转换器的功率MOSFET级[ Power MOSFET Stage for Boost Converters ] 4 页

IXYS

 		VUM33-05N 对于升压转换器的功率MOSFET级[ Power MOSFET Stage for Boost Converters ] 4 页

IXYS

 		VUM33-06PH [ Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-8 ] 8 页

LITTELFUSE

 		VUM35-05P1 [ Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ECOPAC-8 ] 1 页

IXYS

 		VUM85-05A 整流模块三相功率因数校正[ Rectifier Module for Three Phase Power Factor Correction ] 3 页

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