英伟达发布Vera智能体AI专用CPU，算力格局迎重大变革

2026 年 5 月 18 日，全球 AI 算力巨头英伟达正式宣布，其首款专为智能体 AI（Agentic AI）设计的专用 CPU——Vera已完成首批交付，接收方包括 Anthropic、OpenAI、SpaceX AI 及甲骨文云等全球顶级 AI 企业与云服务商。其中，甲骨文云基础设施承诺从 2026 年起部署数十万颗 Vera CPU，创下 AI 专用 CPU 领域史上最大规模订单，标志着

龙芯发布自主GPU路线图，国产“CPU+GPU”生态闭环成型

2026 年 5 月 13 日，国产芯片龙头龙芯中科正式发布自研通用图形处理器（GPGPU）完整路线图，并宣布首款独立 GPU 芯片9A1000已成功流片，标志着我国在自主算力核心领域实现关键突破，“CPU+GPU” 自主配套生态正式完成闭环。据官方披露，9A1000 定位入门级桌面与工业场景，性能对标国际主流低端独显 AMD RX55，FP32 单精度浮点算力达 1 TFLOPS，AI 推理算力

先进封装成AI芯片决胜关键：英特尔EMIB良率突破90%，长电科技全球份额持续提升

2026 年 5 月，全球先进封装市场迎来关键突破：英特尔EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术良率突破 90%，并在美国、越南同步推进产能扩张，加速追赶台积电 CoWoS；国内封测龙头长电科技上调 2026 年固定资产投资至 100 亿元，先进封装产能全面扩建，全球份额持续提升。AI 芯片竞争已从制程转向封装，先进封装成为决定算力性能的核心瓶颈。先进封装技术中，台积电 CoWoS 凭借先发优势，垄断

OpenAI联合五大巨头发布MRC协议：AI集群互联革命，国产交换芯片迎来替代窗口期

2026 年 5 月 6 日，OpenAI 联合AMD、博通、英特尔、微软五大科技巨头，正式发布MRC（多路径可靠连接）协议，并将其贡献给 OCP 开放计算项目，引发全球 AI 算力集群互联架构革命性变革。该协议彻底重构 GPU 集群互联模式，交换芯片需求呈数量级增长，国产 25.6T/51.2T 交换芯片迎来规模化替代窗口期。传统 AI 集群采用 “域外收敛” 互联架构，GPU 网卡与交换机端口

国产AI芯片底层架构突破：寒序科技联手三星，8nm eMRAM芯片实现亚洲首例商业化

2026 年 5 月 8 日，国产 AI 芯片企业寒序科技联合三星及生态伙伴 SEMIFIVE，基于三星 8 纳米 eMRAM 工艺的边缘 AI 芯片成功流片，这是亚洲范围内首个实现商业化落地的 8nm eMRAM 工艺芯片项目，标志着国产芯片在底层架构与先进存储技术领域实现重大突破。此次合作打破传统 “海外设计 + 国内制造” 模式，开创 **“中国主导核心技术 + 韩国产线支持”** 的全新范

三星技术与市值双突破：2nm良率追平台积电，HBM4垄断AI存储高端市场

2026 年 5 月，三星电子迎来历史性时刻：市值突破1 万亿美元，成为继台积电之后亚洲第二家、韩国首家迈入 “万亿俱乐部” 的科技企业。业绩爆发背后，是三星在先进制程、HBM 存储领域的技术突破与市场垄断，全球芯片竞争格局加速重构。先进制程方面，三星 2 纳米工艺（SF2）良率实现跨越式提升。截至 2026 年 3 月，SF2 良率突破 60%，已接近台积电 2nm（60%-70%）水平，为大规

台积电双节点战略落地：2nm全面冲刺，A系列新工艺剑指AI与手机双赛道

2026 年 5 月，台积电在年度技术峰会上正式公布2nm（N2）与 A 系列差异化工艺路线，同步加速先进产能扩张与技术迭代，巩固全球代工龙头地位，同时应对 AI 算力爆发与手机市场分化的双重需求。在先进制程竞争中，台积电 2nm 工艺（N2）作为首个全环绕栅极（GAA）节点，已进入量产冲刺阶段。该工艺采用纳米片晶体管结构，相较 3nm（N3E）在相同功耗下性能提升 10%-15%，或相同性能下功

国产AI芯片进入商业化拐点：自给率将达86%，从“能用”到“好用”全面跨越

2026 年 5 月，国产 AI 芯片产业迎来里程碑式拐点：从 “政策驱动” 转向 “利润驱动”，从 “可用” 迈向 “好用”，自给率快速提升。摩根斯坦利报告预测，中国 AI 芯片市场规模 2030 年将达 670 亿美元，国产芯片自给率从 2024 年的 33% 大幅提升至 86%，进入全球第一梯队。技术端，国产 AI 芯片性能全面对标国际主流，部分领域实现超越。寒武纪 MLU590 芯片在特定

存储超级周期持续发酵：HBM一货难求，DRAM一季度暴涨95%，国产HBM3e迎突破

2026 年 5 月，全球存储芯片市场超级周期持续强化，供需失衡达到历史峰值。WSTS 数据显示，2026 年 3 月全球半导体销售额同比增长 88.1%，其中存储芯片同比暴涨 271.1%（接近 4 倍）；一季度 DRAM 合约价暴涨 90%-95%，NAND 闪存涨幅达 55%-60%，部分现货价格一年涨近 10 倍。涨价核心驱动力来自AI 服务器爆发式需求。单台 AI 服务器对 DRAM 需

联发科挖角台积电研发大将：先进封装成必争之地，AI算力军备竞赛升级

2026 年 5 月 3 日，联发科官方确认，台积电前研发副总经理余振华正式加盟，担任非全职顾问。余振华是台积电 “研发六骑士” 之一，深度参与台积电 2nm/3nm 工艺、CoWoS 先进封装技术研发，被誉为 “先进封装奠基人”。此次挖角，直指联发科在 AI 先进封装领域的战略布局。AI 芯片竞争已从 “工艺制程” 延伸至 “先进封装”。随着 HBM 堆叠层数突破 12 层、Chiplet 芯粒