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品牌：
TI (26) VISHAY (13) diodes (11) ST (5) INFINEON (4) ALTERA (4) MICROCHIP (4) XILINX (4) HDSC (2) GLOBALCHIP (2) NEXPERIA (2) CYPRESS (2) 华大 (2) ON-BRIGHT (2) NXP (1) STM (1) FREESCALE (1) MURATA (1) BROADCHIP (1) 泉芯 (1) RENESAS (1) NewCoSemi (1) 合泰 (1) XHSC (1) HICHIPS (1) BROADCOM (1) ON (1) CRMICRO (1) AMPAK (1) APM (1)
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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

CRSS042N10N 复制

品牌：CRMICRO复制

编号：E017204

类目： 场效应管(MOSFET)

漏源电压(Vdss)： 100V

连续漏极电流(Id)： 120A

导通电阻(RDS(on))： 3.7mΩ@10V，50A

耗散功率(Pd)： 227W

10+： ¥ 1.380000

广东： 3000+

1 个/PCS

总额：¥ 13.8

XA7Z020-1CLG400I 复制

品牌：XILINX复制

编号：E017163

手册:  

10+： ¥ 150.000000

广东： 100000+

1 个/PCS

总额：¥ 1500

近期成交31单+

X10S 复制

品牌：HICHIPS复制

编号：E017251

类目： LED驱动

开关频率： 1MHz

通道数： 1

输出电压： -

输出电流： 1.5A

10+： ¥ 0.280000

广东： 90000+

1 个/PCS

总额：¥ 2.8

近期成交36单+

OB2573TCPA 复制

品牌：ON-BRIGHT复制

编号：E017236

10+： ¥ 0.880000

广东： 64000+

1 个/PCS

总额：¥ 8.8

OB2372CPA 复制

品牌：ON-BRIGHT复制

编号：E017235

10+： ¥ 0.730000

广东： 64000+

1 个/PCS

总额：¥ 7.3

SI2371EDS-T1-GE3 复制

品牌：VISHAY复制

编号：E017215

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

10+： ¥ 0.420000

广东： 60000+

1 个/PCS

总额：¥ 4.2

QX4115 复制

品牌：泉芯复制

编号：E017252

类目： LED驱动

通道数： 1

调光： PWM

工作温度： -20℃~+85℃

10+： ¥ 0.130000

广东： 50000+

1 个/PCS

总额：¥ 1.3

TPS2061CDBVR 复制

品牌：TI复制

编号：E017172

类目： 锁存器

手册:  

输出类型： 三态

工作电压： 2V~6V

通道数： 8

拉电流(IOH)： 7.8mA

10+： ¥ 0.900000

广东： 42000+

1 个/PCS

总额：¥ 9

TPS61291DRVR 复制

品牌：TI复制

编号：E017164

类目： 锁存器

输出类型： 三态

工作电压： 2V~6V

通道数： 8

拉电流(IOH)： 7.8mA

10+： ¥ 1.300000

广东： 39000+

1 个/PCS

总额：¥ 13

VS-3EJH02HM3/6A 复制

品牌：VISHAY复制

编号：E017237

类目： 场效应管(MOSFET)

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

10+： ¥ 0.350000

广东： 35000+

1 个/PCS

总额：¥ 3.5

AP3418KTR-G1 复制

品牌：diodes复制

编号：E017254

类目： 超势垒整流器(SBR)

正向压降(Vf)： 520mV@10A

直流反向耐压(Vr)： 60V

整流电流： 10A

反向电流(Ir)： 400uA@60V

10+： ¥ 0.450000

广东： 33000+

1 个/PCS

总额：¥ 4.5

近期成交40单+

SI1539CDL-T1-GE3 复制

品牌：VISHAY复制

编号：E017216

类目： 场效应管(MOSFET)

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

10+： ¥ 0.660000

广东： 33000+

1 个/PCS

总额：¥ 6.6

SI2305CDS-T1-GE3 复制

品牌：VISHAY复制

编号：E017256

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

10+： ¥ 0.220000

20+： ¥ 0.210000

30+： ¥ 0.200000

广东： 30000+

1 个/PCS

总额：¥ 2.2

近期成交20单+

SI4178DY-T1-GE3 复制

品牌：VISHAY复制

编号：E017219

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

10+： ¥ 0.600000

广东： 30000+

1 个/PCS

总额：¥ 6

SI2343CDS-T1-GE3 复制

品牌：VISHAY复制

编号：E017217

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

10+： ¥ 0.430000

广东： 30000+

1 个/PCS

总额：¥ 4.3

AP6946A 复制

品牌：APM复制

编号：E017182

10+： ¥ 0.320000

广东： 30000+

1 个/PCS

总额：¥ 3.2

STM32F051C8T6 复制

品牌：ST复制

编号：E017165

类目： 线性稳压器(LDO)

工作电压： 35V

输出电压： -

输出电流： 1.5A

电源纹波抑制比(PSRR)： 60dB@(120Hz)

10+： ¥ 13.000000

广东： 30000+

1 个/PCS

总额：¥ 130

US1M-E3/61T 复制

品牌：vishay复制

编号：E014490

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

10+： ¥ 0.130000

广东： 180000+

1 个/PCS

总额：¥ 1.3

TLE4266G 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E017177

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

10+： ¥ 3.200000

广东： 22178+

1 个/PCS

总额：¥ 32

AH3572-SA-7 复制

品牌：DIODES复制

编号：E017209

类目： 超势垒整流器(SBR)

手册:  

正向压降(Vf)： 520mV@10A

直流反向耐压(Vr)： 60V

整流电流： 10A

反向电流(Ir)： 400uA@60V

10+： ¥ 1.300000

广东： 21000+

1 个/PCS

总额：¥ 13

Total:9912345
总99条记录，每页20条，共5页。

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