产品描述：全新
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| 商品目录 |
场效应管(MOSFET) |
| 数量 |
1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) |
400V |
| 连续漏极电流(Id) |
6.3A |
| 导通电阻(RDS(on)) |
550mΩ@10V，6A |
| 耗散功率(Pd) |
125W |
| 阈值电压(Vgs(th)) |
4V |
| 栅极电荷量(Qg) |
63nC@10V |
| 输入电容(Ciss) |
1.4nF |
| 反向传输电容(Crss) |
120pF@25V |
| 工作温度 |
-55℃~+150℃ |
PDF描述：Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
