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SI2308BDS-T1-GE3 复制

品牌:VISHAY复制

编号:E004466

类目: 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss): 400V

连续漏极电流(Id): 6.3A

导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd): 125W

1+: ¥ 3.930000

10+: ¥ 3.270000

100+: ¥ 2.480000

500+: ¥ 1.990000

1000+: ¥ 1.770000

US: 1+

1 个/EA

总额:¥ 3.93

SI2308BDS-T1-GE3 复制

品牌:威世复制

编号:G11612099

封装:SOT23

类目: 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 2.3A

导通电阻(RDS(on)): 192mΩ@4.5V,1.7A

耗散功率(Pd): 1.8W

1+: ¥ 0.770000

总额:¥ 0.77

Total:21
总2条记录,每页20条,共1页。