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Si2308BDS-T1-GE3

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Si2308BDS-T1-GE3

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威世

品牌:

威世

型号:

Si2308BDS-T1-GE3

编号:

G11612099

包装:

批号:

22

封装:

SOT23

毛量:

0.001克(g)

描述:

数据手册

产品详情
数据手册PDF

产品描述：

产品参数

产品属性	属性值
商品目录	场效应管(MOSFET)
数量	1个N沟道
漏源电压(Vdss)	60V
连续漏极电流(Id)	2.3A
导通电阻(RDS(on))	192mΩ@4.5V，1.7A
耗散功率(Pd)	1.8W
阈值电压(Vgs(th))	3V@250uA
栅极电荷量(Qg)	6.8nC@10V
输入电容(Ciss)	-
反向传输电容(Crss)	-
工作温度	-
类型	N沟道
输出电容(Coss)	-

PDF描述：N-Channel 60-V (D-S) MOSFET N通道60 -V （D -S ）的MOSFET

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