产品描述：
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| 商品目录 |
场效应管(MOSFET) |
| 数量 |
2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) |
20V |
| 连续漏极电流(Id) |
7.5A |
| 导通电阻(RDS(on)) |
34mΩ@1.8V，5A |
| 耗散功率(Pd) |
1.5W |
| 阈值电压(Vgs(th)) |
500mV |
| 栅极电荷量(Qg) |
15.4nC@10V |
| 输入电容(Ciss) |
1.39nF@10V |
| 反向传输电容(Crss) |
150pF@10V |
| 工作温度 |
-55℃~+150℃ |
| 配置 |
共漏 |
PDF描述：Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管
