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2SK2669

型号：

2SK2669

描述：

HVX - 2系列功率MOSFET （ 900V 5A ）[ HVX-2 Series Power MOSFET(900V 5A) ]

品牌：

SHINDENGEN[ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]

页数：

12 页

PDF大小：

428 K

下载PDF手册
SHINDENGEN  
HVX-2 Series Power MOSFET  
N-Channel Enhancement type  
OUTLINE DIMENSIONS  
2SK2669  
( F5V90HVX2 )  
Case : TO-220  
(Unit : mm)  
900V 5A  
FEATURES  
●Input capacitance (Ciss) is small.  
Especially, input capacitance  
at 0 biass is small.  
●The static Rds(on) is small.  
●The switching time is fast.  
●Avalanche resistance guaranteed.  
APPLICATION  
●Switching power supply of AC 240V input  
●High voltage power supply  
●Inverter  
RATINGS  
●Absolute Maximum Ratings （Tc = 25℃）  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings Unit  
-55～150 ℃  
150  
stg  
StorageTemperature  
T
T
ch  
ChannelTemperature  
DSS  
GSS  
D
Drain-SourceVoltage  
V
V
900  
±30  
5
10  
5
60  
V
Gate-SourceVoltage  
ContinuousDrainCurrent（DC）  
ContinuousDrainCurrent（Peak)  
ContinuousSourceCurrent（DC）  
TotalPowerDissipation  
I
DP  
I
S
I
Pulsewidth≦10μs, Dutycycle≦1/100  
A
T
P
W
AR  
ch  
T =150℃  
RepetitiveAvalancheCurrent  
SingleAvalancheEnergy  
RepetitiveAvalancheEnergy  
MountingTorque  
I
5
100  
10  
A
mJ  
AS  
AR  
ch  
T =25℃  
E
E
ch  
T =25℃  
TOR （Recommendedtorque：0.3 N･m ）  
0.5  
N･m  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
2SK2669 ( F5V90HVX2 )  
HVX-2 Series Power MOSFET  
●Electrical Characteristics Tc = 25℃  
Item  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Leakage Current  
Forward Tranｓconductance  
V(BR)DSS ID = 1mA, VGS = 0V  
900  
V
μA  
IDSS  
IGSS  
gfs  
VDS = 900V, VGS = 0V  
VGS = ±30V, VDS = 0V  
ID = 2.5A, VDS = 10V  
250  
±0.1  
2.4  
2.5  
4.0  
2.1  
3.0  
S
Ω
V
Static Drain-Source On-ｓtate Resistance RDS(ON) ID =2.5A, VGS = 10V  
2.8  
3.5  
1.5  
Gate Threshold Voltage  
Source-Drain Diode Forward Voltage  
Thermal Resistance  
VTH  
VSD  
ID = 1mA, VDS = 10V  
IS = 2.5A, VGS = 0V  
θjc junction to case  
2.08 ℃/Ｗ  
nC  
Total Gate Charge  
Qg  
Ciss  
Crss  
Coss  
ton  
VGS = 10V, ID = 5A, VDD = 400V  
45  
1140  
23  
105  
55  
Input Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
Turn-On Time  
VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHZ  
ID = 2.5A, VGS = 10V, RL = 60Ω  
pF  
100  
ns  
Turn-Off Time  
toff  
210 350  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
2SK2669  
Transfer Characteristics  
10  
8
Tc = - 55°C  
25°C  
6
100°C  
150°C  
4
2
V
DS  
= 25V  
TYP  
0
0
5
10  
15  
20  
Gate-Source Voltage VGS [V]  
2SK2669 Static Drain-Source On-state Resistance  
100  
10  
1
I = 2.5A  
D
V
GS  
= 10V  
pulse test  
TYP  
0.1  
-50  
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK2669  
Gate Threshold Voltage  
6
5
4
3
2
1
0
V
= 10V  
DS  
I = 1mA  
D
TYP  
-50  
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK2669  
Safe Operating Area  
10  
100ms  
200ms  
1
R
DS(ON)  
1ms  
limit  
10ms  
DC  
0.1  
Tc = 25°C  
Single Pulse  
0.01  
1
10  
100  
1000  
Drain-Source Voltage VDS [V]  
C ° / W ] j c q ( t ) [  
T r a n s i e n t T h e r m a l I m p e d  
2SK2669 Single Avalanche Energy Derating  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
50  
100  
150  
Starting Channel Temperature Tch [°C]  
2SK2669  
Capacitance  
10000  
1000  
100  
10  
Ciss  
Coss  
Crss  
f=1MHz  
Ta=25°C  
TYP  
1
0
20  
40  
60  
80  
100  
Drain-Source Voltage VDS [V]  
A S  
[ A ]  
S i n g l e A v a l a n c h e C u r r e n t I  
2SK2669  
Power Derating  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK2669  
Gate Charge Characteristics  
500  
400  
300  
200  
100  
0
20  
15  
10  
5
V
DS  
V
GS  
V
DD  
= 400V  
200V  
100V  
I = 5A  
TYP  
D
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
Gate Charge Qg [nC]  
厂商 型号 描述 页数 下载

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