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2SK0065(2SK65)

型号:

2SK0065(2SK65)

描述:

小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形FET ]

品牌:

ETC[ ETC ]

页数:

3 页

PDF大小:

196 K

シリコン接合FET ()  
2SK0065 (2SK65)  
シリコンNチャネル接合形  
低周 波インピーダンス変換用  
unit: mm  
エレクトレットコンデンサマイク用  
4.0 0.2  
2.0 0.2  
I 特 長  
G ゲート·ソース間にダイオードを接  
続。  
0.75 max.  
G 雑音電圧が小さい。  
I 絶対最大定格 (Ta = 25°C)  
項目  
ドレイン·ソース電圧  
ゲート·ドレイン電圧  
ドレイン·ソース電流  
ドレイン·ゲート電流  
ゲート·ソース電流  
許容損失  
記号  
VDSO  
VGDO  
IDSO  
IDGO  
IGSO  
PD  
定格  
単位  
V
12  
+0.20  
0.45  
12  
V
0.10  
+0.20  
0.45  
0.10  
(2.5) (2.5)  
2
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
0.7 0.1  
2
2
1: Drain  
2: Gate  
3: Source  
1
2
3
20  
NS-B1 Package  
動作周 囲温度  
Topr  
10 ~ +70  
20 ~ +150  
保存温度  
Tstg  
°C  
I 電気的特性 (Ta = 25°C)  
項目  
記号  
条件  
最小  
標準  
最大  
0.8  
単位  
*
ドレイン·ソースしゃ断電流  
IDSS  
VDS = 4.5V, VGS = 0, RS = 2.2k± 1%  
VDS = 4.5V, VGS = 0  
0.04  
mA  
相互コンダクタンス  
雑音電圧  
gm  
300  
500  
µS  
µV  
dB  
dB  
dB  
RS = 2.2k± 1%, f = 1kHz  
VDS = 4.5V, RS = 2.2k± 1%  
CG = 10pF, A-curve  
NV  
4
VDS = 4.5V, RS = 2.2k± 1%  
CG = 10pF, eG = 100mV, f = 70Hz  
VDS = 12V, RS = 2.2k± 1%  
CG = 10pF, eG = 100mV, f = 70Hz  
VDS = 1V, RS = 2.2k± 1%  
CG = 10pF, eG = 100mV, f = 70Hz  
*
GV1  
10  
9.5  
11  
*
電圧利得  
GV2  
*
GV3  
*
IDSS ランク分類およGV 値  
ランク  
IDSS (mA)  
P
0.04 ~ 0.2  
> 13  
> 12  
< 3  
Q
0.15 ~ 0.8  
> 12  
> 11  
< 3  
GV1 (dB)  
GV2 (dB)  
| GV1 GV2 | (dB)  
) ( ), 従来品  
番です  
241  
シリコン接合FET (小信号)  
2SK0065  
PD Ta  
ID VDS  
ID VGS  
24  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
V
DS=4.5V  
Ta=25˚C  
20  
16  
12  
8
VGS=0V  
0.1V  
0.2V  
0.3V  
Ta=25˚C  
25˚C  
75˚C  
0.4V  
0.5V  
0.6V  
0.7V  
4
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
0
2
4
6
8
10  
12  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8 0.4  
0
(
)
( )  
V
( )  
ゲート・ソース電圧 VGS V  
周囲温度 Ta ˚C  
ドレイン・ソース電圧 VDS  
gm VGS  
gm ID  
NF ID  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
24  
20  
16  
12  
8
VDS=4.5V  
f=1kHz  
Ta=25˚C  
VDS=4.5V  
VDS=4.5V  
Rg=100kW  
Ta=25˚C  
f=1kHz  
IDSS=0.9mA  
Ta=25˚C  
IDSS=0.9mA  
0.3mA  
0.1mA  
f=100Hz  
0.3mA  
1kHz  
10kHz  
0.1mA  
4
0
1.0  
0.8 0.6 0.4 0.2  
0
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
(
)
(
)
(
)
ゲート・ソース電圧 VGS  
V
ドレイン電流 ID mA  
ドレイン電流 ID mA  
NF Rg  
NF f  
24  
20  
16  
12  
8
16  
14  
12  
10  
8
VDS=4.5V  
ID=300µA  
Ta=25˚C  
VDS=4.5V  
ID=300µA  
Ta=25˚C  
f=100Hz  
1kHz  
10kHz  
Rg=10kΩ  
100kΩ  
6
4
4
2
1000kΩ  
0
0.1  
0
0.3  
1
3
10  
30  
100  
0.01 0.03  
0.1  
0.3  
f
1
3
10  
(
)
(
)
KHz  
信号源抵抗 Rg k  
周波数  
2
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項  
(1) 本資料に記載の製および技術で「外国為替及び外国貿易法該当するものを輸出する時ま  
たは外に持ち出す時は本政府の許可が必です。  
(2) 本資料に記載の技術情報は製の代表特性および応用回路例などを示したものであり業所有  
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。  
一般電子機器(事務機器機器測機器電  
(3) 本資料に記載されている製品  
準用途  
など)に使用されることを意図しております。  
特別な品  
信  
頼性が要  
求されの故障や誤動作が直接人命を脅かしたり体に危害を及ぼす  
特定用途(宙用通機器焼機器命維持装置全装置など)に  
ご使用をお考えのお様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお様は前  
弊社営業窓口までご相談願います。  
恐れのある用途  
(4) 本資料に掲載しております製品  
りますのでご了承くださいたがって終的な設計購入使用に際しましてはに最新  
の製規格書または仕様書をお求め願い確認ください。  
および製仕様は良などのために予告なく変更する場合があ  
(5) 設計に際してに最大定格作電源電圧範囲熱特性については保証範囲内でご使用いただ  
きますようお願い致します証値を超えてご使用された場合の後に発生した機器の欠陥につ  
いては弊社として責  
また証値内のご使用であっても社製の動作が因でご使用機器が各種法令に抵触しな  
いような冗長設計をお願いします。  
任を負いません。  
(6) 防湿包装を必とする製につきましては々の仕様書取り交わしの折り決めた条件 (保存  
期間封後の放置時間など)を守ってご使用ください。  
(7) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに載または複製することを堅くお断り  
いたします。  
本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項  
A. 本資料は客  
記載されている販売可能な種および技術情報等は告なく常に更新しておりますので検討  
にあたってはめに弊社営業部門にお問い合わせの上新の情報を入手願います。  
様のご用途に応じた適切な松下半導体製を購入いただくためのご紹介資料です。  
B. 本資料は正確を期し制作したものですが載ミス等の可能性がありますたがって弊  
社は資料中の記述誤り等から生じる損害には任を負わないものとさせて頂きます。  
C. 本資料は様ご自身でのご利用を意図しておりますたがって社の文書による許可なく、  
インターネットや他のあらゆる手段によって複製売および第三者に提供するなどの行為を禁止  
いたします。  
2001 MAR  
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 40uA的我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 150UA我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

2SK0198(2SK198) 2SK0198 ( 2SK198 ) - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

2SK0198R [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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