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2SK2188

型号：

2SK2188

描述：

VX - 2系列功率MOSFET （ 500V 10A ）[ VX-2 Series Power MOSFET(500V 10A) ]

品牌：

SHINDENGEN[ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]

页数：

10 页

PDF大小：

361 K

下载PDF手册
SHINDENGEN  
VX-2 Series Power MOSFET  
N-Channel Enhancement type  
OUTLINE DIMENSIONS  
2SK2188  
(F10F50VX2)  
ase:FTO-220  
(Unit : mm)  
500V 10A  
FEATURES  
●Input capacitance (Ciss) is small.  
Especially, input capacitance  
at 0 biass is small.  
●The static Rds(on) is small.  
●The switching time is fast.  
APPLICATION  
●Switching power supply of AC 100V input  
●High voltage power supply  
●Inverter  
RATINGS  
●Absolute Maximum Ratings （Tc = 25℃）  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings Unit  
-55～150 ℃  
150  
stg  
StorageTemperature  
T
T
ch  
ChannelTemperature  
DSS  
Drain-SourceVoltage  
V
500  
±30  
10  
30  
10  
40  
10  
2
0.5  
V
Gate-SourceVoltage  
VGSS  
D
I
DP  
I
S
I
PT  
AS  
I
ContinuousDrainCurrent（DC）  
ContinuousDrainCurrent（Peak)  
ContinuousSourceCurrent（DC）  
TotalPowerDissipation  
SinglePulseAvalancheCurrent  
DielectricStrength  
A
W
ch  
T =25℃  
A
kV  
N・m  
dis  
V
Terminalstocase, AC 1minute  
MountingTorque  
TOR （Recommendedtorque: 0.3N･m ）  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
VX-2 Series Power MOSFET  
2SK2188 ( F10F50VX2 )  
●Electrical Characteristics Tc = 25℃  
Item  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Leakage Current  
Forward Tranｓconductance  
Static Drain-Source On-ｓtate Resistance  
Gate Threshold Voltage  
Source-Drain Diode Forwade Voltage  
Theｒmal Resistance  
Total Gate Charge  
Input Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
Turn-On Time  
Symbol  
V(BR)DSS ID = 1mA, VGS = 0V  
IDSS  
IGSS  
gfs  
RDS(ON) ID = 5A, VGS = 10V  
VTH  
VSD  
Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
500  
V
μA  
VDS = 500V, VGS = 0V  
VGS = ±30V, VDS = 0V  
ID = 5A, VDS = 10V  
250  
±0.1  
2.4  
2.5  
6.3  
0.8  
3.0  
S
Ω
V
1.0  
3.5  
1.5  
ID = 1mA, VDS = 10V  
IS = 5A, VGS = 0V  
θjc junction to case  
3.12 ℃/Ｗ  
nC  
Qg  
Ciss  
Crss  
Coss  
ton  
VDD = 400V, VGS = 10V, ID = 10A  
30  
890  
70  
VDS = 10V, VGS = 0V, f = 1MHZ  
pF  
200  
70  
ID = 5A, VGS = 10V, RL = 30Ω  
110  
ns  
Turn-Off Time  
toff  
VGS = 0V  
140 220  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
2SK2188  
Transfer Characteristics  
20  
15  
10  
5
Tc = - 55°C  
25°C  
100°C  
150°C  
V
DS  
= 25V  
pulse test  
TYP  
0
0
5
10  
15  
20  
Gate-Source Voltage VGS [V]  
2SK2188 Static Drain-Source On-state Resistance  
10  
I = 5A  
D
1
V
GS  
= 10V  
pulse test  
TYP  
0.1  
-50  
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK2188  
Gate Threshold Voltage  
6
5
4
3
2
1
0
V
= 10V  
DS  
I = 1mA  
D
TYP  
-50  
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK2188  
Safe Operating Area  
100  
10  
100ms  
200ms  
R
limit  
DS(ON)  
1ms  
1
10ms  
0.1  
DC  
Tc = 25°C  
Single Pulse  
0.01  
1
10  
100  
1000  
Drain-Source Voltage VDS [V]  
C ° / W ] j c q ( t ) [  
T r a n s i e n t T h e r m a l I m p e d  
2SK2188  
Capacitance  
10000  
1000  
100  
Ciss  
Coss  
Crss  
f=1MHz  
Tc=25°C  
TYP  
10  
0
20  
40  
60  
80  
100  
Drain-Source Voltage VDS [V]  
2SK2188  
Power Derating  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK2188  
Gate Charge Characteristics  
500  
400  
300  
200  
100  
0
20  
15  
10  
5
V
DS  
V
DD  
= 400V  
V
GS  
200V  
100V  
I = 10A  
D
TYP  
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
Gate Charge Qg [nC]  
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