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2SK3697-01

型号：

2SK3697-01

描述：

N沟道硅功率MOSFET[ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

4 页

PDF大小：

119 K

下载PDF手册
2SK3697-01  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
FUJI POWER MOSFET  
200407  
Outline Drawings (mm)  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
No secondary breakdown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristic  
Absolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Ratings  
600  
Unit  
V
Remarks  
VGS=-30V  
Ta=25°C  
Drain-source voltage  
VDS  
VDSX  
ID  
600  
V
Continuous Drain Current  
±42  
A
±2.7  
±168  
±30  
A
Equivalent circuit schematic  
Pulsed Drain Current  
Gate-Source Voltage  
Non-Repetitive  
ID(puls]  
VGS  
A
Drain(D)  
V
<
IAR  
42  
A
Tch 25°C  
=
Maximum Avalanche current  
Repetitive  
<
IAR  
21  
A
Tch 150°C  
=
Maximum Avalanche current  
Non-Repetitive  
Gate(G)  
EAS  
828  
mJ  
Note *2  
<
Source(S)  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Peak Diode Recovery di/dt  
Max. Power Dissipation  
dVDS/dt  
dV/dt  
-di/dt  
PD  
20  
5
kV/µs  
VDS 600V  
=
Note *2:StartingTch=25°C,L= 861µH,VCC=60V  
See to the ‘Avalanche Energy’ graph  
kV/µs Note *3  
100  
Note *4  
A/µs  
W
<
<
<
Note *3:IF -ID, -di/dt = 100A/µs,VCC BVDSS,Tch 150°C  
=
<
=
<
=
600  
Tc=25°C  
Ta=25°C  
<
Note *4:IF -ID, -dV/dt = 5kV/µs,VCC BVDSS,Tch 150°C  
=
=
=
2.50  
Operating and Storage  
Temperature range  
Tch  
+150  
-55 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
BVDSS  
VGS(th)  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
V
Drain-Source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
600  
3.0  
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
5.0  
Tch=25°C  
µA  
25  
VDS=600V VGS=0V  
VDS=480V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
10  
Zero Gate Voltage Drain Current  
IDSS  
Tch=125°C  
mA  
nA  
1.0  
10  
0.14  
2.0  
100  
0.17  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
Gate-Source Leakage Current  
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
ID=21A VGS=10V  
Ω
S
ID=21A VDS=25V  
VDS=25V  
20  
40  
5100  
700  
48  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
pF  
7650  
VGS=0V  
Output Capacitance  
1050  
72  
f=1MH  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Time ton  
ns  
VCC=300V  
ID=21A  
60  
90  
90  
135  
270  
45  
td(off)  
tf  
180  
30  
Turn-Off Time toff  
VGS=10V  
RGS=10 Ω  
VCC=300V  
QG  
105  
44  
160  
65  
nC  
Total Gate Charge  
ID=42A  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
µH Tch=  
L=861 25°C  
30  
45  
42  
A
Avalanche Capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
IF=42A VGS=0V Tch=25°C  
IF=42A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
1.10  
160  
1.00  
1.70  
250  
2.5  
VSD  
V
trr  
Qrr  
ns  
µC  
Thermal characteristics  
Item  
Symbol  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
Test Conditions  
channel to case  
channel to ambient  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
0.208 °C/W  
Thermal resistance  
°C/W  
50.0  
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd  
1
2SK3697-01  
FUJI POWER MOSFET  
Characteristics  
Typical Output Characteristics  
ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25 °C  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
120  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
20V  
10V  
8V  
7.0V  
6.5V  
VGS=6.0V  
0
4
8
12  
16  
20  
24  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
VDS [V]  
Tc [°C]  
Typical Transfer Characteristic  
ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C  
Typical Transconductance  
gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C  
100  
10  
1
100  
10  
1
0.1  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
VGS[V]  
ID [A]  
Typical Drain-Source on-state Resistance  
RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25°C  
Drain-Source On-state Resistance  
RDS(on)=f(Tch):ID=21A,VGS=10V  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
VGS=6V  
6.5V  
7.0V  
8V  
10V  
20V  
max.  
typ.  
0
20  
40  
60  
80  
100  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Tch [°C]  
ID [A]  
2
2SK3697-01  
FUJI POWER MOSFET  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
Typical Gate Charge Characteristics  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250µA  
VGS=f(Qg):ID=42A,Tch=25°C  
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
14  
12  
10  
8
Vcc= 120V  
300V  
max.  
min.  
480V  
6
4
2
0
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
180  
Tch [°C]  
Qg [nC]  
Typical Capacitance  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
IF=f(VSD):80 µs pulse test,Tch=25°C  
105  
104  
103  
102  
101  
100  
10  
1
Ciss  
Coss  
Crss  
0.1  
100  
101  
102  
103  
0.00  
0.25  
0.50  
0.75  
1.00  
1.25  
1.50  
1.75  
2.00  
VSD [V]  
VDS [V]  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
t=f(ID):Vcc=300V,VGS=10V,RG=10 Ω  
2500 E(AV)=f(starting Tch):Vcc=60V,I(AV)<=42A  
103  
102  
101  
IAS=17A  
2000  
td(off)  
1500  
IAS=26A  
td(on)  
1000  
IAS=42A  
tf  
tr  
500  
0
100  
101  
102  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
starting Tch [°C]  
ID [A]  
3
2SK3697-01  
FUJI POWER MOSFET  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
I(AV)=f(starting Tch):Vcc=60V  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
Non-Repetitive  
(Single Pulse)  
Repetitive  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
200  
starting Tch [°C]  
Maximum Avalanche Current Pulsewidth  
IAV=f(tAV):starting Tch=25°C,Vcc=60V  
102  
101  
100  
10-1  
10-2  
Single Pulse  
10-8  
10-7  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
tAV [sec]  
Maximum Transient Thermal Impedance  
Zth(ch-c)=f(t):D=0  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
t [sec]  
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
4
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

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ETC

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