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LYS269-BO

型号：

LYS269-BO

描述：

LC SOT- 23 LED ，扩散低电流LED[ LC SOT-23 LED, Diffused Low Current LED ]

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

7 页

PDF大小：

68 K

下载PDF手册
LC SOT-23 LED, Diffused  
Low Current LED  
LS S269, LY S269, LG S269  
Besondere Merkmale  
● eingefärbtes, diffuses Gehäuse  
● extrem weitwinklig  
● als optischer Indikator einsetzbar  
● hohe Lichtstärke bei kleinen Strömen (typ. 2 mA)  
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet  
● gegurtet (8-mm-Filmgurt)  
Features  
● colored, diffused package  
● extrem wide-angle LED  
● for use as optical indicator  
● high luminous intensity at very low currents (typ. 2 mA)  
● suitable for all SMT assembly and soldering methods  
● available taped on reel (8 mm tape)  
Typ  
Type  
Emissionsfarbe Gehäusefarbe  
Lichtstärke  
Luminous  
Intensity  
IF = 2 mA  
IV (mcd)  
Bestellnummer  
Ordering Code  
Color of  
Color of  
Package  
Emission  
LS S269-BO  
LY S269-BO  
LG S269-BO  
super-red  
yellow  
red diffused  
≥ 0.16  
≥ 0.16  
≥ 0.16  
Q62703-Q1566  
Q62703-Q1568  
Q62703-Q1570  
yellow diffused  
green diffused  
green  
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.  
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.  
Semiconductor Group  
1
1998-04-07  
LS S269, LY S269, LG S269  
Grenzwerte  
Maximum Ratings  
Bezeichnung  
Parameter  
Symbol  
Symbol  
Werte  
Values  
Einheit  
Unit  
Betriebstemperatur  
T
op  
– 55 … + 100  
˚C  
Operating temperature range  
Lagertemperatur  
Storage temperature range  
T
– 55 … + 100  
+ 100  
˚C  
stg  
Sperrschichttemperatur  
Junction temperature  
T
j
˚C  
Durchlaßstrom  
Forward current  
IF  
7.5  
mA  
mA  
Stoßstrom  
IFM  
150  
Surge current  
t ≤ 10 µs, D = 0.005  
Sperrspannung  
Reverse voltage  
VR  
5
V
Verlustleistung  
Power dissipation  
TA ≤ 25 ˚C  
P
tot  
20  
mW  
Wärmewiderstand  
Thermal resistance  
Sperrschicht / Luft  
Junction / air 1)  
Rth JA  
750  
K/W  
1)  
Auf Platine gelötet: Lötfläche ≥ 16 cm2  
1)  
Soldered on PC board: pad size ≥ 16 cm2  
Semiconductor Group  
2
1998-04-07  
LS S269, LY S269, LG S269  
Kennwerte (TA = 25 ˚C)  
Characteristics  
Bezeichnung  
Parameter  
Symbol  
Symbol  
Werte  
Values  
Einheit  
Unit  
LS  
LY  
LG  
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) λpeak  
635  
586  
590  
45  
565  
nm  
nm  
nm  
Wavelength at peak emission  
(typ.)  
IF = 7.5 mA  
Dominantwellenlänge  
Dominant wavelength  
IF = 7.5 mA  
(typ.) λdom  
(typ.)  
628  
45  
570  
25  
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) ∆λ  
Spectral bandwidth at 50 % Irel max  
IF = 7.5 mA  
(typ.)  
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)  
Viewing angle at 50 % IV  
2ϕ  
140  
140  
140  
Grad  
deg.  
Durchlaßspannung  
Forward voltage  
IF = 2 mA  
(typ.) VF  
(max.) VF  
1.8  
2.6  
2.0  
2.7  
1.9  
2.6  
V
V
Sperrstrom  
Reverse current  
VR = 5 V  
(typ.) IR  
(max.) IR  
0.01  
10  
0.01  
10  
0.01  
10  
µA  
µA  
Kapazität  
(typ.) C0  
3
3
12  
pF  
Capacitance  
VR = 0 V, ƒ = 1 MHz  
Schaltzeiten:  
Switching times:  
IV from 10 % to 90 %  
IV from 90 % to 10 %  
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω  
(typ.) tr  
(typ.) tf  
200  
150  
200  
150  
450  
200  
ns  
ns  
Semiconductor Group  
3
1998-04-07  
LS S269, LY S269, LG S269  
Relative spektrale Emission Irel = ƒ (λ), TA = 25 ˚C, IF = 7.5 mA  
Relative spectral emission  
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit  
Standard eye response curve  
OHL01698  
100  
%
Ιrel  
80  
V
λ
60  
40  
20  
0
400  
450  
500  
550  
600  
650  
700  
nm  
λ
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)  
Radiation characteristic  
40  
30  
20  
10  
0
OHL01693  
ϕ
1.0  
50  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
60  
70  
80  
90  
100  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
Semiconductor Group  
4
1998-04-07  
LS S269, LY S269, LG S269  
Durchlaßstrom IF = f (VF)  
Forward current  
TA = 25 ˚C  
Relative Lichtstärke IV/IV(2 mA) = f (IF)  
Relative luminous intensity  
TA = 25 ˚C  
OHL01208  
OHL01207  
10 2  
10 1  
Ι F  
Ι V  
mA  
Ι V(2mA)  
10 0  
5
10 1  
super-red  
green  
5
yellow  
10 -1  
green  
yellow  
super-red  
5
10 0  
5
10 -2  
5
10 -1  
10 -3  
-1  
0
1
2
1.0  
1.4  
1.8  
2.2  
2.6  
3.0  
3.4  
V
mA  
10  
5
10  
5
10  
10  
VF  
Ι F  
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)  
Permissible pulse handling capability  
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C  
Maximal zulässiger Durchlaßstrom  
Max. permissible forward current  
IF = f (TA)  
OHL01278  
OHL01193  
10 3  
8
mA  
6
t P  
Ι F  
Ι F  
mA  
t P  
ΙF  
D
=
=
T
T
D
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 2  
5
5
0.2  
0.5  
4
3
10 1  
5
DC  
2
1
10 0  
0
10-5  
10-4 10-3 10-2 10-1  
100 s 101  
t p  
0
20  
40  
60  
80 ˚C 100  
TA  
Semiconductor Group  
5
1998-04-07  
LS S269, LY S269, LG S269  
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)  
Wavelength at peak emission  
IF = 7.5 mA  
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)  
Dominant wavelength  
IF = 7.5 mA  
OHL01672  
OHL01673  
690  
690  
λ peak  
λ dom  
nm  
nm  
650  
650  
super-red  
super-red  
630  
630  
610  
610  
yellow  
590  
yellow  
green  
590  
570  
550  
green  
570  
550  
0
20  
40  
60  
80 ˚C 100  
0
20  
40  
60  
80 ˚C 100  
TA  
TA  
Durchlaßspannung VF = f (TA)  
Forward voltage  
IF = 2 mA  
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)  
Relative luminous intensity  
IF = 2 mA  
OHL01675  
OHL01750  
2.0  
2.4  
Ι V  
Ι V(25 ˚C)  
1.6  
VF  
V
2.2  
2.0  
1.2  
0.8  
0.4  
0.0  
yellow  
green  
yellow  
green  
1.8  
super-red  
super-red  
1.6  
1.4  
0
20  
40  
60  
80 ˚C 100  
0
20  
40  
60  
80 ˚C 100  
TA  
TA  
Semiconductor Group  
6
1998-04-07  
LS S269, LY S269, LG S269  
Maßzeichnung  
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)  
Package Outlines  
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)  
3.0  
2.8  
1.9  
B
C
0.15  
0.08  
0.95  
A
1
2
3
0.1 max  
0.5  
0.35  
0.25 M  
2˚...30˚  
1.1 max  
B
C
Approx. weight 0.01 g  
Pin configuration  
LS, LY, LG  
1
2
Anode  
3
Cathode  
Anschlußbelegung: (Draufsicht)  
Pin configuration: (top view)  
Semiconductor Group  
7
1998-04-07  
厂商 型号 描述 页数 下载

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