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2SK3613-01

型号：

2SK3613-01

描述：

N沟道硅功率MOSFET[ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

4 页

PDF大小：

116 K

下载PDF手册
2SK3613-01  
200304  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings(mm)
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Fig.1  
Ｐ
MARKING  
照
Fig.1  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.  
Note:1. Dimension shown in ( ) is  
reference values.  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
MARKING  
Trademark  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
250  
Unit  
V
Special  
specification  
for customer  
Lot No.  
Type name  
1 G:Gate
2 S1:Source1  
Drain-source voltage  
3 S2:Source2  
VDSX *5  
ID Tc=25  
Ta=25  
ID(puls]  
220  
±14  
V
4 D:Drain  
°C  
Continuous drain current  
A
°C  
2.2 **  
±
A
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
±56  
±30  
14  
Equivalent circuit schematic  
A
VGS  
V
D : Drain  
Non-repetitive Avalanche current IAS *2  
A
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
EAS *1  
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Tc=25  
Ta=25  
Tch  
129.1  
20  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
G : Gate  
5
°C  
°C  
105  
2.4 **  
S1 : Source  
S2 : Source  
Operating and storage  
temperature range  
** Surface mounted on 1000mm2, t=1.6mm FR-4 PCB(Drain pad area : 500mm2)  
+150  
-55 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
<
*1 L=1.11mH, Vcc=48V,Tch=25°C, See to Avalanche Energy Graph *2 Tch 150°C  
=
<
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
*4 VDS 250V *5 VGS=-30V  
=
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
V
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
250  
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
3.0  
5.0  
25  
Tch=25°C  
µA  
VDS=250V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
260  
VDS=200V VGS=0V  
VGS=±30V VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
10  
200  
10  
785  
88  
4
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=5A VGS=10V  
mΩ  
S
ID=5A VDS=25V  
VDS=75V  
5
Ciss  
pF  
1178  
132  
6
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
VGS=0V  
Output capacitance  
f=1MHz  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=48V ID=5A  
VGS=10V  
12  
2.7  
22  
7.4  
21  
8
18  
4.1  
td(off)  
tf  
33  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
11.1  
31.5  
12  
QG  
VCC=125V  
ID=10A  
nC  
Total Gate Charge  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
5
7.5  
VGS=10V  
14  
L=1.11mH Tch=25°C  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.10  
1.65  
VSD  
trr  
Qrr  
IF=10A VGS=0V Tch=25°C  
IF=10A VGS=0V  
V
0.155  
1.05  
µs  
µC  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
1.191 °C/W  
Symbol  
Rth(ch-c)  
Test Conditions  
channel to case  
Thermal resistance  
°C/W  
87.0  
°C/W  
52.0  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
channel to ambient  
Rth(ch-a) **  
** Surface mounted on 1000mm2, t=1.6mm FR-4 PCB(Drain pad area : 500mm2)  
www.fujielectric.co.jp/denshi/scd  
1
2SK3613-01  
FUJI POWER MOSFET  
Characteristics  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
150  
125  
100  
75  
5
4
3
2
1
0
Surface mounted on  
1000mm2,t=1.6mm FR-4 PCB  
(Drain pad area : 500mm2)  
50  
25  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Tc [°C]  
Tc [°C]  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
EAS=f(starting Tch):Vcc=48V  
Typical Output Characteristics  
ID=f(VDS):80µs Pulse test,Tch=25°C  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
30  
25  
20  
15  
10  
5
IAS=6A  
20V  
10V  
8V  
7.5V  
7.0V  
IAS=9A  
6.5V  
IAS=14A  
6.0V  
VGS=5.5V  
10  
0
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
2
4
6
8
12  
VDS [V]  
starting Tch [°C]  
Typical Transconductance  
Typical Transfer Characteristic  
gfs=f(ID):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C  
ID=f(VGS):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C  
100  
10  
1
100  
10  
1
0.1  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
VGS[V]  
ID [A]  
2
2SK3613-01  
FUJI POWER MOSFET  
Drain-Source On-state Resistance  
Typical Drain-Source on-state Resistance  
RDS(on)=f(Tch):ID=5A,VGS=10V  
RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25°C  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
VGS=  
5.5V  
6.0V  
6.5V  
7.0V  
7.5V  
8V  
10V  
20V  
max.  
typ.  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
Tch [°C]  
ID [A]  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250µA  
Typical Gate Charge Characteristics  
VGS=f(Qg):ID=10A, Tch=25°C  
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
14  
12  
10  
8
max.  
min.  
Vcc= 125V  
6
4
2
0
0
10  
20  
30  
40  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
Qg [nC]  
Tch [°C]  
Typical Capacitance  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
IF=f(VSD):80µs Pulse test,Tch=25°C  
100  
10  
1
100  
10-1  
10-2  
10-3  
Ciss  
Coss  
Crss  
102  
0.1  
10-1  
100  
101  
VDS [V]  
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00  
VSD [V]  
3
2SK3613-01  
FUJI POWER MOSFET  
Thermal Resistance vs. Drain Pad area  
t=1.6mm FR-4 PCB  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
t=f(ID):Vcc=48V, VGS=10V, RG=10Ω  
103  
102  
101  
100  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
tf  
td(off)  
td(on)  
tr  
10-1  
100  
101  
102  
0
1000  
2000  
3000  
4000  
5000  
Drain Pad Area [mm2]  
ID [A]  
Maximum Avalanche Current vs Pulse width  
IAV=f(tAV):starting Tch=25°C,Vcc=48V  
102  
Single Pulse  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-8  
10-7  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
tAV [sec]  
Maximum Transient Thermal Impedance  
Zth(ch-c)=f(t):D=0  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
t [sec]  
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/  
4
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

 		2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス － 小信号FET － 接合形FET ] 3 页

ETC

 		2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 40uA的我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

 		2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 150UA我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

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ETC

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PANASONIC

 		2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

 		2SK0198(2SK198) 2SK0198 （ 2SK198 ） - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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