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WTN9973

型号：

WTN9973

描述：

表面贴装N沟道增强型功率MOSFET[ Surface Mount N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ]

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

6 页

PDF大小：

865 K

下载PDF手册
WTN9973  
Surface Mount N-Channel  
DRAIN CURRENT  
3.9 AMPERES  
Enhancement Mode Power MOSFET  
2,4 DRAIN  
DRAIN SOURCE VOLTAGE  
60 VOLTAGE  
1
4
GATE  
1.GATE  
1
2.DRAIN  
3.SOURCE  
4.DRAIN  
2
3
3
SOURCE  
Features:  
SOT-223  
*Super high dense cell design for low RDS(ON)  
RDS(ON)<80mΩ@VGS=10V  
*Simple Drive Requirement  
*Low Gate Charge  
*SOT-223 Package  
Maximum Ratings(TA=25℃ Unless Otherwise Specified)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current3  
60  
VDS  
VGS  
V
±20  
3.9  
2.5  
20  
,VGS@10V(TA=25℃)  
,VGS@10V(TA=70℃)  
ID  
A
Pulsed Drain Current1,2  
IDM  
PD  
Total Power Dissipation(TA=25 )  
℃
2.7  
45  
W
℃/W  
℃
Maximum Junction-ambient3  
RθJA  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55~+150  
Device Marking  
WTN9973=9973  
1/6  
19-Apr-05  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
WTN9973  
Electrical Characteristics(TA = 25℃ Unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Static  
Drain-Source Breakdown Voltage  
60  
1.0  
-
-
-
-
-
-
-
3.0  
±100  
1
V(BR)DSS  
VGS(Th)  
IGSS  
VGS=0,ID=250μA  
V
Gate-Source Threshold Voltage  
VDS=VGS,ID=250μA  
Gate-Source Leakage Current  
nA  
μA  
VGS= ±20V  
Drain-Source Leakage Current(Tj=25℃)  
VDS=60V,VGS=0  
-
IDSS  
Drain-Source Leakage Current(Tj=70℃)  
VDS=48V,VGS=0  
-
25  
Drain-Source On-Resistance2  
VGS=10V,ID=3.9A  
RDS(on)  
mΩ  
-
-
-
-
80  
100  
VGS=4.5V,ID=2A  
Forward Transconductance  
-
3.5  
-
S
gfs  
VDS=10V,ID=3.9A  
Dynamic  
Input Capacitance  
-
-
-
700  
80  
1120  
Ciss  
Coss  
Crss  
VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz  
Output Capacitance  
pF  
-
-
VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz  
50  
2/6  
19-Apr-05  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
WTN9937  
Switching  
Turn-on Delay Time2  
-
-
-
-
-
-
-
8
4
-
-
td(on)  
VDS=30V,VGS=10V,ID=1A,RD=30Ω,RG=3.3Ω  
Rise Time  
t
r
VDS=30V,VGS=10V,ID=1A,RD=30Ω,RG=3.3Ω  
ns  
Turn-off Delay Time  
20  
6
-
td (off)  
VDS=30V,VGS=10V,ID=1A,RD=30Ω,RG=3.3Ω  
Fall Time  
-
t
f
VDS=30V,VGS=10V,ID=1A,RD=30Ω,RG=3.3Ω  
Total Gate Charge2  
8
13  
-
Qg  
Qgs  
Qgd  
VDS=48V,VGS=4.5V,ID=3.9A  
Gate-Source Charge  
nC  
2
VDS=48V,VGS=4.5V,ID=3.9A  
Gate-Source Change  
4
-
VDS=48V,VGS=4.5V,ID=3.9A  
Source-Drain Diode Characteristics  
Forward On Voltage2  
-
-
-
-
1.2  
-
V
VSD  
VGS=0V,IS=3.9A  
Reverse Recovery Time  
28  
35  
ns  
nC  
T
rr  
VGS=0V,IS=3.9A,dl/dt=100A/μs  
Reverse Recovery Charge  
-
Q
rr  
VGS=0V,IS=3.9A,dl/dt=100A/μs  
Note: 1. Pulse width limited by max, junction temperature.  
≦
≦
2. pulse width 300μs, duty cycle 2%.  
3. Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board; 135℃/W when mounted on min, copper pad.  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
3/6  
19-Apr-05  
WTN9973  
40  
30  
25  
20  
15  
10  
5
10V  
10V  
°
°
T =160 C  
A
T
=25 C  
A
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
6.0V  
5.0V  
4.5V  
6.0V  
5.0V  
4.5V  
VG=3.0V  
VG=3.0V  
7
0
0
0
1
2
3
4
5
6
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
VDS ,Drain-to-source Voltage(V)  
VDS ,DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE(V)  
Fig.2 Typical Output Characteristics  
FIG.1 Typical Output Characteristics  
95  
90  
85  
80  
75  
70  
2.5  
ID = 3.9A  
TA = 25°C  
ID = 3.9A  
VG = 10V  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
-50  
0
50  
100  
150  
3
5
7
9
11  
VGS ,Gate-to-source Voltage(V)  
Tj ,Junction Temperature(°C)  
Fig.3 On-Resistance v.s. Gate Voltage  
Fig.4 Normalized OnResistance  
4
3
2
1
0
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
Tj = 150°C  
Tj = 25°C  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
1.2  
1.4  
-50  
0
50  
100  
150  
VDS ,Source-to-Drain Voltage(V)  
Tj ,Junction Temperature(°C)  
Fig.5 Forward Characteristics of  
Reverse Diode  
Fig.6 Gate Threshold Voltage v.s.  
Junction Temperature  
4/6  
19-Apr-05  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
WTN9973  
f = 1.0MHz  
10000  
1000  
100  
0
14  
ID = 3.9A  
12  
VDS = 30V  
VDS = 38V  
VDS = 48V  
10  
Ciss  
8
6
4
2
0
Coss  
Crss  
1
5
9
13  
17  
21  
25  
29  
0
4
8
12  
16  
20  
VDS, Drain-to-Source Voltage(V)  
QG , Total Gate Charge(nC)  
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics  
Fig 7. Gate Charge Characteristics  
1
100  
10  
Duty factor = 0.5  
0.2  
0.1  
0.1  
0.05  
1ms  
0.02  
1
PDM  
t
0.01  
10ms  
T
0.01  
Duty factor = t / T  
Peak Tj=PDM x Rθju + Tu  
Rθja=135°C / W  
100ms  
0.1  
0.01  
Is  
TA = 25°C  
Single pulse  
Single Pulse  
DC  
0.001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.1  
1
10  
100  
1000  
VDS , Drain-to-Source Voltage(V)  
t, Pulse Width(s)  
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance  
Fig 9. Maximum Safe Operation Area  
VG  
VDS  
90%  
QG  
4.5V  
QGD  
QGS  
10%  
VGS  
td(on) tr  
td(off) tf  
Q
Charge  
Fig.12 Gate Charge Waveform  
Fig 11. Switching Time Circuit  
5/6  
19-Apr-05  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
WTN9973  
SOT-223 Outline Dimensions  
unit:mm  
MILLIMETERS  
A
F
DIM  
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
MIN  
MAX  
6.30  
3.30  
1.50  
0.60  
2.90  
2.20  
6.70  
3.70  
1.75  
0.89  
3.20  
2.40  
4
S
B
1
2
3
D
0.020 0.100  
L
G
0.24  
1.50  
0.85  
0
0.35  
2.00  
1.05  
10  
J
C
M
H
K
6.70  
7.30  
6/6  
19-Apr-05  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
厂商 型号 描述 页数 下载

WINSEMI

 		WTN1A60 逻辑电平双向晶闸管[ Logic Level Bi-Directional Triode Thyristor ] 5 页

WINSEMI

 		WTN1A80 双向晶闸管[ Bi-Directional Triode Thyristor ] 4 页

ETC

 		WTN3 WTN3 040 / 080-8S / 8P （ OTP ）>3 I / O单芯片语音合成器[ WTN3 040/080-8S/8P (OTP) 3 I/O Single-Chip Speech Synthesizer ] 21 页

WEITRON

 		WTN9435 表面贴装P沟道增强型功率MOSF ET[ Surface Mount P-Channel Enhancement Mode Power MOSF ET ] 6 页

WEITRON

 		WTN9575 表面贴装P沟道增强型功率MOSFET[ Surface Mount P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

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