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2SK3501-01

型号：

2SK3501-01

描述：

N沟道硅功率MOSFET[ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

4 页

PDF大小：

105 K

下载PDF手册
FUJI POWER MOSFET  
2SK3501-01  
Super FAP-G Series  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings  
TO-220AB  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
600  
Unit  
V
Drain-source voltage  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
Equivalent circuit schematic  
A
ID  
±10  
±40  
±30  
10  
A
ID(puls]  
VGS  
V
Drain(D)  
A
IAR *2  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
EAS*1  
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
217  
20  
5
Gate(G)  
°C  
°C  
2.02  
Source(S)  
95  
+150  
-55 to +150  
Operating and storage  
temperature range  
°C  
°C  
Tstg  
<
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
*1 L=3.99mH, Vcc=60V *2 Tch 150°C  
=
=
=
=
<
*4 VDS 600V  
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
ID=1mA  
VGS=0V  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
600  
V
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
3.0  
5.0  
25  
V
Tch=25°C  
µA  
VDS=600V VGS=0V  
VDS=480V VGS=0V  
VDS=0V  
VGS=±30V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
10  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=5A VGS=10V  
0.58  
0.75  
Ω
4
8
1200  
140  
6
S
ID=5A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
1800  
210  
9
pF  
VGS=0V  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
f=1MHz  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=300V ID=5A  
17  
26  
15  
23  
VGS=10V  
35  
53  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
7
11  
30  
45  
VCC=250V  
ID=10A  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
11  
16.5  
15  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
10  
VGS=10V  
10  
L=3.99mH Tch=25°C  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.00  
1.50  
IF=10A VGS=0V Tch=25°C  
IF=10A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
VSD  
trr  
Qrr  
V
0.75  
5.0  
µs  
µC  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
1.32  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
62.0  
°C/W  
1
2SK3501-01  
FUJI POWER MOSFET  
Characteristics  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=60V,I(AV)<=10A  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
125  
100  
75  
50  
25  
0
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
starting Tch [°C]  
Tc [°C]  
Typical Output Characteristics  
ID=f(VDS):80µs Pulse test,Tch=25°C  
Typical Transfer Characteristic  
ID=f(VGS):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
20V  
10V  
8V  
7.5V  
10  
7.0V  
1
6
VGS=6.5V  
4
0.1  
2
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26  
VDS [V]  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
VGS[V]  
Typical Drain-Source on-state Resistance  
Typical Transconductance  
gfs=f(ID):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C  
RDS(on)=f(ID):80µs Pulse test, Tch=25°C  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
100  
10  
1
VGS=6.5V  
7.0V  
7.5V  
8V 10V  
20V  
0.1  
0.1  
1
10  
0
5
10  
15  
20  
ID [A]  
ID [A]  
2
2SK3501-01  
FUJI POWER MOSFET  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
Drain-Source On-state Resistance  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=1mA  
RDS(on)=f(Tch):ID=5A,VGS=10V  
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
max.  
typ.  
max.  
min.  
typ.  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Tch [°C]  
Tch [°C]  
Typical Capacitance  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
Typical Gate Charge Characteristics  
VGS=f(Qg):ID=10A, Tch=25°C  
10n  
1n  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
Vcc= 120V  
Ciss  
300V  
480V  
100p  
10p  
1p  
Coss  
Crss  
6
4
2
0
10-1  
100  
101  
102  
103  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
VDS [V]  
Qg [nC]  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
t=f(ID):Vcc=300V, VGS=10V, RG=10Ω  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
IF=f(VSD):80µs Pulse test,Tch=25°C  
100  
102  
101  
100  
tr  
10  
td(off)  
td(on)  
tf  
1
0.1  
100  
101  
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00  
VSD [V]  
ID [A]  
3
2SK3501-01  
FUJI POWER MOSFET  
Transient Thermal Impedance  
Zth(ch-c)=f(t):D=t/T  
101  
100  
D=0.5  
0.2  
0.1  
10-1  
10-2  
10-3  
0.05  
0.02  
t
t
D=  
0.01  
0
T
T
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
t [sec]  
Maximum Avalanche Current Pulsewidth  
IAV=f(tAV):starting Tch=25°C. Vcc=60V  
102  
Single Pulse  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-8  
10-7  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
tAV [sec]  
4
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

 		2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス － 小信号FET － 接合形FET ] 3 页

ETC

 		2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 40uA的我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

 		2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 150UA我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

 		2SK0198(2SK198) 2SK0198 （ 2SK198 ） - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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