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2SK3911

型号:

2SK3911

描述:

ñ沟道的MOS场效应晶体管的硅(马赫Ⅱπ - 马鞍山Ⅵ )[ N沟道的MOS场效应晶体管的硅(马赫Ⅱ π -马鞍山Ⅵ ) ]

品牌:

TOSHIBA[ TOSHIBA ]

页数:

6 页

PDF大小:

261 K

2SK3911  
東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS(MACHⅡ πMOS)  
2SK3911  
スイッチングレギュレータ用  
単位: mm  
ゲート入力電荷量が小さい。  
オン抵抗が低い。  
: Q = 60 nC (標準)  
g
: R  
= 0.22 Ω (標準)  
DS (ON)  
順方向伝達アドミタンスが高い: |Y | = 11 S (標準)  
fs  
漏れ電流が低い。  
取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。  
: V = 2.0~4.0 V (V  
: I  
= 500 μA (V  
= 600 V)  
DSS  
DS  
= 10 V, I = 1 mA)  
th  
DS  
D
絶対最大定格 (Ta = 25°C)  
記 号  
単位  
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧  
ドレイン・ゲート間電圧 (R = 20 kΩ)  
V
600  
600  
±30  
20  
V
V
DSS  
V
GS  
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧  
DC (1)  
DGR  
1. ゲート  
V
V
GSS  
2. ドレイン (放熱板)  
3. ソース  
I
D
A
ド レ イ ン 電 流  
パルス (1)  
(Tc=25)  
I
80  
A
DP  
P
150  
792  
20  
W
mJ  
A
JEDEC  
D
AR  
AR  
アバランシェエネルギー (単発) (2)  
ア バ ラ ン シ ェ 電 流  
アバランシェエネルギー (連続) (3)  
E
JEITA  
SC-65  
2-16C1B  
I
東 芝  
E
15  
mJ  
°C  
°C  
AR  
質量: 4.6 g (標準)  
T
150  
ch  
T
55~150  
stg  
: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電  
/高電圧印加大な温度変化等) で連続して使用される場合は頼性が著しく低下するおそれがあります。  
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ  
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。  
熱抵抗特性  
2
記 号  
単位  
チ ャ ネ ル ・ ケ ー ス 間 熱 抵 抗  
チ ャ ネ ル ・ 外 気 間 熱 抵 抗  
R
0.833  
50  
/W  
/W  
th (chc)  
R
th (cha)  
1
1: チャネル温度150°C を超えることのない放熱条件でご使用ください。  
2: アバランシェエネルギー (単発) 印加条件  
V
= 90 V, T = 25°C (初期), L = 3.46 mH, I  
= 20 A, R = 25 Ω  
AR G  
DD  
ch  
3: 連続印加の際、パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。  
この製品MOS 構造です。取り扱いの際には、静電気にご注意ください。  
3
1
2006-11-07  
2SK3911  
電気的特性 (Ta = 25°C)  
記 号  
測 定 条 件  
最小  
標準  
最大  
単位  
I
V
= ±25 V, V  
= 0 V  
±30  
±10  
μA  
V
GSS  
GS  
I = ±10 μA, V  
D
DS  
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 降 伏 電 圧  
ド レ イ ン し ゃ 断 電 流  
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 降 伏 電 圧  
ゲ ー ト し き い 値 電 圧  
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 オ ン 抵 抗  
順 方 向 伝 達 ア ド ミ タ ン ス  
V
V
= 0 V  
(BR) GSS  
DS  
= 600 V, V  
I
V
= 0 V  
500  
μA  
V
DSS  
DS  
= 10 mA, V  
GS  
I
= 0 V  
600  
2.0  
(BR) DSS  
D
GS  
= 10 V, I = 1 mA  
V
V
V
V
4.0  
0.32  
V
th  
DS  
GS  
DS  
D
R
= 10 V, I = 10 A  
0.22  
11  
Ω
S
DS (ON)  
D
Y ⎪  
fs  
= 10 V, I = 10 A  
3.0  
D
C
C
4250  
10  
iss  
V
= 25 V, V  
= 0 V, f = 1 MHz  
GS  
pF  
DS  
rss  
C
oss  
420  
上 昇 時 間  
ターンオン時間  
下 降 時 間  
ターンオフ時間  
t
12  
45  
12  
80  
r
I
= 10 A  
D
10 V  
0 V  
V
GS  
出力  
t
on  
スイッチング時間  
R
L
= 20 Ω  
ns  
t
f
V
200 V  
DD  
t
off  
<
Duty 1%, t = 10 μs  
=
w
ゲ ー ト 入 力 電 荷 量  
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 荷 量  
ゲ ー ト ・ ド レ イ ン 間 電 荷 量  
Q
60  
50  
10  
g
V
400 V, V  
= 10 V, I = 20 A  
nC  
Q
DD  
GS  
D
gs  
gd  
Q
ソース・ドレイン間の定格と電気的特性 (Ta = 25°C)  
記 号  
測 定 条 件  
最小  
標準  
最大  
単位  
ド レ イ ン 逆 電 流 ( 連 続 ) (1)  
ド レ イ ン 逆 電 流 (パルス) (1)  
I
20  
80  
A
A
DR  
I
DRP  
(ダイオード)  
V
I
I
= 20 A, V  
= 20 A, V  
= 0 V  
1.7  
V
DSF  
DR  
DR  
GS  
GS  
t
1350  
24  
ns  
μC  
rr  
= 0 V,  
dI /dt = 100 A/μs  
DR  
Q
rr  
現品表示  
TOSHIBA  
K3911  
製品名 (または略号)  
ロッNo.  
外装鉛フリー  
識別マーク  
(なし: 鉛含有  
あり: 鉛フリー)  
2
2006-11-07  
2SK3911  
I
– V  
I – V  
D DS  
D
DS  
6.5  
20  
16  
12  
8
50  
40  
30  
20  
10  
0
ソース接地  
Tc = 25°C  
パルス測定  
ソース接地  
Tc = 25°C  
パルス測定  
10  
10  
8
8
7
6
7
6.5  
5.5  
6
4
V
= 5 V  
GS  
5.5  
= 5 V  
V
GS  
0
0
2
4
6
8
10  
0
4
8
12  
16  
20  
ドレイン・ソース間電圧  
V
(V)  
ドレイン・ソース間電圧  
V
(V)  
DS  
DS  
I
D
– V  
V
– V  
DS GS  
GS  
50  
40  
30  
20  
10  
0
20  
16  
12  
8
ソース接地  
= 20 V  
パルス測定  
ソース接地  
Tc = 25°C  
パルス測定  
V
DS  
25  
100  
Tc = −55°C  
I
= 20 A  
D
4
5
10  
0
0
2
4
6
8
10  
0
4
8
12  
16  
20  
ゲート・ソース間電圧  
V
(V)  
ゲート・ソース間電圧  
V
(V)  
GS  
GS  
Y ⎪ − I  
fs  
D
R
I  
D
DS (ON)  
100  
10  
ソース接地  
= 20 V  
1000  
100  
10  
ソース接地  
Tc = 25°C  
パルス測定  
V
DS  
パルス測定  
V
= 10 V  
GS  
Tc = −55°C  
100  
25  
1
0.1  
0.1  
1
10  
100  
100  
1
10  
ドレイン電流  
I
D
(A)  
ドレイン電流  
I
D
(A)  
3
2006-11-07  
2SK3911  
R
Tc  
I
V  
DS  
DS (ON)  
DR  
1000  
800  
100  
ソース接地  
= 10 V  
パルス測定  
ソース接地  
Tc = 25°C  
パルス測定  
V
GS  
10  
600  
400  
I
= 20 A  
D
10  
5
1
5
200  
3
10  
1
V
= 0 V  
GS  
0
80  
0.1  
0
40  
0
40  
80  
120  
160  
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
ドレイン・ソース間電圧  
V
(V)  
DS  
ケース温度 Tc (°C)  
静電容量 – V  
V
Tc  
DS  
th  
10000  
1000  
100  
5
4
3
2
1
ソース接地  
= 10 V  
D
C
iss  
V
I
DS  
= 1 mA  
パルス測定  
C
oss  
ソース接地  
C
rss  
10  
1
V
= 0 V  
GS  
f = 1 MHz  
Tc = 25°C  
パルス測定  
0
80  
40  
0
40  
80  
120  
160  
0.1  
1
10  
100  
ケース温度 Tc (°C)  
ドレイン・ソース間電圧  
V
(V)  
DS  
P
Tc  
ダイナミック入出力特性  
D
200  
500  
20  
ソース接地  
= 20 A  
I
D
Tc = 25°C  
パルス測定  
V
DS  
400  
300  
200  
100  
0
16  
12  
8
160  
120  
80  
200  
100  
GS  
V
= 400 V  
DD  
V
40  
4
0
0
0
100  
40  
80  
120  
160  
200  
0
20  
40  
60  
80  
ケース温度 Tc (°C)  
ゲート入力電荷量  
Q
g
(nC)  
4
2006-11-07  
2SK3911  
r
th  
– t  
w
10  
1
Duty=0.5  
0.2  
0.1  
0.1  
0.05  
P
DM  
0.02  
単発パルス  
t
0.01  
0.01  
T
Duty = t/T  
R
= 0.833°C/W  
th (ch-c)  
0.001  
10μ  
100μ  
1m  
10m  
100m  
1
10  
パルス幅  
t
w
(s)  
安全動作領域  
E
AS  
– T  
ch  
1000  
100  
10  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
I
max (パルス)  
max (連続)  
D
100 μs *  
I
D
1 ms *  
直流動作  
Tc=25℃  
1
25  
50  
75  
100  
125  
150  
チャネル温度 (初期)  
T
ch  
(°C)  
0.1  
* 単発パルス Tc = 25°C  
安全動作領域は温度によって  
ディレーティングして考える  
必要があります。  
B
VDSS  
15 V  
V
max  
DSS  
I
AR  
0.01  
15 V  
1
10  
100  
1000  
V
V
DS  
DD  
ドレイン・ソース間電圧  
V
DS  
(V)  
測定回路  
測定波形  
1
2
B
R
= 25 Ω  
= 90 V, L = 3.46mH  
2
VDSS  
G
=
LI ⋅  
Ε
AS  
V
B
V
DD  
DD  
VDSS  
5
2006-11-07  
2SK3911  
当社半導体製品取り扱い上のお願い  
20070701-JA  
当社は品質,信頼性の向上に努めておりますが,一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当  
社半導体製品をご使用いただく場合は,半導体製品の誤作動や故障により,生命・身体・財産が侵害されること  
のないように,購入者側の責任において,機器の安全設計を行うことをお願いします。  
なお,設計に際しては,最新の製品仕様をご確認の上,製品保証範囲内でご使用いただくと共に,考慮されるべ  
き注意事項や条件について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い半導体信頼性ハンドブック」な  
どでご確認ください。  
本資料に掲載されている製品は,一般的電子機器(コンピュータ,パーソナル機器,事務機器,計測機器,産業  
用ロボット,家電機器など)に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され,その故  
障や誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器(原子力制御機器,航空宇宙機器,輸送  
機器,交通信号機器,燃焼制御,医療機器,各種安全装置など)にこれらの製品を使用すること(以下“特定用  
という)は意図もされていませんし,また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用  
途に使用することは,お客様の責任でなされることとなります。  
本資料に掲載されている製品を,国内外の法令,規則及び命令により製造,使用,販売を禁止されている応用製  
品に使用することはできません。  
本資料に掲載してある技術情報は,製品の代表的動作・応用を説明するためのもので,その使用に際して当社及  
び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。  
本資料に掲載されている製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合  
せください資料に掲載されている製品のご使用に際しては定の物質の含有・使用を規制すRoHS 指令な  
どの法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様が適用される法令を遵守しないこ  
とにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。  
本資料の掲載内容は,技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。  
6
2006-11-07  
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形FET ] 3 页

ETC

2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 40uA的我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 150UA我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

2SK0198(2SK198) 2SK0198 ( 2SK198 ) - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PDF索引:

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引:

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

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