2SK2433
R
(on) -- Tc
Ciss, Coss, Crss -- V
DS
DS
10000
70
60
50
40
f=1M Hz
7
5
3
2
Ciss
1000
7
5
3
2
30
20
100
7
5
10
0
3
2
--80
--40
0
40
80
120
160
0
4
8
12
16
20
24
28
32
ケース温度, Tc -- °C
SW Tim e -- I
ITR02140
ドレイン・ソース電圧, V
A S O
-- V ITR02141
DS
D
3
2
1000
V
V
=30V
=10V
DD
GS
7
I
DP
=120A
＜10µs
5
100
7
5
3
2
I =30A
D
1m s
3
2
10
100
7
5
7
5
Operation in
thisareais
lim ited byR (on).
DS
3
2
3
2
1.0
7
5
t (on)
d
3
2
10
Tc=25°C
1パルス
7
5
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5 7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
0.1
1.0
10
100
IT09824
1.0
10
ドレイン電流, I -- A
P
ITR02142
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
DS
D
-- Tc
D
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ケース温度, Tc -- °C
IT09809
取り扱い上の注意：本製品は、M OSFETですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す
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PSNo.8353-3/3
