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2SK3541MGP

型号：

2SK3541MGP

品牌：

CHENMKO[ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]

页数：

4 页

PDF大小：

207 K

下载PDF手册
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD  
2SK3541PT  
SURFACE MOUNT  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
VOLTAGE 30 Volts CURRENT 100 mAmpere  
APPLICATION  
* Interfacing, switching (30V, 100mA)  
FEATURE  
SOT-723  
* Small surface mounting type. (SOT-723)  
* Low on-resistance  
* Fast switching speed  
* Easily designed drive circuits  
* Easy to parallel  
0.22  
(02).4  
(3)  
1.2  
0.8  
0.4  
(1)  
0.32  
CONSTRUCTION  
0.22  
0.8  
Silicon N-Channel MOSFET  
0.5  
0.13  
0.5±0.5  
0.15Max.  
D
3
CIRCUIT  
G
1
SOT-723  
Dimensions in millimeters  
S 2  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
2SK3541PT  
Symbol  
Parameter  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage - Continuous  
30  
V
VGSS  
±20  
V
mA  
mA  
mA  
mA  
100  
400  
100  
400  
ID  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed (Note1)  
Reverse Drain Current - Continuous  
- Pulsed (Note1)  
IDR  
PD  
Power Dissipation (Note2)  
150  
mW  
TJ  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
150  
°C  
TSTG  
-55 to 150  
°C  
Note:  
2004-06  
1. Pw < 10uA , Duty cycle < 1%  
2. With each pin mounted on the recommended land  
RATING CHARACTERISTIC CURVES ( 2SK3541PT )  
Electrical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
BVDSS  
IDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage VGS = 0 V, ID = 10µA  
30  
V
Zero Gate Voltage Drain Current VDS = 30 V, VGS = 0 V  
1
0.5  
1
µA  
mA  
µA  
µA  
TC=125°C  
IGSSF  
IGSSR  
Gate - Body Leakage, Forward  
Gate - Body Leakage, Reverse  
VGS = 20 V, VDS = 0 V  
VGS = -20 V, VDS = 0 V  
-1  
ON CHARACTERISTICS  
VGS(th)  
Gate Threshold Voltage  
VDS = 3V, ID = 100 µA  
Static Drain-Source On-Resistance VGS = 4.0 V, ID = 10 mA  
VGS = 2.5 V, ID = 1.0 mA  
0.8  
1.5  
8.0  
13  
V
RDS(ON)  
5.0  
Ω
7.0  
gFS  
Forward Transconductance  
VDS = 3.0 V, ID = 10 mA  
20  
mS  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
pF  
Ciss  
Coss  
Crss  
ton  
Input Capacitance  
VDS = 5.0 V, VGS = 0 V,  
f = 1.0 MHz  
13  
9
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Time  
4
VDD = 5.0 V, RL = 500  
ID = 10 mA, VGS = 5.0 V,  
RGEN = 10  
Ω,  
15  
nS  
nS  
tr  
35  
80  
80  
Ω
toff  
tf  
Turn-Off Time  
VDD = 5.0 V, RL = 500  
ID = 10 mA, VGS = 5.0 V,  
RGEN = 10  
Ω,  
Ω
RATING CHARACTERISTIC CURVES ( 2SK3541PT )  
Typical Electrical Characteristics  
FIG. 1 TYPICAL TRANSFER CHARACTERISTICS  
FIG. 2 REVERSE DRAIN CURRENT V.S  
SOURCE-DRAIN VOLTAGE  
200m  
100m  
200m  
ꢀ
V
DS=3V  
V
GS=0V  
Pulsed  
Pulsed  
100m  
50m  
50m  
20m  
10m  
5m  
20m  
Ta=125°C  
10m  
5m  
75°C  
25°C  
−25°C  
2m  
1m  
2m  
1m  
Ta=125°C  
75°C  
25°C  
−25°C  
0.5m  
0.5m  
0.2m  
0.1m  
0.2m  
0.1m  
3
0
1
2
4
0
0.5  
1
1.5  
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)  
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)  
FIG. 3 GATE THRESHOLD VOLTAGE V.S  
FIG. 4 FROWARD TRANSFER ADMITTANCE V.S  
CHANNEL TEMPERATURE  
DRAIN CURRENT  
2
1.5  
1
0.5  
ꢀ
ꢀ
V
DS=3V  
V
DS=3V  
I
D
=0.1mA  
Pulsed  
0.2  
Pulsed  
Ta=−25°C  
25°C  
0.1  
75°C  
0.05  
125°C  
0.02  
0.01  
0.005  
0.5  
0
0.002  
0.001  
0.0001 0.0002  
0.0005 0.001  
0.002  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
−50 −25  
0
25  
50  
75 100 125 150  
DRAIN CURRENT : ID (A)  
CHANNEL TEMPERATURE : Tch (°C)  
RATING CHARACTERISTIC CURVES ( 2SK3541PT )  
Typical Electrical Characteristics (continued)  
FIG. 5 STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE  
RESISTANCE V.S DRAIN CURRENT  
FIG. 6 STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE  
RESISTANCE V.S DRAIN CURRENT  
50  
50  
V
GS=4V  
V
GS=2.5V  
Pulsed  
Pulsed  
Ta=125°C  
75°C  
Ta=125°C  
75°C  
20  
10  
5
20  
10  
5
25°C  
−25°C  
25°C  
−25°C  
2
2
1
1
0.5  
0.001 0.002  
0.5  
0.001 0.002  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
DRAIN CURRENT : ID (A)  
厂商 型号 描述 页数 下载

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