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FZ3600R17KE3

型号：

FZ3600R17KE3

描述：

IGBT模块[ IGBT-modules ]

品牌：

EUPEC[ EUPEC GMBH ]

页数：

8 页

PDF大小：

257 K

下载PDF手册
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R17KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1700  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C  
T† = 25°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
3600  
4800  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms, T† = 80°C  
T† = 25°C  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
7200  
18,0  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 3600 A, V•Š = 15 V, TÝÎ = 25°C  
I† = 3600 A, V•Š = 15 V, TÝÎ = 125°C  
V†Š ÙÈÚ  
2,00 2,45  
2,40  
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 145 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•ŠÚÌ  
Q•  
5,2  
5,8  
42,0  
0,5  
6,4  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
V•Š = -15 V ... +15 V  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
325  
10,5  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0,4 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0,4 Â, TÝÎ = 125°C  
tÁ ÓÒ  
tØ  
0,73  
0,78  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0,4 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0,4 Â, TÝÎ = 125°C  
0,21  
0,23  
µs  
µs  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0,5 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0,5 Â, TÝÎ = 125°C  
tÁ ÓËË  
tË  
1,50  
1,80  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0,5 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0,5 Â, TÝÎ = 125°C  
0,18  
0,32  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 3600 A, V†Š = 900 V, L» = 40 nH  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0,4 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0,4 Â, TÝÎ = 125°C  
EÓÒ  
EÓËË  
495  
745  
mJ  
mJ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 3600 A, V†Š = 900 V, L» = 40 nH  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0,5 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0,5 Â, TÝÎ = 125°C  
1050  
1450  
mJ  
mJ  
Kurzschlußverhalten  
SC data  
t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V  
TÝÎù125°C, V†† = 1000 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
14000  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
7,00 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
6,00  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2003-4-11  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R17KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
IŒ  
1700  
3600  
7200  
1150  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
IŒç¢  
I²t  
A
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
I²t - value  
kA²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 3600 A, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
IŒ = 3600 A, V•Š = 0 V, TÝÎ = 125°C  
VŒ  
Iç¢  
QØ  
1,80 2,20  
1,90  
V
V
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 3600 A, - diŒ/dt = 14500 A/µs  
Vç = 900 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 25°C  
Vç = 900 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 125°C  
2800  
3300  
A
A
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 3600 A, -diŒ/dt = 14500 A/µs  
Vç = 900 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 25°C  
Vç = 900 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 125°C  
835  
1450  
µC  
µC  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 3600 A, -diŒ/dt = 14500 A/µs  
Vç = 900 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 25°C  
Vç = 900 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ  
590  
1050  
mJ  
mJ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
16,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
13,0  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2003-4-11  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R17KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
Vš»¥¡  
3,4  
Cu  
kV  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
AlèOé  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
32,0  
32,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
19,0  
19,0  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 400  
min. typ. max.  
4,00  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Modul / per module  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
LÙ†Š  
K/kW  
nH  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
10  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Zweig / per arm  
R††óôŠŠó  
0,12  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
TÝÎ ÑÈà  
TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
150  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
-40  
-40  
125  
125  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
Schraube / screw M6  
M
M
4,25  
-
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube / screw M4  
terminal connection torque  
1,8  
8,0  
-
-
Schraube / screw M8  
10  
Nm  
Gewicht  
weight  
G
2300  
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine  
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.  
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.  
It is valid with the appropriate technical explanations.  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2003-4-11  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R17KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
V•Š = 15 V  
TÝÎ = 125°C  
7200  
7200  
6600  
6600  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 20V  
V•Š = 15V  
V•Š = 12V  
V•Š = 10V  
6000  
6000  
5400  
4800  
4200  
3600  
3000  
2400  
1800  
1200  
600  
5400  
4800  
4200  
3600  
3000  
2400  
1800  
1200  
600  
V•Š = 9V  
V•Š = 8V  
0
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
V†Š [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0,4 Â, R•ÓËË = 0,5 Â, V†Š = 900 V,  
TÝÎ = 125°C  
7200  
2750  
6600  
2500  
2250  
2000  
1750  
1500  
1250  
1000  
750  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
EÓÒ  
EÓËË  
6000  
5400  
4800  
4200  
3600  
3000  
2400  
1800  
1200  
600  
500  
250  
0
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]  
10  
11  
12  
13  
0
900 1800 2700 3600 4500 5400 6300 7200  
I† [A]  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2003-4-11  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R17KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 3600 A, V†Š = 900 V, TÝÎ = 125°C  
5500  
100  
5000  
4500  
4000  
3500  
3000  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
EÓÒ  
EÓËË  
ZÚÌœ† : IGBT  
10  
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 2,45 2,45 1,4 0,7  
4
τÍ[s]:  
0,02 0,06 0,1 0,3  
0
0,1  
0,001  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
R• [Â]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0,5 Â, TÝÎ = 125°C  
7800  
7200  
6600  
6000  
5400  
4800  
4200  
3600  
3000  
2400  
1800  
7200  
6600  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
6000  
5400  
4800  
4200  
3600  
3000  
2400  
1800  
1200  
600  
1200  
I†, Modul  
I†, Chip  
600  
0
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800  
V†Š [V]  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
VŒ [V]  
2,0  
2,5  
3,0  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2003-4-11  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R17KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
R•ÓÒ = 0,4 Â, V†Š = 900 V, TÝÎ = 125°C  
IŒ = 3600 A, V†Š = 900 V, TÝÎ = 125°C  
1300  
1500  
1200  
1400  
EØþÊ  
EØþÊ  
1100  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
1300  
1200  
1100  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
0
900 1800 2700 3600 4500 5400 6300 7200  
IŒ [A]  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
R• [Â]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
100  
ZÚÌœ† : Diode  
10  
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 5,6 5,6 3,2 1,6  
4
τÍ[s]:  
0,02 0,06 0,1 0,3  
0,1  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2003-4-11  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R17KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2003-4-11  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
7
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der  
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere  
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen  
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu  
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in  
Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend  
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig  
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Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
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Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
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Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.  
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- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on  
the realization of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ300R06KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 300A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

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