请登录

免费注册
全部商品
电子元器件
方案中心
工业品
PDF资料
购物车 0
上传BOM

产品分类

找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

会员中心
购物车
技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

FZ3600R12HP4

型号：

FZ3600R12HP4

描述：

IGBT - Wechselrichter / IGBT逆变器Höchstzulässige Werte /最大额定值[ IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values ]

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

1168 K

下载PDF手册
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12HP4  
IHM-B Modul mit soft schaltendem Trench-IGBT4  
IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4  
Vorläufige Daten / preliminary data  
V†Š» = 1200V  
I† ÒÓÑ = 3600A / I†ç¢ = 7200A  
Typische Anwendungen  
Typical Applications  
High Power Converters  
Motor Drives  
Hochleistungsumrichter  
••  
Motorantriebe  
••  
••  
Windgeneratoren  
Wind Turbines  
Elektrische Eigenschaften  
Erweiterte Sperrschichttemperatur Tvj op  
Electrical Features  
Extended Operation Temperature Tvj op  
••  
Mechanische Eigenschaften  
Mechanical Features  
4kV AC 1min Insulation  
Package with CTI > 400  
High Power Density  
4kV AC 1min Isolationsfestigkeit  
••  
Gehäuse mit CTI > 400  
••  
Hohe Stromdichte  
••  
••  
Neues IHM B Gehäuse  
New IHM B Housing  
Module Label Code  
Barcode Code 128  
Content of the Code  
Digit  
Module Serial Number  
1 - 5  
Module Material Number  
Production Order Number  
Datecode (Production Year)  
Datecode (Production Week)  
6 - 11  
12 - 19  
20 - 21  
22 - 23  
DMX - Code  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.2  
material no: 30124  
UL approved (E83335)  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 90°C, TÝÎ = 175°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
3600  
4930  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
7200  
19,0  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 3600 A, V•Š = 15 V  
I† = 3600 A, V•Š = 15 V  
I† = 3600 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ  
TÝÎ = 150°C  
1,70 2,05  
2,00  
2,10  
V
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 135 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
V•ŠÚÌ  
Q•  
5,1  
5,8  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
27,0  
0,54  
225  
12,0  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓÒ  
0,44  
0,46  
0,46  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
tØ  
0,43  
0,43  
0,43  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,22 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓËË  
1,15  
1,25  
1,30  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,22 Â  
TÝÎ = 25°C  
tË  
0,23  
0,25  
0,25  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 3600 A, V†Š = 600 V, L» = 50 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, di/dt = 7300 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
485  
595  
640  
mJ  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
R•ÓÒ = 1,3 Â  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 3600 A, V†Š = 600 V, L» = 50 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, du/dt = 2400 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
810  
895  
925  
mJ  
mJ  
mJ  
R•ÓËË = 0,22 Â  
TÝÎ = 150°C  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 800 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C  
14000  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
8,00 K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
6,50  
K/kW  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.2  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
1200  
3600  
7200  
V
A
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
IŒç¢  
I²t  
Periodischer Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
I²t - value  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
1350  
1300  
kA²s  
kA²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 3600 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 3600 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 3600 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
1,80 2,35  
1,75  
1,70  
V
V
V
VŒ  
Iç¢  
QØ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 3600 A, - diŒ/dt = 7300 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
925  
1500  
1550  
A
A
A
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 3600 A, - diŒ/dt = 7300 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
280  
580  
650  
µC  
µC  
µC  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 3600 A, - diŒ/dt = 7300 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
130  
260  
300  
mJ  
mJ  
mJ  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode / per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
13,5 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
7,20  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.2  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
Vš»¥¡  
4,0  
Cu  
kV  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
AlèOé  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
32,0  
32,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
19,0  
19,0  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
LÙ†Š  
> 400  
min. typ. max.  
6,0  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
nH  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,085  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà  
175  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
-40  
-40  
150  
150  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note  
M
M
G
4,25  
-
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
1,7  
8,0  
-
-
terminal connection torque  
screw M4 - mounting according to valid application note  
Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M8 - mounting according to valid application note  
10  
Nm  
g
Gewicht  
weight  
1900  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.2  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 150°C  
V•Š = 15 V  
7200  
7200  
6300  
5400  
4500  
3600  
2700  
1800  
900  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
V•Š =19 V  
V•Š = 17V  
V•Š = 15V  
V•Š = 13V  
V•Š = 11V  
V•Š = 9V  
6300  
5400  
4500  
3600  
2700  
1800  
900  
0
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5 2,0  
V†Š [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1.3 Â, R•ÓËË = 0.22 Â, V†Š = 600 V  
7200  
3200  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 150°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 150°C  
6300  
5400  
4500  
3600  
2700  
1800  
900  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
400  
0
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]  
10  
11  
12  
13  
0
1200  
2400  
3600  
I† [A]  
4800  
6000  
7200  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.2  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 3600 A, V†Š = 600 V  
4500  
10  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 150°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
EÓËË, TÝÎ = 150°C  
3600  
2700  
1800  
900  
0
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 0,3702 0,7064 6,3685 0,5281  
4
τÍ[s]:  
0,0006 0,0096 0,0489 1,9537  
0,1  
0,001  
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
R• [Â]  
4,0  
5,0  
6,0  
7,0  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv, (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0.22 Â, TÝÎ = 150°C  
8100  
7200  
Ic, Modul  
I†, Chip  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
7200  
6300  
5400  
4500  
3600  
2700  
1800  
900  
6300  
5400  
4500  
3600  
2700  
1800  
900  
0
0
0
200  
400  
600 800  
V†Š [V]  
1000 1200 1400  
0,0  
0,3  
0,6  
0,9  
1,2  
VŒ [V]  
1,5  
1,8  
2,1  
2,4  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.2  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
R•ÓÒ = 1.3 Â, V†Š = 600 V  
IŒ = 3600 A, V†Š = 600 V  
400  
400  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 150°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 150°C  
350  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
0
0
0
1200  
2400  
3600  
IŒ [A]  
4800  
6000  
7200  
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
R• [Â]  
4,0  
5,0  
6,0  
7,0  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
100  
ZÚÌœ† : Diode  
10  
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 1,0102 1,3523 10,0304 0,8359  
4
τÍ[s]:  
0,0004 0,0077 0,0418 0,7107  
1
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.2  
7
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.2  
8
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12HP4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten  
Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und  
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie  
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application  
Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen  
zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro  
in Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und  
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
Terms & Conditions of usage  
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical  
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product  
data with respect to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is  
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the  
product and its characteristics.  
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific  
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact).  
For those that are specifically interested we may provide application notes.  
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please  
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey,  
and that we may make delivery depended on the realization  
of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
prepared by: MB  
approved by: IL  
date of publication: 2009-08-03  
revision: 2.2  
9
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ300R06KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 300A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ300R06KL 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 300A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

ETC

 		FZ300R10KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1KV V（ BR ） CES | 300A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ300R10KN 晶体管| IGBT | N -CHAN |双| 1KV V（ BR ） CES | 300A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

EUPEC

 		FZ300R12KE3B1G 与沟槽/场终止IGBT3埃姆康环保和高效率二极管62毫米C系列模块[ 62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode ] 8 页

EUPEC

 		FZ300R12KE3G TECHNISCHE信息/技术信息[ Technische Information / technical information ] 8 页

ETC

 		FZ300R12KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 300A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

ETC

 		FZ300R12KF2 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV V（ BR ） CES | 300A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) ] 2 页

ETC

 		FZ300R12KL 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 300A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

INFINEON

 		FZ3600R12KE3 IGBT模块[ IGBT-modules ] 8 页

购物指南

支付方式

配送服务

售后服务

发票须知

优惠券使用规则

特色服务

PCBA制造

国产品牌推荐

国产料号替代

质量保证

技术资料

行业资讯

关于我们

关于壹壹捌

联系我们

联系我们

服务热线：400-618-9990

企业邮箱：sales@ic118.com

服务时间：周一至周六 8:30-17:30

壹壹捌官方微信号

PDF索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

深圳网络警察报警平台
公共信息安全网络监察
经营性网站备案信息
不良信息举报中心
工商网监电子标识
全国公安机关备案
0.196991s