IRF640NPBF 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E016089

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

SK34A 复制

品牌：TAIWAN SEMICONDUCTOR复制

编号：E015995

类目：V / F和F / V转换芯片

UUD1A101MCL1GS 复制

品牌：NICHICON复制

编号：E015853

类目： 贴片型铝电解电容

手册:  

精度： ±20%

额定电压： 35V

纹波电流： 84mA@120Hz

等效串联电阻(ESR)： -

MC202472M090B20C7B 复制

品牌：MULTICOMP PRO复制

编号：E015799

类目：V / F和F / V转换芯片

MAX3380EEUP+ 复制

品牌：ANALOG DEVICES复制

编号：E015672

类目：V / F和F / V转换芯片

IRF4905STRLPBF 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E015653

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

MCP4651-103E/ST 复制

品牌：MICROCHIP复制

编号：E015538

类目： EEPROM

手册:  

存储容量： 2Kbit

时钟频率(fc)： 1MHz

工作电压： 1.7V~3.6V

写周期时间(Tw)： 5ms

IRF3415PBF 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E015487

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

IRF9Z24NPBF 复制

品牌：INFINEON复制

编号：E015305

类目： 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W