SI2302CDS-T1-GE3 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E003438

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

SI2302CDS-T1-GE3 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E021309

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

SI2302CDS-T1-GE3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44044177

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：2.9A

导通电阻(RDS(on))：75mΩ@2.5V，3.1A

耗散功率(Pd)：550mW