IRLML6402TRPBF 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E013977

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

IRLML6402TRPBF 复制

品牌：IR复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E022437

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：3.7A

导通电阻(RDS(on))：65mΩ@4.5V，3.7A

耗散功率(Pd)：1.3W

IRLML6402TRPBF 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44065779

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：3.7A

导通电阻(RDS(on))：65mΩ@4.5V，3.7A

耗散功率(Pd)：1.3W