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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

IRF640NPBF 复制

品牌:Infineon Technologies复制

封装:TO-220-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:L44044615

漏源电压(Vdss):200V

连续漏极电流(Id):18A

导通电阻(RDS(on)):150mΩ@10V,11A

耗散功率(Pd):150W

1+: ¥ 15.783648

50+: ¥ 7.521611

100+: ¥ 6.715074

500+: ¥ 5.299339

1000+: ¥ 4.843845

2000+: ¥ 4.460740

5000+: ¥ 4.138704

总额:¥ 15.78

IRF640NPBF 复制

品牌:INFINEON复制

封装:-

类目:V / F和F / V转换芯片

编号:E013870

手册:  

漏源电压(Vdss):55V

连续漏极电流(Id):110A

导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd):200W

1+: ¥ 11.340000

10+: ¥ 10.150000

100+: ¥ 7.920000

500+: ¥ 6.540000

1000+: ¥ 5.170000

2000+: ¥ 4.830000

5000+: ¥ 4.580000

10000+: ¥ 4.410000

KR: 1+

1 个/EA

总额:¥ 11.34

IRF640NPBF 复制

品牌:INFINEON复制

封装:-

类目:V / F和F / V转换芯片

编号:E017107

手册:  

漏源电压(Vdss):55V

连续漏极电流(Id):110A

导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd):200W

1+: ¥ 11.340000

10+: ¥ 10.150000

100+: ¥ 7.920000

500+: ¥ 6.540000

1000+: ¥ 5.170000

2000+: ¥ 4.830000

5000+: ¥ 4.580000

10000+: ¥ 4.410000

KR: 255+

1 个/EA

总额:¥ 11.34

IRF640NPBF 复制

品牌:INFINEON复制

封装:-

类目:V / F和F / V转换芯片

编号:E016089

手册:  

漏源电压(Vdss):55V

连续漏极电流(Id):110A

导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd):200W

1+: ¥ 11.340000

10+: ¥ 10.150000

100+: ¥ 7.920000

500+: ¥ 6.540000

1000+: ¥ 5.170000

2000+: ¥ 4.830000

5000+: ¥ 4.580000

10000+: ¥ 4.410000

KR: 255+

1 个/EA

总额:¥ 11.34

IRF640NPBF 复制

品牌:IRF复制

封装:-

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:E025841

漏源电压(Vdss):200V

连续漏极电流(Id):18A

导通电阻(RDS(on)):150mΩ@10V,11A

耗散功率(Pd):150W

10+: ¥ 1.570000

深圳: 100+

1 个/PCS

总额:¥ 15.7

Total:51
总5条记录,每页20条,共1页。
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