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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

IPG20N10S4L22ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E008882

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

1+： ¥ 12.350000

10+： ¥ 11.090000

100+： ¥ 8.680000

500+： ¥ 7.110000

1000+： ¥ 5.250000

5000+： ¥ 4.970000

10000+： ¥ 4.800000

MY： 1+

1 个/EA

总额：¥ 12.35

IPG20N10S4L22ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016739

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

1+： ¥ 12.350000

10+： ¥ 11.090000

100+： ¥ 8.680000

500+： ¥ 7.110000

1000+： ¥ 5.250000

5000+： ¥ 4.970000

10000+： ¥ 4.800000

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 12.35

IPG20N10S4L22ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E015720

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

1+： ¥ 12.350000

10+： ¥ 11.090000

100+： ¥ 8.680000

500+： ¥ 7.110000

1000+： ¥ 5.250000

5000+： ¥ 4.970000

10000+： ¥ 4.800000

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 12.35

Total:31
总3条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

IPG20N10S4L22ATMA1 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：8-PowerVDFN

编号：L44796513

1+： ¥ 24.625796

10+： ¥ 15.841494

100+： ¥ 10.807254

500+： ¥ 8.651257

1000+： ¥ 7.958347

2000+： ¥ 7.375674

总额：¥ 24.63

IPG20N10S4L22ATMA1 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：8-PowerVDFN

编号：L33241017

1+： ¥ 21.072410

10+： ¥ 13.560715

100+： ¥ 9.250375

500+： ¥ 7.405588

1000+： ¥ 6.812338

2000+： ¥ 6.776887

总额：¥ 21.07

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