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IPG20N10S4L22ATMA1 复制

品牌:Infineon Technologies复制

封装:8-PowerVDFN

编号:L21262342

1+: ¥ 2.550000

10+: ¥ 1.641000

100+: ¥ 1.119400

500+: ¥ 0.896160

1000+: ¥ 0.824370

2000+: ¥ 0.820080

总额:¥ 2.55

IPG20N10S4L22ATMA1 复制

品牌:INFINEON复制

封装:-

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:E008882

手册:  

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 110A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd): 200W

1+: ¥ 12.350000

10+: ¥ 11.090000

100+: ¥ 8.680000

500+: ¥ 7.110000

1000+: ¥ 5.250000

5000+: ¥ 4.970000

10000+: ¥ 4.800000

MY: 1+

1 个/EA

总额:¥ 12.35

IPG20N10S4L22ATMA1 复制

品牌:INFINEON复制

封装:-

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:E016739

手册:  

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 110A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd): 200W

1+: ¥ 12.350000

10+: ¥ 11.090000

100+: ¥ 8.680000

500+: ¥ 7.110000

1000+: ¥ 5.250000

5000+: ¥ 4.970000

10000+: ¥ 4.800000

MY: 255+

1 个/EA

总额:¥ 12.35

IPG20N10S4L22ATMA1 复制

品牌:INFINEON复制

封装:-

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:E015720

手册:  

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 110A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd): 200W

1+: ¥ 12.350000

10+: ¥ 11.090000

100+: ¥ 8.680000

500+: ¥ 7.110000

1000+: ¥ 5.250000

5000+: ¥ 4.970000

10000+: ¥ 4.800000

MY: 255+

1 个/EA

总额:¥ 12.35

Total:41
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