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IPG20N06S2L50ATMA1 复制

品牌:Infineon Technologies复制

封装:8-PowerVDFN

编号:L21263070

1+: ¥ 1.960000

10+: ¥ 1.248000

100+: ¥ 0.839000

500+: ¥ 0.663760

1000+: ¥ 0.607380

2000+: ¥ 0.570080

总额:¥ 1.96

IPG20N06S2L50ATMA1 复制

品牌:INFINEON复制

封装:-

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:E007710

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 110A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd): 200W

1+: ¥ 8.310000

10+: ¥ 7.210000

100+: ¥ 5.740000

500+: ¥ 4.740000

1000+: ¥ 3.670000

5000+: ¥ 3.400000

10000+: ¥ 3.140000

25000+: ¥ 3.130000

MY: 1+

1 个/EA

总额:¥ 8.31

Total:21
总2条记录,每页20条,共1页。
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