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IHW50N65R6XKSA1 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-247-3

类目： IGBT管/模块

编号：L44715549

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：100A

耗散功率(Pd)：251W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 41.483724

30+： ¥ 22.807784

120+： ¥ 18.693128

510+： ¥ 15.674237

1020+： ¥ 14.572191

2010+： ¥ 13.664177

5010+： ¥ 12.661956

总额：¥ 41.48

IHW50N65R6XKSA1 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-247-3

类目： IGBT管/模块

编号：L33203290

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：100A

耗散功率(Pd)：251W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 35.451230

30+： ¥ 19.496772

120+： ¥ 15.979911

510+： ¥ 13.398995

1020+： ¥ 12.456934

2010+： ¥ 11.680726

5010+： ¥ 11.363648

总额：¥ 35.45

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