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类目：
全部 场效应管(MOSFET) 开关
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品牌：
全部 EVVO (1) ONSEMI (4) Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. (1) UMW (1) UMW(友台半导体) (1) 安森美半导体 (1)
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-

型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

FDV301N 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

编号：L44043925

1+： ¥ 1.818012

10+： ¥ 1.132126

100+： ¥ 0.703240

500+： ¥ 0.513671

1000+： ¥ 0.452106

总额：¥ 1.82

FDV301N 复制

品牌：ONSEMI复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E014779

手册:  

5+： ¥ 2.070000

100+： ¥ 1.100000

500+： ¥ 0.720000

1000+： ¥ 0.490000

3000+： ¥ 0.440000

6000+： ¥ 0.390000

9000+： ¥ 0.360000

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 10.35

FDV301N 复制

品牌：Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44056718

漏源电压(Vdss)：25V

连续漏极电流(Id)：220mA

导通电阻(RDS(on))：5Ω@2.7V，0.2A

耗散功率(Pd)：350mW

1+： ¥ 2.479107

10+： ¥ 1.495728

100+： ¥ 0.930491

500+： ¥ 0.685060

1000+： ¥ 0.605481

总额：¥ 2.48

FDV301N 复制

品牌：EVVO复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44056635

漏源电压(Vdss)：25V

连续漏极电流(Id)：220mA

导通电阻(RDS(on))：5Ω@2.7V，0.2A

耗散功率(Pd)：350mW

1+： ¥ 2.313833

10+： ¥ 1.421355

100+： ¥ 0.886694

500+： ¥ 0.651509

1000+： ¥ 0.575401

总额：¥ 2.31

FDV301N 复制

品牌：UMW复制

封装：-

类目： 线性稳压器(LDO)

编号：L44056817

工作电压：35V

输出电压：6V

输出电流：1.2A

电源纹波抑制比(PSRR)：-

1+： ¥ 2.644381

10+： ¥ 1.636211

100+： ¥ 1.022218

500+： ¥ 0.754640

1000+： ¥ 0.667871

总额：¥ 2.64

FDV301N(UMW) 复制

品牌：UMW(友台半导体)复制

封装：-

类目：开关

编号：E20146236

工作电压：35V

输出电压：6V

输出电流：1.2A

电源纹波抑制比(PSRR)：-

20+： ¥ 0.171300

-： 2520+

3000 个/PCS

总额：¥ 3.43

FDV301N 复制

品牌：安森美半导体复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E020808

手册:  

漏源电压(Vdss)：25V

连续漏极电流(Id)：220mA

导通电阻(RDS(on))：5Ω@2.7V，0.2A

耗散功率(Pd)：350mW

10+： ¥ 0.150000

深圳： 100+

1 个/PCS

总额：¥ 1.5

FDV301N_D87Z 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

编号：L44068482

10000+： ¥ 0.482269

20000+： ¥ 0.440289

30000+： ¥ 0.418804

50000+： ¥ 0.394756

70000+： ¥ 0.380460

100000+： ¥ 0.366660

总额：¥ 4822.69

FDV301N-F169 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

编号：L44055847

18000+： ¥ 0.247911

总额：¥ 4462.4

Total:91
总9条记录，每页20条，共1页。

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